一种凸面靶中子管制造技术

技术编号:37972008 阅读:82 留言:0更新日期:2023-06-30 09:47
本发明专利技术公开了一种凸面靶中子管,包括磁钢环、靶片、靶体、外壳和加速电极,加速电极与靶体固连,磁钢环套设在加速电极的外侧,磁钢环靠近加速电极与靶体连接的端面;靶片设置在靶体的内部,与靶体固连;外壳套设在加速电极的外侧,外壳一端与靶体连接,另一端与离源子结构件连接,在加速电极的外侧设置了磁钢环,磁钢环还在靶片外凸球面形成了轴向散发的磁场,构成了中子管二次电子磁抑制结构,可以有效抑制二次电子,解决了二次电子会被加速电场加速形成有害的靶流,增加中子管功耗和影响工作寿命指标的问题,外凸球面靶面是梯度分布的吸氘钛膜,可提高中子管靶中氘的利用率,有助于提高中子管的中子产额指标。高中子管的中子产额指标。高中子管的中子产额指标。

【技术实现步骤摘要】
一种凸面靶中子管


[0001]本专利技术属于测井
,涉及一种凸面靶中子管。

技术介绍

[0002]现有中子管一般由绝缘外壳、潘宁离子源、加速电极和靶子构成,潘宁离子源产生氘离子,经加速后打在含氚的靶上,通过下述反应:放出约14MeV的快中子。加速的氘离子在轰击靶子时会产生溢出电子,这些次生的二次电子可能会被加速电场反向加速形成有害的靶流,增加中子管功耗,还会产生对离子源表面的轰击形成溅射。
[0003]通常中子管结构中引入磁场抑制和反向电场抑制两种二次电子抑制方式,磁场抑制的方法一般都是在靶基底外部嵌入磁钢柱,从而在靶面形成轴向分布磁场,但形成的磁场较弱,作用不明显。
[0004]现有中子管的靶面都是平面型结构,或为了增大靶面积作成凹面球形和圆锥形,这些曲面结构的靶子存在两方面问题:一是靶子在镀膜工艺处理时,受设备结构影响,在靶面上总是形成径向外圆面钛膜密度高于内圆核心处钛膜密度的分布;二是理论计算与实践都证明离子光束在靶面形成的光斑并非是密度分布均匀的圆形面积,而是呈现中心区域密度高、环状疏密间隔逐渐密度减小的分布,因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种凸面靶中子管,其特征在于,包括磁钢环(1)、靶片(2)、靶体、外壳(7)、加速电极(8)和离源子结构件(10);所述加速电极(8)与靶体固连,所述磁钢环(1)套设在加速电极(8)的外侧,磁钢环(1)靠近加速电极(8)与靶体连接的端面;所述靶片(2)设置在靶体的内部,与靶体固连;所述外壳(7)套设在加速电极(8)的外侧,外壳(7)一端与靶体连接,另一端与离源子结构件连接。2.根据权利要求1所述的一种凸面靶中子管,其特征在于,所述靶体包括靶基底(3)和连接环(4);所述连接环(4)套设在靶基底(3)的外侧,所述靶片(2)设置在靶基底(3)的内部,所述靶基底(3)与加速电极(8)连接。3.根据权利要求2所述的一种凸面靶中子管,其特征在于,所述靶基底(3)内部开设凹槽,靶片(2)镶嵌在凹槽内。4.根据权利要求1

3任一项所述的一种凸面靶中子管,其特征在于,所述靶片(2)是外凸的球面结构。5.根据权利要求4任...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘炯岳爱忠鲁保平秦爱玲李鹏贺新卫刘立蒙张晓蕾田豆
申请(专利权)人:中国石油集团测井有限公司
类型:发明
国别省市:

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