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本申请涉及中子发生器技术领域，具体提供一种负高压中子源，旨在解决现有中子源的靶系统支撑结构影响中子通量的问题。为此目的，本申请的负高压中子源包括：壳体，其内部形成有真空腔室；离子源，其设置于壳体上，用于产生离子束流，离子源的发射口位于真空腔...
该专利属于中科超睿（青岛）技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中科超睿（青岛）技术有限公司授权不得商用。

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