【技术实现步骤摘要】
一种SiC纳米线改性SiC
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ZrC涂层的高导热石墨材料及制备方法
[0001]本专利技术涉及高导热石墨材料制备领域，特别是属于一种SiC纳米线改性SiC
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ZrC涂层的高导热石墨材料及制备方法。
技术介绍
[0002]高导热石墨材料具有低密度、高强度、高模量和低热膨胀系数，并在高温下其力学性能呈现不降反升的特点，此外其高的热导率可以实现热量在石墨材料内部的快速转移，将受热部位的冗余热量快速分散至其他部位，降低材料各部分之间的温度差异，进而表现出良好的抗热震性能，因此高导热石墨材料被认为是应用于航空航天领域高温热结构部件最具潜力的候选材料之一。高导热石墨是以单一C元素组成的材料，常见于自然界且在常温、较低温度或者无氧条件下具有非常稳定的物理化学性能。
[0003]但是，在温度达到400℃的有氧环境下，高导热石墨材料开始被氧化，并随着环境温度的上升，氧化现象愈发严重，最终材料失效，这也就限制了高导热石墨材料在高温有氧环境下的应用。
[0004]为了提升石墨材料的热防护性能，在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种SiC纳米线改性SiC
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ZrC涂层的高导热石墨材料，其特征在于，包括基底、过渡内层和外涂层；基底为高导热石墨，过渡内层为SiC纳米线组成的网络层，外涂层为SiC
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ZrC涂层，且SiC纳米线直接生长在高导热石墨基底表面，SiC
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ZrC外涂层包裹SiC纳米线、且填满网络层的孔隙，获得致密的SiC纳米线改性SiC
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ZrC涂层的高导热石墨材料。2.根据权利要求1所述高导热石墨材料的制备方法，其特征在于，步骤如下：步骤1、高导热石墨基底的预处理；步骤2、在完成预处理的高导热石墨基底表面上通过化学气相沉积法均匀生长SiC纳米线网络层；步骤3、通过包埋的方式将SiC
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ZrC外涂层包裹SiC纳米线、且填满网络层的孔隙。3.根据权利要求2所述高导热石墨材料的制备方法，其特征在于，步骤1中包括如下子步骤，S1、对加工成型的高导热石墨基底进行表面打磨，超声清洗干净后放入120℃烘箱烘干；S2、将高导热石墨基底放入管式炉中，打开真空泵，抽真空至炉内压力在200Pa以下，关闭管式炉进气口和出气口保压20min，检查管式炉内压力达到标准后，向炉内通入氩气至常压，关闭真空泵，控制氩气流量为500mL/min，以6～12℃/min的速率将管式炉高温区升温至800～1000℃；S3、管式炉达到设定温度后，打开真空泵并停止通入氩气，抽真空至炉内压力在200Pa以下，保压20min后通过空气，调节进气端和出气端阀门以控制炉内压力稳定为2500～7500Pa，保温10～30min后停止加热，停止通入空气，重新通入氩气至炉内压力为常压，关闭真空泵，降温至室温后获得预处理的高导热石墨基底。4.根据权利要求2所述高导热石墨材料的制备方法，其特征在于，步骤2中包括如下子步骤，S4、将预处理后的高导热石墨基底悬挂在石墨坩...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨程，曾晨，徐平，钟静，宋伟杰，王新华，黄斌，刘金平，
申请(专利权)人：湖南长宇科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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