DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置制造方法及图纸

一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置，所述DRAM的存储区域包括若干个块组BlockGroup，每个块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct，每个块Block均拥有行冗余资源Rt，该方法包括检测得到所有故障点的分布地图；对每个块Block内故障点按关联关系分成若干个故障点组FailGroup，并计算求得每一个故障点组FailGroup的解空间；依次对所有故障点组FailGroup的解空间进行排列组合并寻找一个解，其以Rt个行冗余资源为限，使用尽可能多的块Block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源Cmin；将M个块Block的最小共享列冗余资源Cmin找到后，在块组BlockGroup层面做统计求和，如果M个块Block的Cmin的总数少于等于Ct，确定块组BlockGroup即可修复。因此，本发明专利技术优化了冗余资源使用策略。优化了冗余资源使用策略。优化了冗余资源使用策略。

【技术实现步骤摘要】
DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置


[0001]本专利技术属于集成电路(IC)自动测试机(Automatic Test Equipment，简称ATE)
，涉及一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置。

技术介绍

[0002]DRAM芯片在制造过程中，存储单元不可避免的会出现故障，因此需要在主存储区域外围布置了冗余资源，在测试环节测到故障点后用冗余资源进行替换，这个替换方案的寻找称为冗余分析，本专利技术即应用于这个冗余分析环节。
[0003]当前业界的冗余资源布局有多种设计，传统的布局有：所述DRAM冗余资源布局为所述DRAM的主存储区域由若干个区域组成，每个所述区域包括N个块组BlockGroup，每一个所述块组BlockGroup包括M个块Block，每一个所述块Block均拥有若干个行冗余资源Rt，以及若干个列冗余资源Ct；这种形式在电路设计上较为简单，在算法实现上也较为简单；然而，上述冗余资源控制电路占用晶圆面积较大，在成本上不占优势。
[0004]目前最新的布局方式为，一个块组BlockGroup共享若干个列冗余资源，每一个块Block拥有若干个独享的行冗余资源，，这种布局和传统布局在块Block内故障点的数学建模上基本一致，但在求解时差异较大：
[0005]①
、故障点的数学建模，都采用稀疏矩阵方式，将故障点的行和列作为一个节点，存入稀疏矩阵；
[0006]②
、故障矩阵内对节点进行分组，有相同行地址或列地址的节点都归为一组，形成若干个故障点组FailGroup；
[0007]③
、对各个故障点组FailGroup进行求解，根据其占用的最大行数Rm和最大列数Cm，找到其解空间，即{R1Cx、R2Cx
……
RmCx}，这里RiCx指的是该故障点组在占用Ri个行冗余线后，最少还需要Cx个列冗余线才能对其进行覆盖。
[0008]④
、对应传统布局的块，根据各个故障点组FailGroup的解空间，来寻找一个解决方案，以满足整个块Block的行冗余资源总数Rt和列冗余资源总数Ct限制，以图1为例：
[0009]对于上述布局，可以在每个故障点组FailGroup的解空间里各找一个解，拿出来进行排列组合，找到任何一个组合满足块的行冗余资源总数Rt和列冗余资源总数Ct限制，即可以作为块Block的解。如图1所示，FailGroup1的R2C0+FailGroup2的R1C1+FailGroup3的R1C0＝R4C1，不超过块Block的行冗余资源总数Rt和列冗余资源总数Ct限制，可以作为块Block的解。
[0010]⑤
、但是对于最新布局，块Block内只有行冗余资源总数Rt，列冗余资源是在块组BlockGroup内的所有块Block共享的，所以块Block没有列冗余资源总数Ct，上述方法不能适用，需要找到新的策略。

技术实现思路

[0011]为解决的上述技术问题，本专利技术提出一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方
法，其提出的资源分配策略，解决DRAM的冗余资源布局中的优化分配。
[0012]为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0013]一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法，所述DRAM的主存储区域由若干个区域组成，每个所述区域包括N个块组BlockGroup，每一个所述块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct，每一个块Block均拥有行冗余资源Rt，其包括如下步骤：
[0014]步骤S1：对所述DRAM的主存储区域进行检测，得到每一个所述DRAM的存储区域所有故障点的分布地图；
[0015]步骤S2：将所有所述故障点的行和列分别作为一个节点，存入稀疏矩阵，即采用稀疏矩阵方式对所有所述故障点的分布地图进行数学建模，对每一个块Block内故障点按关联关系分成若干个故障点组FailGroup，计算求得每一个故障点组FailGroup的解空间；其中，所述解空间包括任何一个组合满足块的RxCy资源组合来修复限制的解，R为行冗余资源，x为行的个数，C为共享列冗余资源，y为列的个数；
[0016]步骤S3：依次对每一个故障点组FailGroup的解空间进行排列组合，并寻找一个解，所述解为以每一个块Block的行冗余资源Rt为限，使用尽可能多的块Block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源Cmin；
[0017]步骤S4：将M个所述块Block的最小共享列冗余资源Cmin找到后，在所述块组BlockGroup层面做统计求和，如果M个所述块Block的最小共享列冗余资源Cmin的总数少于等于所述块组BlockGroup的冗余资源总数Ct，确定所述块组BlockGroup即可修复，否则，确定所述块组BlockGroup不可修复。
[0018]为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0019]一种实现上述修复策略产生方法的DRAM冗余资源布局下的修复装置，所述DRAM冗余资源布局包括至少一个所述DRAM的存储区域，每个所述区域包括N个块组BlockGroup，每一个所述块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct，每一个所述块Block均拥有行冗余资源Rt，其包括：
[0020]检测模块，对所述DRAM的主存储区域进行检测，得到每一个所述DRAM的存储区域所有故障点的分布地图；
[0021]解空间产生模块，用于将所有所述故障点的行和列分别作为一个节点，存入稀疏矩阵，即采用稀疏矩阵方式对所有所述故障点的分布地图进行数学建模，计算并得到每一个所述故障点组FailGroup的解空间；其中，所述解空间包括任何一个组合满足块的RxCy资源组合来修复限制的解，R为行冗余资源，x为行的个数，C为共享列冗余资源，y为列的个数；
[0022]解选择模块，用于依次对每一个所述故障点组FailGroup解空间进行排列组合，并寻找一个解，所述解为以每一个块Block的行冗余资源Rt为限，使用尽可能多的块Block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源Cmin；
[0023]修复判断模块，用于将M个所述块Block的最小共享列冗余资源Cmin找到后，在所述块组BlockGroup层面做统计求和，如果M个所述块Block的最小共享列冗余资源Cmin的总数少于等于所述块组BlockGroup的冗余资源总数Ct，确定所述块组BlockGroup即可修复，否则，确定所述块组BlockGroup不可修复。
[0024]从上述技术方案可以看出，本专利技术实施例中的DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置，在块Block内只有行冗余资源总数Rt，没有列冗余资源总数Ct，其列
冗余资源是在块组BlockGroup之间共享的情况下，可以满足整个块Block的行冗余资源总数Rt和列冗余资源总数Ct限制，优化了冗余资源使用策略。
附图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法，所述DRAM冗余资源布局包括至少一个所述DRAM的存储区域，每个所述存储区域包括N个块组BlockGroup，每一个所述块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct，每一个所述块Block均拥有行冗余资源Rt，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：对所述DRAM的主存储区域进行检测，得到每一个所述DRAM的存储区域所有故障点的分布地图；步骤S2：将所有所述故障点的行和列分别作为一个节点，存入稀疏矩阵，即采用稀疏矩阵方式对所有所述故障点的分布地图进行数学建模，对每一个块Block内故障点按关联关系分成若干个故障点组FailGroup，计算求得每一个故障点组FailGroup的解空间；其中，所述解空间包括任何一个组合满足块Block的RxCy资源组合来修复限制的解，R为行冗余资源，x为行的个数，C为共享列冗余资源，y为列的个数；步骤S3：依次对每一个故障点组FailGroup的解空间进行排列组合，并寻找一个解，所述解为以每一个块Block的行冗余资源Rt为限，使用尽可能多的块Block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源Cmin；步骤S4：将M个所述块Block的最小共享列冗余资源Cmin找到后，在所述块组BlockGroup层面做统计求和，如果M个所述块Block的最小共享列冗余资源Cmin的总数少于等于所述块组BlockGroup的冗余资源总数Ct，确定所述块组BlockGroup即可修复，否则，确定所述块组BlockGroup不可修复。2.一种实现权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：马军，胡婷婷，胡汉周，
申请(专利权)人：上海御渡半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：