发光装置和包括其的电子设备制造方法及图纸

本申请提供了发光装置和包括其的电子设备。该发光装置包括第一电极；面向第一电极的第二电极；位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件；以及m

【技术实现步骤摘要】
发光装置和包括其的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并且要求在韩国知识产权局(KIPO)于2021年11月30日提交的韩国专利申请第10
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2021
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0169333号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置中的有机发光装置为自发射装置，其与本领域中的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的特性。
[0005]有机发光装置可包括位于基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁到基态，从而生成光。

技术实现思路

[0006]一个或多个实施方式包括具有改善的效率的发光装置和包括其的电子设备。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的m个发射部件；以及各自位于所述m个发射部件中的两个相邻发射部件之间并且各自包括n型电荷生成层和p型电荷生成层的m
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1个电荷生成层，其中m为2或更大的整数，所述m个发射部件各自包括按顺序设置的空穴传输区、发射层和电子传输区，包括在所述m个发射部件中的第一发射部件中的第一空穴传输区包括第一空穴传输材料，包括在所述m个发射部件中的第二发射部件中的第二空穴传输区包括第二空穴传输材料，并且所述第一空穴传输材料的折射率大于所述第二空穴传输材料的折射率。2.如权利要求1所述的发光装置，其中从所述m个发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长不同于从所述m个发射部件中的其余发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长。3.如权利要求1所述的发光装置，其中从所述m个发光部件中的每一个发射的光的最大发射波长彼此相等。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一空穴传输区的厚度和所述第二空穴传输区的厚度彼此相等。5.如权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一空穴传输区直接接触所述第一电极；所述第二空穴传输区直接接触所述m
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1个电荷生成层中的第一电荷生成层的所述p型电荷生成层，并且所述第一电荷生成层位于所述第一发射部件和所述第二发射部件之间；或所述第一空穴传输区直接接触所述第一电极，并且所述第二空穴传输区直接接触所述m
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1个电荷生成层中的所述第一电荷生成层的所述p型电荷生成层，并且所述第一电荷生成层位于所述第一发射部件和所述第二发射部件之间。6.如权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一个，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。7.如权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一空穴传输区包括包含所述第一空穴传输材料的第一空穴传输层，并且所述第二空穴传输区包括包含所述第二空穴传输材料的第二空穴传输层。8.如权利要求7所述的发光装置，其中所述第一空穴传输层的厚度和所述第二空穴传
输层的厚度彼此相等。9.如权利要求7所述的发光装置，其中：所述第一空穴传输层直接接触所述第一电极；所述第二空穴传输层直接接触所述m
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1个电荷生成层中的第一电荷生成层的所述p型电荷生成层，并且所述第一电荷生成层位于所述第一发射部件和所述第二发射部件之间；或所述第一空穴传输层直接接触所述第一电极，并且所述第二空穴传输层直接接触所述m
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1个电荷生成层中的所述第一电荷生成层的所述p型电荷生成层，并且所述第一电荷生成层位于所述第一发射部件和所述第二发射部件之间。10.如权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一空穴传输材料的折射率为1.8或更大且2.8或更小，并且所述第二空穴传输材料的折射率为1.5或更大且2.5或更小。11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一空穴传输材料的所述折射率和所述第二空穴传输材料的所述折射率之间的差为0.1或更大且0.5或更小。12.一种发光装置，包括：分别根据第一子像素、第二子像素和第三子像素布置的第一电极；面向所述第一电极的第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的m个发射部...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴镇佑，金富倍，李硕宰，李在津，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：