提高波长良率的LED外延片及其制备方法、LED芯片技术

本发明专利技术提供一种提高波长良率的LED外延片及其制备方法、LED芯片，方法包括：获取一衬底；在衬底上依次生长复合缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂GaN层，多量子阱层，电子阻挡层，P型掺杂GaN层及P型GaN接触层；其中，生长复合缓冲层的方法包括：在衬底上生长Ga2O3子层；对Ga2O3子层进行退火处理；在退火处理后的Ga2O3子层上生长周期性交替循环的Ga2O3/GaN子层以构成复合缓冲层。本申请通过由Ga2O3子层和Ga2O3/GaN子层循环交替组成复合缓冲层，以改善外延片翘曲，提高外延片的波长均匀性。提高外延片的波长均匀性。提高外延片的波长均匀性。

【技术实现步骤摘要】
提高波长良率的LED外延片及其制备方法、LED芯片


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种提高波长良率的LED外延片及其制备方法、LED芯片。

技术介绍

[0002]近年来，LED（Light Emitting Diode）行业竞争激烈，成本成为企业的核心竞争力之一。为降低成本，各LED企业从早期的2寸外延转为4寸量产，现在又从4寸外延转向6寸。随着尺寸的增加，LED的波长均匀性和稳定性变差，从而导致LED的波长良率偏低。
[0003]在外延生长中，存在晶格失配导致的应力和薄膜及衬底之间热失配产生的热应力，二者相互竞争，使得外延生长过程中衬底及薄膜发生偏凹或偏凸的翘曲，在生长量子阱时，凹凸的变化幅度对衬底的温度分布产生影响，影响到In的并入，从而影响到波长，即温度的分布不均匀导致波长的分布不均匀。当凸的幅度较大时，衬底中心温度比边缘温度低；当凹的幅度较大时，衬底中心位置和石墨盘接触距离更近，边缘则和石墨盘距离更远，导致中心位置的温度比边缘温度高，这种凹凸变化带来的温度分布出现梯度会导致同一片外延片上不同位置波长分布差异大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高波长良率的LED外延片制备方法，其特征在于，包括：获取一衬底；在所述衬底上依次生长复合缓冲层、未掺杂的GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层及P型GaN接触层；其中，生长所述复合缓冲层的方法包括：在所述衬底上生长Ga2O3子层；对所述Ga2O3子层进行退火处理；在退火处理后的Ga2O3子层上生长周期性交替循环的Ga2O3/GaN子层以构成所述复合缓冲层。2.根据权利要求1所述的提高波长良率的LED外延片制备方法，其特征在于，在所述衬底上生长Ga2O3子层的步骤中：所述Ga2O3子层的生长温度为700℃
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800℃，生长压力为50Torr
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200Torr，生长厚度为20 nm~30nm，通入O2流量为100sccm ~300sccm。3.根据权利要求1所述的提高波长良率的LED外延片制备方法，其特征在于，在对所述Ga2O3子层进行退火处理的步骤中：退火处理的温度为1100℃~1200℃。4.根据权利要求1或3所述的提高波长良率的LED外延片制备方法，其特征在于：在N2气氛下对Ga2O3子层进行退火10 min ~20min。5. 根据权利要求1所述的提高波长良率的LED外延片制备方法，其特征在于，周期性交替循环的Ga2O3/GaN子层的生长温度为800℃
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90...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春杨，吕蒙普，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：