发光器件和包括其的电子设备制造技术

技术编号:37981384 阅读:25 留言:0更新日期:2023-06-30 09:56
公开发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层,其中所述中间层包括第一发射层和第二发射层,所述第一发射层包括发射具有第一光谱的第一种光的第一化合物,所述第二发射层包括发射具有第二光谱的第二种光的第二化合物,所述第一化合物包括第一过渡金属,所述第二化合物包括第二过渡金属,所述第一过渡金属和所述第二过渡金属彼此不同,|HOMO(1)

【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括其的电子设备
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于在韩国知识产权局于2021年12月23日提交的韩国专利申请No.10

2021

0186593和于2022年12月20日提交的韩国专利申请No.10

2022

0178943并且要求其优先权、以及由其产生的所有权益,将其内容全部通过引用引入本文中。


[0003]本公开内容涉及发光器件和包括其的电子设备。

技术介绍

[0004]在发光器件之中,有机发光器件(OLED)是在视角、响应时间、亮度、驱动电压和响应时间方面具有改善的特性的自发射器件。此外,OLED可产生全色图像。
[0005]在实例中,有机发光器件包括阳极、阴极、以及布置在阳极和阴极之间的有机层,其中有机层包括发射层。空穴传输区域可布置在阳极和发射层之间,且电子传输区域可布置在发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动,且从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光器件,其包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层,其中所述中间层包括第一发射层和第二发射层,所述第一发射层包括发射具有第一光谱的第一种光的第一化合物,所述第二发射层包括发射具有第二光谱的第二种光的第二化合物,所述第一化合物包括第一过渡金属,所述第二化合物包括第二过渡金属,所述第一过渡金属和所述第二过渡金属彼此不同,|HOMO(1)

HOMO(2)|为0.05电子伏至0.4电子伏,|λmax(1)

λmax(2)|为0纳米

30纳米,HOMO(1)为以电子伏表示的所述第一化合物的最高占据分子轨道能级,HOMO(2)为以电子伏表示的所述第二化合物的最高占据分子轨道能级,HOMO(1)和HOMO(2)各自为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值,λmax(1)为所述第一化合物在所述第一光谱中的发射峰波长,λmax(2)为所述第二化合物在所述第二光谱中的发射峰波长,λmax(1)和λmax(2)分别由对于第一膜和第二膜测量的光致发光光谱评价,其中所述第一膜为包括所述第一化合物的膜,和其中所述第二膜为包括所述第二化合物的膜。2.如权利要求1所述的发光器件,其中|HOMO(1)

HOMO(2)|为0.05电子伏至0.3电子伏。3.如权利要求1所述的发光器件,其中HOMO(1)为

5.50电子伏至

5.10电子伏。4.如权利要求1所述的发光器件,其中HOMO(2)为

5.30电子伏至

5.00电子伏。5.如权利要求1所述的发光器件,其中所述第一化合物的偶极矩小于3.0德拜,和所述第二化合物的偶极矩为3.0德拜或更大。6.如权利要求1所述的发光器件,其中|λmax(1)

λmax(2)|为0纳米

10纳米。7.如权利要求1所述的发光器件,其中λmax(1)和λmax(2)各自为510纳米

540纳米。8.如权利要求1所述的发光器件,其中λmax(1)和λmax(2)各自为540纳米

...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭丞燕姜炳俊金炯俊沈明善李锦喜李晟熏李龙柱崔炳基洪英基
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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