发光器件和包括其的电子设备制造技术

公开发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括第一发射层和第二发射层，所述第一发射层包括发射具有第一光谱的第一种光的第一化合物，所述第二发射层包括发射具有第二光谱的第二种光的第二化合物，所述第一化合物包括第一过渡金属，所述第二化合物包括第二过渡金属，所述第一过渡金属和所述第二过渡金属彼此不同，|HOMO(1)

【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括其的电子设备
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于在韩国知识产权局于2021年12月23日提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0186593和于2022年12月20日提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0178943并且要求其优先权、以及由其产生的所有权益，将其内容全部通过引用引入本文中。


[0003]本公开内容涉及发光器件和包括其的电子设备。

技术介绍

[0004]在发光器件之中，有机发光器件(OLED)是在视角、响应时间、亮度、驱动电压和响应时间方面具有改善的特性的自发射器件。此外，OLED可产生全色图像。
[0005]在实例中，有机发光器件包括阳极、阴极、以及布置在阳极和阴极之间的有机层，其中有机层包括发射层。空穴传输区域可布置在阳极和发射层之间，且电子传输区域可布置在发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动，且从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

技术实现思路

[0006]提供在发光效率、寿命、色纯度变化、接通(turn
‑
on)时间和关断时间方面具有优异的特性的发光器件和包括所述发光器件的电子设备。
[0007]另外的方面将部分地在随后的详细描述中阐明，并且部分地将从该详细描述明晰，或者可通过该描述的所呈现的一种或多种实施方式的实践而获知。
[0008]根据一个方面，发光器件包括：
[0009]第一电极；
[0010]面对所述第一电极的第二电极；以及
[0011]布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，
[0012]其中所述中间层包括第一发射层和第二发射层，
[0013]所述第一发射层包括发射具有第一光谱的第一种光的第一化合物，
[0014]所述第二发射层包括发射具有第二光谱的第二种光的第二化合物，
[0015]所述第一化合物包括第一过渡金属，
[0016]所述第二化合物包括第二过渡金属，
[0017]所述第一过渡金属和所述第二过渡金属彼此不同，
[0018]|HOMO(1)
‑
HOMO(2)|为约0.05电子伏(eV)至约0.4eV，
[0019]|λmax(1)
‑
λmax(2)|为约0纳米(nm)至约30nm，
[0020]HOMO(1)为以eV表示的所述第一化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级，
[0021]HOMO(2)为以eV表示的所述第二化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级，
[0022]HOMO(1)和HOMO(2)各自为使用二茂铁作为参比材料通过微分(差示)脉冲伏安法测量的负的值，
[0023]λmax(1)为所述第一化合物在所述第一光谱中的发射峰波长，
[0024]λmax(2)为所述第二化合物在所述第二光谱中的发射峰波长，
[0025]λmax(1)和λmax(2)分别由对于第一膜和第二膜测量的光致发光光谱评价，
[0026]其中所述第一膜为包括所述第一化合物的膜，和
[0027]其中所述第二膜为包括所述第二化合物的膜。
[0028]例如，所述中间层可包括：
[0029]m个发光单元，所述发光单元包括至少一个发射层；和
[0030]m
‑
1个电荷产生层，所述电荷产生层布置在所述m个发光单元的两个相邻发光单元之间，
[0031]其中m可为2或更大的整数，和
[0032]其中：
[0033]所述m个发光单元的第一发光单元可包括所述第一发射层，并且所述m个发光单元的第二发光单元可包括所述第二发射层，或者
[0034]所述m个发光单元的一个发光单元可包括所述第一发射层和所述第二发射层。
[0035]根据另一方面，电子设备包括如本文中所描述的的发光器件。
附图说明
[0036]由结合附图考虑的以下详细描述，一些示例性实施方式的以上和其它方面、特征和优点将更明晰，其中：
[0037]图1为根据一种或多种实施方式的发光器件的示意图；
[0038]图2为根据一种或多种实施方式的发光器件的示意图；
[0039]图3为OLED 1(Pt
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Pt)、OLED 2(Ir
‑
Pt)、和OLED 3(Pt
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Ir)各自的发光效率(坎德拉/安，cd/A)对色坐标CIEx的图；
[0040]图4为OLED 1(Pt
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Pt)、OLED 2(Ir
‑
Pt)、和OLED 3(Pt
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Ir)各自的瞬态电致发光(EL)强度(任意单位，a.u.)对时间(小时，hr)的图；
[0041]图5为在2cd/m2至15,000cd/m2的范围内的OLED 4(Ir
‑
Ir)、OLED 2(Ir
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Pt)、OLED 3(Pt
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Ir)、和OLED 1(Pt
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Pt)各自的ΔCIEx对亮度(cd/m2)的图；和
[0042]图6和7为OLED 4(Ir
‑
Ir)、OLED 2(Ir
‑
Pt)、OLED 3(Pt
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Ir)、和OLED 1(Pt
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Pt)各自的瞬态电致发光(EL)强度(a.u.)对时间(微秒，μs)的图。
具体实施方式
[0043]现在将对示例性实施方式更详细地进行介绍，其实例示于附图中，其中相同的附图标记始终是指相同的元件。在这点上，本示例性实施方式可具有不同形式并且不应被解释为限于本文中阐述的详细描述。因此，仅在下面通过参照附图更详细地描述示例性实施方式，以说明一些方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任何和全部组合。表述例如“的至少一个(种)”当在要素列表之前或之后时修饰整个要素列表而不修饰该列表的单独要素。
[0044]本文中使用的术语仅用于描述一种或多种示例性实施方式的目的并且不意图为限制性的。如本文中使用的，单数形式“一种(个)(a，an)”和“所述(该)”也意图包括复数形式，除非上下文清楚地另外说明。术语“或”意味着“和/或”。将进一步理解，术语“包含”或“包括”当用在本说明书中时，表明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组分，但不排除存在或添加一种或多种另外的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分、和/或其集合。
[0045]将理解，尽管术语第一、第二、第三等可在本文中用来描述各种元件、组分、区域、层和/或部分，但这些元件、组分、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光器件，其包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括第一发射层和第二发射层，所述第一发射层包括发射具有第一光谱的第一种光的第一化合物，所述第二发射层包括发射具有第二光谱的第二种光的第二化合物，所述第一化合物包括第一过渡金属，所述第二化合物包括第二过渡金属，所述第一过渡金属和所述第二过渡金属彼此不同，|HOMO(1)
‑
HOMO(2)|为0.05电子伏至0.4电子伏，|λmax(1)
‑
λmax(2)|为0纳米
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30纳米，HOMO(1)为以电子伏表示的所述第一化合物的最高占据分子轨道能级，HOMO(2)为以电子伏表示的所述第二化合物的最高占据分子轨道能级，HOMO(1)和HOMO(2)各自为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值，λmax(1)为所述第一化合物在所述第一光谱中的发射峰波长，λmax(2)为所述第二化合物在所述第二光谱中的发射峰波长，λmax(1)和λmax(2)分别由对于第一膜和第二膜测量的光致发光光谱评价，其中所述第一膜为包括所述第一化合物的膜，和其中所述第二膜为包括所述第二化合物的膜。2.如权利要求1所述的发光器件，其中|HOMO(1)
‑
HOMO(2)|为0.05电子伏至0.3电子伏。3.如权利要求1所述的发光器件，其中HOMO(1)为
‑
5.50电子伏至
‑
5.10电子伏。4.如权利要求1所述的发光器件，其中HOMO(2)为
‑
5.30电子伏至
‑
5.00电子伏。5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一化合物的偶极矩小于3.0德拜，和所述第二化合物的偶极矩为3.0德拜或更大。6.如权利要求1所述的发光器件，其中|λmax(1)
‑
λmax(2)|为0纳米
‑
10纳米。7.如权利要求1所述的发光器件，其中λmax(1)和λmax(2)各自为510纳米
‑
540纳米。8.如权利要求1所述的发光器件，其中λmax(1)和λmax(2)各自为540纳米
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭丞燕，姜炳俊，金炯俊，沈明善，李锦喜，李晟熏，李龙柱，崔炳基，洪英基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：