发光二极管外延片及其制备方法、LED技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述N型半导体层包括依次层叠于所述本征GaN层上的第一SiInGaN层、第二SiInAlGaN层、第三SiInAlGaN层、第四SiAlGaN层和第五SiAlGaN层。本发明专利技术提供的发光二极管外延片能够提升发光亮度波长分布的均匀性，并且释放底层应力，提升发光二级管的抗静电能力，提升发光效率。提升发光效率。提升发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制备方法、LED


[0001]本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、LED。

技术介绍

[0002]目前，GaN基发光二极管已经大量应用于固态照明领域以及显示领域，吸引着越来越多的人关注。GaN基发光二极管已经实现工业化生产、在背光源、照明、景观灯等方面都有应用。
[0003]现有发光二极管外延片结构包括：衬底、以及在所述衬底上依次生长的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层。专利技术人发现有以下问题：
[0004]传统的N型半导体层具有高浓度Si掺杂，生长温度和转速都相对很高，并且由于前面形核层和本征GaN层生长时累积的翘曲和应力，在N型半导体层生长时，翘曲应力很大，导致Si掺杂分布不均匀，晶格质量差等问题，从而引起工作电压分布不均匀和抗静电能力差的问题。并且缺陷和应力累积到多量子阱区，会成为非辐射复合中心，影响发光效率；
[0005]而且，电子移动速度过快，扩展能力差，而空穴相对移动速度慢，也导致电压分布不均匀，抗静电能差，发光效率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述N型半导体层包括依次层叠于所述本征GaN层上的第一SiInGaN层、第二SiInAlGaN层、第三SiInAlGaN层、第四SiAlGaN层和第五SiAlGaN层。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一SiInGaN层的Si掺杂浓度＞所述第二SiInAlGaN层的Si掺杂浓度＞所述第三SiInAlGaN层的Si掺杂浓度＞所述第四SiAlGaN层的Si掺杂浓度＞所述第五SiAlGaN层的Si掺杂浓度；所述第一SiInGaN层的In掺杂浓度＞所述第二SiInAlGaN层的In掺杂浓度＞所述第三SiInAlGaN层的In掺杂浓度；所述第二SiInAlGaN层的Al掺杂浓度＜所述第三SiInAlGaN层的Al掺杂浓度＜所述第四SiAlGaN层的Al掺杂浓度＜所述第五SiAlGaN层的Al掺杂浓度。3.如权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一SiInGaN层的Si掺杂浓度为1
×
10
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atoms/cm3‑1×
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atoms/cm3；所述第二SiInAlGaN层的Si掺杂浓度为1
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10
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atoms/cm3‑1×
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20
atoms/cm3；所述第三SiInAlGaN层的Si掺杂浓度为1
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atoms/cm3‑1×
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19
atoms/cm3；所述第四SiAlGaN层的Si掺杂浓度为1
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10
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atoms/cm3‑1×
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18
atoms/cm3；所述第五SiAlGaN层的Si掺杂浓度为1
×
10
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atoms/cm3‑1×
10
17
atoms/cm3。4.如权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一SiInGaN层的In掺杂浓度为1
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102atoms/cm3‑5×
102atoms/cm3；所述第二SiInAlGaN层的In掺杂浓度为5
×
10atoms/cm3‑1×
102atoms/cm3；所述第三SiInAlGaN层的In掺杂浓度为1
×
10atoms/cm3‑5×
10a...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彩霞，印从飞，程金连，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：