一种中子管氘氚储存器及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种中子管氘氚储存器，镍筒主体内部设有镍管，镍管上布设有通孔，镍管内外表面和镍筒主体内部侧面布设有吸氢涂层，镍筒主体与镍管之间及镍管内部布设有陶瓷管，镍筒主体和镍管底部设有密封口，密封口处设有绝缘密封陶瓷胶，陶瓷管两端分别穿过镍管底部和镍筒主体底部的绝缘密封陶瓷胶；本发明专利技术通过内部双层结构大大增加了吸氢材料对氘氚气体的存储量，且通过双层螺旋式陶瓷管的加热配合双层结构使得装置可增大吸氢材料加热面，通过控制加热电流的大小实现对氘氚气体释放量的精准控制，由合金金属镍制成的密闭式的储存器在避免了暴露储氢材料外露的同时也具备透氢的功能，保证了氘氚的析出。保证了氘氚的析出。保证了氘氚的析出。

【技术实现步骤摘要】
一种中子管氘氚储存器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及密封中子管
，尤其涉及一种中子管氘氚储存器及其制作方法。

技术介绍

[0002]密封中子管是一种相对便携的小型加速器中子源，具有中子产额高,能谱单色性好，无伽马本底等优良特性。密封中子管工作时，在离子源处施加2kV高压，在靶极处施加
‑
100kV以上高压，由吸氢热子灯丝提供管内氘氚混合气体,气压在10
‑3～10
‑1Pa范围内。
[0003]目前的中子管氘氚储存器结构简单，如说明书附图4所示为现有的氘氚储存器，结构简单导致使用时氘氚气体放气量稳定性差，波动幅度大，放气缓慢，同时储氢材料外露，致使储存器反复加热会释放杂质，导致中子管靶高压升高较难，且装置与中子管连接不够牢固，因此，本专利技术提出一种中子管氘氚储存器及其制作方法以解决现有技术中存在的问题。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本专利技术的目的在于提出一种中子管氘氚储存器及其制作方法，该中子管氘氚储存器及其制作方法通过内部双层结构大大增加了吸氢材料对氘氚气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中子管氘氚储存器，其特征在于：包括镍筒主体(1)、镍管(2)、通孔(3)、吸氢涂层(4)、陶瓷管(5)、密封口(6)和绝缘密封陶瓷胶(7)，所述镍筒主体(1)内部设有镍管(2)，所述镍管(2)上布设有通孔(3)，所述镍管(2)内外表面和镍筒主体(1)内部侧面布设有吸氢涂层(4)，所述镍筒主体(1)与镍管(2)之间及镍管(2)内部布设有陶瓷管(5)，所述镍筒主体(1)和镍管(2)底部设有密封口(6)，所述密封口(6)处设有绝缘密封陶瓷胶(7)，所述陶瓷管(5)两端分别穿过镍管(2)底部和镍筒主体(1)底部的绝缘密封陶瓷胶(7)。2.根据权利要求1所述的一种中子管氘氚储存器，其特征在于：所述陶瓷管(5)呈双层螺旋状结构设置，所述陶瓷管(5)内穿插有钨铼丝(8)，所述钨铼丝(8)一端从镍筒主体(1)下方的绝缘密封陶瓷胶(7)外侧陶瓷管(5)出口穿出并焊接在镍筒主体(1)外侧面，另一端从镍管(2)下方的绝缘密封陶瓷胶(7)外侧陶瓷管(5)出口穿出连接电源。3.根据权利要求1所述的一种中子管氘氚储存器，其特征在于：所述绝缘密封陶瓷胶(7)与密封口(6)和陶瓷管(5)密封适配，所述镍筒主体(1)与镍管(2)同轴线设置。4.根据权利要求1所述的一种中子管氘氚储存器，其特征在于：所述镍筒主体(1)上端通过连接柱设有连接导斗(9)，所述连接导斗上端设有连通管(16)。5.一种中子管氘氚储存器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、主结构成型，利用浇注成型的方法制备得到镍筒本体和镍管(2)，并在镍管(2)上均匀开设通孔(3)，并对成型后的材料进行清洗处理，得到主体结构材料；步骤二、涂层处理，在镍筒本体内部侧面及镍管(2)内外侧面涂布一层吸氢涂层(4)，得到待拼装主体；步骤三、陶瓷管(5)成型，利用熔融挤压成型的方法制备出内外双螺旋结构的陶瓷管(5)备用；步骤四、密封拼装，使用成型...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕朋，刘泉宇，彭程，罗锐，耿柯柯，钟昌霖，田文琴，阮昊，赵代崧，姚艳秋，吕敏杨，徐玉婷，黄东方，周权宝，何志平，刘芝辰，
申请(专利权)人：东华理工大学，
类型：发明
国别省市：