镀膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及真空镀膜技术领域，具体公开了一种镀膜装置。本发明专利技术提供的镀膜装置包括箱体、基片载具、靶材和金属栅网，箱体具有真空腔体，满足镀膜的真空环境需求，基片载具用于承载待镀膜的基片，在基片载具和靶材之间设置金属栅网，金属栅网连接正极电压，靶材连接负极电压，金属栅网能吸附和中和氧负离子和电子，降低了PVD成膜过程中氧负离子和电子对基片的非晶硅膜层的损伤和以及对基片的温升，提高了异质结太阳能电池的开路电压和填充因子，提升了太阳能电池的转换效率。了太阳能电池的转换效率。了太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
镀膜装置


[0001]本专利技术涉及真空镀膜
，尤其涉及一种镀膜装置。

技术介绍

[0002]异质结太阳能电池的主要生产流程包括制绒清洗、PECVD镀膜、PVD镀膜、丝网印刷等。
[0003]PVD镀膜的制备采用磁控溅射PVD技术，靶材采用ITO陶瓷靶。在PVD镀膜沉积的过程中，plasma的产生和溅射过程会产生大量的电子，通入的工艺氧气会被电离产生氧负离子，部分氧负离子和电子朝向基片方向运动。大量的电子会使电池基片升温，氧负离子经过阴极鞘层加速后拥有足以使非晶硅膜层损伤的能量，非晶硅膜层受损指高温和高能粒子导致前道非晶硅膜层中的Si
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H键的断裂影响其钝化效果降低了异质结电池的开路电压和填充因子，最终影响到异质结太阳能电池的转换效率。目前，采用磁控溅射降低对非晶硅膜层损伤的方法较少，通常的做法是采用射频(RF)叠加直流(DC)的方式能使溅射电压降低几十伏，鞘层压降随之降低(鞘层压降约等于溅射电压)，从而降低氧负离子的能量。而此种方法同样存在弊端：一是RF的驻波效应使靶材材料沉积到基片上的均匀性无法得到保证，二是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.镀膜装置，其特征在于，包括：箱体(1)，所述箱体(1)具有真空腔体；基片载具(2)，设置于所述真空腔体内；靶材(3)，设置于所述真空腔体内且置于所述基片载具(2)的上方，所述靶材(3)连接负极电压；金属栅网(4)，设置于所述基片载具(2)和所述靶材(3)之间，所述金属栅网(4)与所述基片载具(2)平行且能覆盖所述基片载具(2)的基片区域，所述金属栅网(4)连接正极电压。2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述箱体(1)接地，所述镀膜装置还包括：溅射电源(5)，所述溅射电源(5)的负极与所述靶材(3)电连接，所述溅射电源(5)的正极与所述箱体(1)电连接；偏压电源(6)，所述偏压电源(6)的负极与所述箱体(1)电连接，所述偏压电源(6)的正极与所述金属栅网(4)电连接，所述偏压电源(6)与所述溅射电源(5)通过同步线(7)通讯连接。3.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，还包括溅射电源(5)，所述溅射电源(5)的正极与所述金属栅网(4)电连接，所述溅射电源(5)的负极与所述靶材(3)电连接。4.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述金属栅网(4)连接有升降单元(8)，所述升降单元(8)能驱动所述金属栅网(4)升降以实现所述金属栅网(4)与所述靶材(3)/所述基片载具(2)距离的调整。5.根据权利要求4所述的镀膜装置，其特征在于，所述升降单元(8)包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：解传佳，张永胜，武瑞军，
申请(专利权)人：苏州迈为科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：