一种低温反应熔渗制备C/C-SiC复合材料的方法技术

本发明专利技术属于陶瓷基复合材料制备技术领域，公开一种低温反应熔渗制备C/C

【技术实现步骤摘要】
一种低温反应熔渗制备C/C
‑
SiC复合材料的方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷基复合材料制备
，尤其涉及一种低温反应熔渗制备C/C
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SiC复合材料的方法。

技术介绍

[0002]碳纤维增强碳和碳化硅双基体材料(C/C
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SiC复合材料)具有低密度、高比强度、低热膨胀系数、良好的高温强度和耐磨特性以及优异的抗氧化烧蚀性能，已被广泛用于飞行器热防护系统、刹车制动系统和轻质装甲等领域。
[0003]目前，现有技术中，制备连续纤维增强C/C
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SiC复合材料的方法主要有化学气相渗透法(CVI)、前驱体浸渍裂解法(PIP)、反应熔渗法(RMI)，其中RMI法具有制备周期短、成本低、近净尺寸成形等优点，所以，现有技术中多采用RMI法制备C/C
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SiC复合材料。然而，RMI法制备温度通常高于1500℃，能耗大且对设备要求高，降低制备温度是这一材料该制备技术的重要研究方向。比如：
[0004]文献“Ceram.Int.46(2020)8469本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温反应熔渗制备C/C
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SiC复合材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，以碳纤维织物为增强体，在其表面制备一层碳保护层，获得低密度C/C复合材料；步骤2，将反应性熔盐、树脂、无水乙醇混合均匀，获得含反应性熔盐的树脂料浆；其中，所述反应性熔盐为酸性硅基反应性熔盐和酸性铝基反应性熔盐的混合物；步骤3，采用真空气压渗技术，将所述树脂浆料引入所述低密度C/C复合材料中至将所述低密度C/C复合材料浸没，随后于氮气氛围中进行碳化处理，获得含反应性熔盐的多孔C/C复合材料；步骤4，采用复合粉体对所述多孔C/C复合材料进行包埋处理，随后在真空环境下，于200～300℃进行第一次热处理，随后升温至1000～1400℃进行第二次热处理，冷却至室温后，获得所述低温反应熔渗C/C
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SiC复合材料；其中，所述复合粉体包括Si粉、Al粉和铁盐。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳保护层的质量为所述碳纤维织物的10～50wt.％；且所述碳纤维织物选自短切碳纤维毡、2.5D针刺叠层碳纤维毡和缝编2D碳纤维布中的任意一种。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性硅基反应性熔盐为K2SiF6；所述酸性铝基反应性熔盐为KAlF4、K3AlF6中的一种或两种。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性硅基反应性熔盐和酸性铝基反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯薇，刘磊，张海军，王新雨，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：发明
国别省市：