一种PECVD设备的辉光放电装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种PECVD设备的辉光放电装置，包括气体导入机构、上电极板和下电极板，上电极板和下电极板间隔设置在PECVD设备的反应室内，反应室包括腔体，上电极板盖合在腔体顶部，下电极板设于腔体内部的底板上；上电极板包括电极背板和喷淋板，电极背板的下端面为喷淋板，电极背板的顶部与气体导入机构的底部密封连接；气体导入机构包括相互独立送气的工艺气体导入通道和清洗气体导入通道，工艺气体导入通道的底部与电极背板的顶部密封连接，清洗气体导入通道沿竖直方向贯穿工艺气体导入通道内部并延伸至上电极板内部。本发明专利技术具有结构紧凑、操作简单、制造成本低等优点，实现了工艺、清洗气体独立送入，避免了气体交叉污染，提高了成膜质量。高了成膜质量。高了成膜质量。

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD设备的辉光放电装置


[0001]本专利技术属于太阳能电池制造
，具体涉及一种非晶硅太阳能电池制造工艺用大面积CVD腔室的旋风式气体导入装置。

技术介绍

[0002]太阳能光伏电池是一种把太阳的光能直接转换成电能的新型电池。目前，较为常使用的是以硅为基底的硅光伏电池，包括单晶硅、多晶硅和非晶硅光伏电池。随着硅片质量的提升，晶硅电池表面复合已经成为制约其效率的主要因素，其中，表面钝化技术尤为重要。
[0003]HIT太阳能电池作为一种新型技术已经成为研究热点，该技术最重要的一点是利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。相对于传统单/多晶硅电池而言，该混合型太阳能电池具有更高的光电转化效率，更好的稳定性和更低的制成成本。其中，可见镀膜工艺是HIT电池片生产环节中最重要的一环，且可见镀膜工艺是在平板式PECVD设备中完成的。
[0004]PECVD(Plasma Enhanced Chmical Vapor Deposition)是指等离子体增强化学气相沉积法，利用微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体(如S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PECVD设备的辉光放电装置，包括：气体导入机构(100)、上电极板(200)和下电极板(300)，所述上电极板(200)和下电极板(300)间隔设置在PECVD设备的反应室(400)内，所述反应室(400)包括腔体(500)，其特征在于，所述上电极板(200)盖合在腔体(500)顶部，所述下电极板(300)设于腔体(500)内部的底板上；所述上电极板(200)包括电极背板(201)和喷淋板(203)，所述电极背板(201)的下端面与喷淋板(203)固接，电极背板(201)的顶部与气体导入机构(100)的底部密封连接；所述气体导入机构(100)包括相互独立送气的工艺气体导入通道和清洗气体导入通道，所述工艺气体导入通道的底部与电极背板(201)的顶部密封连接，用于实现工艺气体送入上电极板(200)内部，所述清洗气体导入通道沿竖直方向贯穿工艺气体导入通道内部并延伸至上电极板(200)内部，用于实现清洗气体送入上电极板(200)内部。2.根据权利要求1所述的PECVD设备的辉光放电装置，其特征在于，所述气体导入机构(100)包括：等离子体发生器(101)、连接法兰(102)和气体隔离筒(103)；所述连接法兰(102)的顶部与等离子体发生器(101)底部密封连接，连接法兰(102)的底部与电极背板(201)顶部密封绝缘连接；所述等离子体发生器(101)顶部设有清洗气体馈入口(111)；所述气体隔离筒(103)的顶部密封设置在连接法兰(102)内侧顶部，气体隔离筒(103)的底部延伸至上电极板(200)内部；所述等离子体发生器(101)内部、连接法兰(102)顶部和气体隔离筒(103)内部依次贯通构成气体输送管路(114)，所述气体输送管路(114)用于实现清洗气体送入上电极板(200)内部；所述连接法兰(102)侧部设有至少两个工艺气体馈入口(112)，所述连接法兰(102)内壁、电极背板(201)内壁和气体隔离筒(103)外壁围合成气体耦合管路(113)，所述气体耦合管路(113)用于实现工艺气体送入上电极板(200)内部。3.根据权利要求2所述的PECVD设备的辉光放电装置，其特征在于，所述工艺气体馈入口(112)与气体隔离筒(103)轴线的夹角α为90
°
～120
°
，且工艺气体馈入口(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾武杨，彭宜昌，陈臻阳，杨彬，唐电，谭庆，陈特超，
申请(专利权)人：湖南红太阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：