一种运放尾电流的供电电路及方法技术

一种运放尾电流的供电电路，其特征在于：所述电路包括第一电流源、第二电流源、一级电流镜、二级电流镜、偏置单元和运放；其中，所述一级电流镜，接收所述第一电流源的第一参考电流，并将其镜像至所述偏置单元中；所述二级电流镜，接收所述第二电流源的第二参考电流，当所述偏置单元因所述运放的输入电压的升高而进入变阻区以后，所述二级电流镜基于所述偏置单元来调节所述一级电流镜的源漏电压，以使得所述电路复制所述第一参考电流并输出至所述运放中。本发明专利技术电路结构简单，元件少，能够在运放输入电压波动情况下，实现精确的尾电流输入。入。入。

【技术实现步骤摘要】
一种运放尾电流的供电电路及方法


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种运放尾电流的供电电路及方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，对运算放大器提供的尾电流源通常由基准电流源经过电流镜电路复制得到。为了更加精准的对电流进行复制，通常可以将电流镜设置为共源共栅结构，从而保证两个晶体管的源漏电压能够相等，以有效的抑制沟道长度调制效应对电流复制过程的影响，确保电流镜复制电流的精准度。
[0003]然而，即使采用共源共栅结构的电流镜，当PMOS输入的运放在输入电压过高或NMOS输入的运放在输入电压过低时，都可能会使得共源共栅晶体管不再工作于饱和区，随着沟道长度调制效应的影响，电流镜无法准确复制基准电流源的电流，也就无法保证为运放提供恒定的尾电流。
[0004]为了解决这一问题，亟需一种运放尾电流的供电电路及方法。

技术实现思路

[0005]为解决现有技术中存在的不足，本专利技术的目的在于，提供一种运放尾电流的供电电路及方法，通过提供多级电流镜和偏置单元结构为运放提供尾电流。当PMOS输入的运放在输入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种运放尾电流的供电电路，其特征在于：所述电路包括第一电流源、第二电流源、一级电流镜、二级电流镜、偏置单元和运放；其中，所述一级电流镜，接收所述第一电流源的第一参考电流，并将其镜像至所述偏置单元中；所述二级电流镜，接收所述第二电流源的第二参考电流，当所述偏置单元因所述运放的输入电压的升高而进入变阻区后，所述二级电流镜基于所述偏置单元来调节所述一级电流镜的源漏电压，以使得所述电路复制所述第一参考电流并输出至所述运放中。2.根据权利要求1中所述的一种运放尾电流的供电电路，其特征在于：所述一级电流镜、二级电流镜、偏置单元由PMOS管组成，且所述运放采用PMOS管作为输入端；或者，所述一级电流镜、二级电流镜、偏置单元由NMOS管组成，且所述运放采用NMOS管作为输入端。3.根据权利要求2中所述的一种运放尾电流的供电电路，其特征在于：所述一级电流镜包括PMOS管Mp3和Mp4；其中，所述Mp3和Mp4的源极均接入电源电压Vdd；所述Mp3和Mp4的栅极相互连接，并接入至所述第一电流源的一端，所述第一电流源的另一端接地；所述Mp3的漏极与二级电流镜中Mp7管的源极、偏置单元分别连接，所述Mp4的漏极与二级电流镜中Mp6的源极连接。4.根据权利要求3中所述的一种运放尾电流的供电电路，其特征在于：所述二级电流镜包括PMOS管Mp6和Mp7；其中，所述Mp6的栅极与Mp7的栅极、漏极连接，并接入至所述第二电流源的一端，所述第二电流源的另一端接地。5.根据权利要求4中所述的一种运放尾电流的供电电路，其特征在于：所述偏置单元中包括MOS管Mp5；其中，所述MOS管Mp5的栅极与偏置电压Vb连接，其源极与一级电流镜中的Mp3漏极、二级电流镜中的Mp7源极连接，其漏极与所述运放的输入晶体管Mp1和Mp2的源极连接。6.根据权利要求5中所述的一种运放尾电流的供电电路，其特征在于：当所述运放的输入电压小于所述一级电流镜、所述偏置单元和所述运放对电源电压的压降，即V
i
≤V
dd
‑
V
sd3
‑
V
dsat5
‑
V
sg1,2
时，所述偏置单元中MOS管Mp...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，张海冰，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：