陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法制造方法及图纸

一种陶瓷接合体，其包括：一对陶瓷板；及电极层，介于一对陶瓷板之间，电极层埋设于一对陶瓷板中的至少一者，在电极层的外缘，一对陶瓷板中的至少一者与电极层的接合面相对于一对陶瓷板及电极层的厚度方向具有斜率。对陶瓷板及电极层的厚度方向具有斜率。对陶瓷板及电极层的厚度方向具有斜率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法。
[0002]本申请基于2020年10月21日提出申请的日本特愿2020
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176425号并主张优先权，将其内容援用于此。

技术介绍

[0003]以往，在制造IC、LSI、VLSI等半导体装置的半导体制造工序中，硅晶片等板状试样通过静电吸附而固定于包括静电卡盘功能的静电卡盘部件，并被实施规定的处理。
[0004]例如，在等离子体气氛下对该板状试样实施蚀刻处理等的情况下，由于等离子体的热而板状试样的表面成为高温，而产生表面的抗蚀剂膜裂开(破裂)等问题。
[0005]于是，为了将该板状试样的温度维持在所期望的恒定的温度，使用具有冷却功能的静电卡盘装置。这种静电卡盘装置包括：上述静电卡盘部件；及温度调整用基底部件，在金属制部件的内部形成有使温度控制用冷却介质循环的流路。静电卡盘部件与温度调整用基底部件在静电卡盘部件的下表面经由硅酮系粘接剂接合一体化。
[0006]在该静电卡盘装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种陶瓷接合体，其包括：一对陶瓷板；及电极层，介于所述一对陶瓷板之间，所述电极层埋设于所述一对陶瓷板中的至少一者，在所述电极层的外缘，所述一对陶瓷板中的至少一者与所述电极层的接合面相对于所述一对陶瓷板及所述电极层的厚度方向具有斜率。2.一种陶瓷接合体，其包括：一对陶瓷板；电极层，介于所述一对陶瓷板之间；及绝缘层，在所述一对陶瓷板之间，配置于所述电极层的周围，在所述电极层的外缘，所述电极层与所述绝缘层的接合面相对于所述一对陶瓷板、所述电极层及所述绝缘层的厚度方向具有斜率。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷接合体，其中，所述电极层由绝缘性陶瓷及导电性陶瓷构成。4.根据权利要求3所述的陶瓷接合体，其中，所述绝缘性陶瓷是选自由Al2O3、AlN、Si3N4、Y2O3、YAG、SmAlO3、MgO及SiO2组成的组中的至少1种。5.根据权利要求3或4所述的陶瓷接合体，其中，所述导电性陶瓷是选自由SiC、TiO2、TiN、TiC、W、WC、Mo、Mo2C及C组成的组中的至少1种。6.根据权利要求1至5中任一项所述的陶瓷接合体，其中，所述电极层的外缘的相对密度比所述电极层的中心的相对密度更低。7.根据权利要求1至6中任一项所述的陶瓷接合体，其中，所述一对陶瓷板的材料彼此相同。8.一种静电卡盘装置，其是将由陶...

【专利技术属性】
技术研发人员：有川纯，日高宣浩，三浦幸夫，
申请(专利权)人：住友大阪水泥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：