一种图形化衬底、制备方法及LED外延结构技术

本申请提供一种图形化衬底、制备方法及LED外延结构，方法包括：提供一层衬底，在衬底上生长一层AlON缓冲层；在AlON缓冲层上交替生长AlOx和AlNy，得到分布式布拉格反射镜DBR薄膜，其中，x为AlOx中O的掺杂浓度，y为AlNy中N的掺杂浓度；对DBR薄膜进行图形化处理，得到图形化衬底。设置AlON缓冲层，有效减少GaN外延材料的位错密度，增强内量子效应，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命。设置图形化处理的DBR薄膜，有源区发出的光，经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。从而提高了光的提取效率。从而提高了光的提取效率。

【技术实现步骤摘要】
一种图形化衬底、制备方法及LED外延结构


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种图形化衬底、制备方法及LED外延结构。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色的新型固态照明光源，LED是前景广阔的新一代光源，正在被迅速广泛地应用在如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、户内外显示屏和小间距显示屏等领域。
[0003]相关技术中，发光二极管外延片是在晶体结构匹配的单晶材料上生长出来的半导体薄膜，对外延片进行工艺加工可形成芯片，芯片封装后即为发光二极管。传统的LED外延片至少包括蓝宝石AL2O3衬底以及生长在衬底上的氮化镓GaN层，由于AL2O3与GaN层之间存在高达13.8％的晶格失配，例如，形成大量位错，这些位错包括螺型位错，刃型位错和混合位错等。这些位错会进一步形成穿透位错，延伸到发光结构，严重影响到发光层的电子和空穴复合效率，最终导致LED的发光效率变低。
[0004]基于上述原因，亟需一种能够中断底层位错的延伸，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括提供一层衬底，所述衬底为Al2O3衬底；在所述衬底上生长一层AlON缓冲层；在所述AlON缓冲层上交替生长AlOx和AlNy，得到由所述AlOx和AlNy的周期性结构组成的分布式布拉格反射镜DBR薄膜，其中，所述x为所述AlOx中O的掺杂浓度，所述y为所述AlNy中N的掺杂浓度，所述x为0～100％，所述y为0～100％；对所述DBR薄膜进行图形化处理，得到图形化衬底。2.根据权利要求1所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，采用气相沉积的方法在所述衬底上溅镀所述AlON缓冲层，所述AlON缓冲层的厚度小于0.1um。3.根据权利要求1所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，采用气相沉积的方法在所述AlON缓冲层上溅镀所述AlOx和AlNy的周期性结构，所述AlOx和AlNy的周期性结构的周期数量大于或等于10，且小于或等于1000。4.根据权利要求1所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述DBR薄膜中每层所述AlOx的厚度小于100nm，每层所述AlNy的厚度小于100nm。5.根据权利要求1所述的图形化衬底的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，陈传国，徐志军，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：