【技术实现步骤摘要】
一种混合聚碳硅烷增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法
[0001]本专利技术涉及一种混合聚碳硅烷增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法。
技术介绍
[0002]碳化硅陶瓷基复合材料具有优异的性能，在军事、航天飞行器领域均有应用。先驱体浸渍裂解法是制备碳化硅陶瓷基复合材料的常用方法，先驱体浸渍裂解法最主要的优点可以在较低温度制备，先驱体在800
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1000℃就会转化成陶瓷材料。先驱体浸渍裂解法工艺主要包括先驱体的合成、不熔化处理(交联)以及高温热解。先驱体的合成常用的方法是将固态聚碳硅烷溶于二甲苯二乙烯基苯等有机溶剂来制备，大量使用二甲苯或二乙烯基苯等有害溶剂溶解固态聚碳硅烷，对人体产生伤害，有机溶剂在热解过程中挥发，不利于孔隙率的降低，陶瓷产率低。此外，现有碳化硅陶瓷基复合材料制备工艺中，制备周期相对较长、成本相对较高，产品的孔隙率相对较高，产率相对较低。
[0003]鉴于此，本案专利技术人对上述问题进行深入研究，遂有本案产生。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种能够提...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种混合聚碳硅烷增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，包括先驱体的制备工序、纤维预制体制备工序以及PIP法制作陶瓷基复合材料工序，其特征在于：所述先驱体的制备工序是将固态聚碳硅烷打磨至粒径小于75um，将固态聚碳硅烷溶解于液态聚碳硅烷中形成先驱体液体，固态聚碳硅烷与液态聚碳硅烷的质量比为1:2
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1:1；所述PIP法制作陶瓷基复合材料工序是将所述纤维预制体制备工序制作的纤维预制体在真空浸渍炉中浸渍先驱体液体，将浸渍后的纤维预制体在惰性气体氛围下进行电子束辐照，将辐照后的纤维预制体在惰性气体氛围中进行预处理，预处理温度在405℃至415℃，保温6至8小时，之后，放入高温炉中升温至1240℃至1260℃进行固化热解，经过循环浸渍和固化热解，直到纤维预制体重量增加小于1％。2.如权利要求1所述的一种混合聚碳硅烷增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于：所述固态聚碳硅烷与所述液态聚碳硅烷的质量比为1:1。3.如权利要求2所述的一种混合聚碳硅烷增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于：所述纤维预制体制备工序是以第三代连...
【专利技术属性】
技术研发人员：出腾龙，张燕真，黄祥贤，庄佳慧，蔡武集，崔冰峡，汪涵，郑真锋，武安娜，
申请(专利权)人：福建立亚新材有限公司，
类型：发明
国别省市：
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