输入缓冲器及其偏置产生电路制造技术

本发明专利技术公开了一种输入缓冲器及其偏置产生电路，该偏置产生电路用于向输入缓冲器提供第一偏置电压；偏置产生电路包括第一MOS管和第二MOS管；输入缓冲器包括与第一MOS管对应的第三MOS管和与第二MOS管对应的第四MOS管；输入缓冲器的工作电流与偏置产生电路的输入电流具有固定电流比值，第二MOS管用于输出第一偏置电压至第四MOS管。本发明专利技术的偏置产生电路，在输入缓冲器的工作电流、工作电压、生产工艺或工作温度发生变化时，可以基于电流比值对应的调整第一偏置电压的数值，为输入缓冲器提供合适的偏置电压，提高偏置产生电路的抗工艺、抗环境波动能力和灵活性，扩大了偏置产生电路应用范围。应用范围。应用范围。

【技术实现步骤摘要】
输入缓冲器及其偏置产生电路


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种输入缓冲器及其偏置产生电路。

技术介绍

[0002]在高速流水线模数转换器领域，无采样保持放大器结构由于低功耗、低噪声的优势而得到广泛的使用。为了减轻输入端的非线性及回踢噪声，这种放大器必须在输入端插入一组高速输入缓冲器。这种输入缓冲器通常包括多个MOS管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，绝缘栅型场效应晶体管)，需要多个直流电压进行偏置以获得偏置电压。
[0003]传统的输入缓冲器多采用固定电压作为偏置电压，偏置电压的数值不会随温度、工艺角等因素发生变化，或者变化的量与输入缓冲器无关，这会导致输入缓冲器的性能随温度、工艺角等常见因素的变化而有明显变化，降低了输入缓冲器的良品率，偏置电压也无法根据输入缓冲器的工作电流或工作电压的变化进行调整，降低了输入缓冲器应用的灵活性。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于输入缓冲器的偏置产生电路，其特征在于，所述偏置产生电路用于向所述输入缓冲器提供第一偏置电压；所述偏置产生电路包括第一MOS管和第二MOS管；所述输入缓冲器包括与所述第一MOS管对应的第三MOS管和与所述第二MOS管对应的第四MOS管；所述输入缓冲器的工作电流与所述偏置产生电路的输入电流具有固定电流比值；所述第三MOS管的输入端用于接收所述输入缓冲器的输入电压，所述第三MOS管的输出端用于输出所述输入缓冲器的输出电压；所述第二MOS管用于输出第一偏置电压至所述第四MOS管，并根据所述电流比值调整所述第一偏置电压。2.根据权利要求1所述的偏置产生电路，其特征在于，所述第三MOS管栅宽与栅长比值和所述第一MOS管栅宽与栅长比值的比值为第一值，所述第四MOS管栅宽与栅长比值和所述第二MOS管栅宽与栅长比值的比值为第二值，所述第一值与所述第二值相同；所述电流比值与所述第一值或所述第二值相同。3.根据权利要求1所述的偏置产生电路，其特征在于，所述第一MOS管的源极用于接收所述偏置产生电路的输入电压，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极相连，所述第一MOS管的栅极与源极相连；所述第二MOS管的漏极用于接收所述偏置产生电路的输入电流，所述第二MOS管的源极和栅极相连，所述第二MOS管的栅极输出所述第一偏置电压；所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管源极相连，所述第三MOS管的栅极为所述输入缓冲器的输入端，用于接收所述输入缓冲器的输入电压，所述第三MOS管的源极为所述输入缓冲器的输出端，用于输出所述输入缓冲器的输出电压；所述输入缓冲器包括电流放大模块，所述电流放大模块一端与所述第三MOS管的源极相连，另一端用于接收所述输入缓冲器的工作电流并将所述工作电流放大，并将放大后的工作电流发送至所述第三MOS管的源极；所述第四MOS管的栅极通过第一电阻与所述第二MOS管的栅极相连，并接收所述第一偏置电压，所述第四MOS管栅极与所述第三MOS管的栅极通过第一电容相连，所述第四MOS管的漏极与电源相连。4.根据权利要求3所述的偏置产生电路，其特征在于，所述偏置产生电路还用于向所述输入缓冲器提供第二偏置电压；所述偏置产生电路包括第五MOS管；所述输入缓冲器包括与所述第五MOS管对应的第六MOS管；所述第五MOS管用于输出第二偏置电压至所述第六MOS管，并根据所述电流比值调整所述第二偏置电压。5.根据权利要求4所述的偏置产生电路，其特征在于，所述第六M...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁哲一，张辉，王海军，李丹，毛祚伟，张浩崧，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：