负高压中子源制造技术

本申请涉及中子发生器技术领域，具体提供一种负高压中子源，旨在解决现有中子源的靶系统支撑结构影响中子通量的问题。为此目的，本申请的负高压中子源包括：壳体，其内部形成有真空腔室；离子源，其设置于壳体上，用于产生离子束流，离子源的发射口位于真空腔室内；靶电极和连接于靶电极的靶，其均设置于真空腔室内；第一绝缘柱，其具有相对的第一端和第二端，第一端与壳体的内壁相连，第二端与靶电极相连，以支撑靶电极；以及电源模块，其与靶电极电连接，用于向靶电极提供负高压，以使离子束流在电场作用下轰击靶，从而产生中子。本申请减小了靶系统后端方向上的阻挡结构的体积，从而能降低绝缘材料对中子的慢化和散射作用。能降低绝缘材料对中子的慢化和散射作用。能降低绝缘材料对中子的慢化和散射作用。

【技术实现步骤摘要】
负高压中子源


[0001]本专利技术涉及中子发生器
，具体提供一种负高压中子源。

技术介绍

[0002]中子成像作为一种重要的无损检测技术，其能够实现物体深度部位的检测，并能准确区分不同元素成分，因而在航空航天、材料学、生物医学等各领域中发挥着越来越重要的作用。
[0003]中子源作为中子成像系统中的重要部分，其通过内部离子源发射的离子束流在电场作用下加速然后轰击靶而产生中子。相关技术中，靶处于高电位，多是通过具有较大体积的绝缘材料进行支撑，然而，绝缘支撑材料会对中子起到慢化和散射作用，导致有效中子的减少，从而降低中子通量。
[0004]因此，本领域需要一种新的中子源来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本申请旨在解决上述技术问题，即为了解决现有中子源靶系统支撑结构影响中子通量的问题。
[0006]本申请提供一种负高压中子源，该负高压中子源包括：
[0007]壳体，其内部形成有真空腔室；
[0008]离子源，其设置于所述壳体上，用于产生离子束流，所述离子源的发射口位于所述真空腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负高压中子源，其特征在于，包括：壳体，其内部形成有真空腔室；离子源，其设置于所述壳体上，用于产生离子束流，所述离子源的发射口位于所述真空腔室内；靶电极和连接于所述靶电极的靶，其均设置于所述真空腔室内，所述靶电极和靶的电位相同；第一绝缘柱，其具有相对的第一端和第二端，所述第一端与所述壳体的内壁相连，所述第二端与所述靶电极相连，以支撑所述靶电极；以及电源模块，其与所述靶电极电连接，用于向所述靶电极提供负高压，以使所述离子束流在电场作用下轰击所述靶，从而产生中子。2.根据权利要求1所述的负高压中子源，其特征在于，所述负高压中子源还包括：抑制电极，其包围于所述靶电极的外侧，所述电源模块还与所述抑制电极电连接，并能够向所述抑制电极提供负高压，所述抑制电极的电压不高于所述靶电极的电压；以及第二绝缘柱，其具有相对的第三端和第四端，所述第三端与所述壳体的内壁相连，所述第四端与所述抑制电极相连，以支撑所述抑制电极。3.根据权利要求2所述的负高压中子源，其特征在于，所述负高压中子源还包括：第一屏蔽环，所述第一屏蔽环包围于所述第二端，并与所述靶电极连接；和/或第二屏蔽环，所述第二屏蔽环包围于所述第四端，并与所述抑制电极连接。4.根据权利要求3所述的负高压中子源，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：中科超睿青岛技术有限公司，
类型：发明
国别省市：