DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置制造方法及图纸

一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置，所述DRAM的存储区域包括若干个块组BlockGroup，每个块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct，每个块Block均拥有行冗余资源Rt，该方法包括检测得到所有故障点的分布地图；对每个块Block内故障点按关联关系分成若干个故障点组FailGroup，并计算求得每一个故障点组FailGroup的解空间；依次对所有故障点组FailGroup的解空间进行排列组合并寻找一个解，其以Rt个行冗余资源为限，使用尽可能多的块Block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源Cmin；将M个块Block的最小共享列冗余资源Cmin找到后，在块组BlockGroup层面做统计求和，如果M个块Block的Cmin的总数少于等于Ct，确定块组BlockGroup即可修复。因此，本发明专利技术优化了冗余资源使用策略。优化了冗余资源使用策略。优化了冗余资源使用策略。

【技术实现步骤摘要】
DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置


[0001]本专利技术属于集成电路(IC)自动测试机(Automatic Test Equipment，简称ATE)
，涉及一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置。

技术介绍

[0002]DRAM芯片在制造过程中，存储单元不可避免的会出现故障，因此需要在主存储区域外围布置了冗余资源，在测试环节测到故障点后用冗余资源进行替换，这个替换方案的寻找称为冗余分析，本专利技术即应用于这个冗余分析环节。
[0003]当前业界的冗余资源布局有多种设计，传统的布局有：所述DRAM冗余资源布局为所述DRAM的主存储区域由若干个区域组成，每个所述区域包括N个块组BlockGroup，每一个所述块组BlockGroup包括M个块Block，每一个所述块Block均拥有若干个行冗余资源Rt，以及若干个列冗余资源Ct；这种形式在电路设计上较为简单，在算法实现上也较为简单；然而，上述冗余资源控制电路占用晶圆面积较大，在成本上不占优势。
[0004]目前最新的布局方式为，一个块组B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法，所述DRAM冗余资源布局包括至少一个所述DRAM的存储区域，每个所述存储区域包括N个块组BlockGroup，每一个所述块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct，每一个所述块Block均拥有行冗余资源Rt，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：对所述DRAM的主存储区域进行检测，得到每一个所述DRAM的存储区域所有故障点的分布地图；步骤S2：将所有所述故障点的行和列分别作为一个节点，存入稀疏矩阵，即采用稀疏矩阵方式对所有所述故障点的分布地图进行数学建模，对每一个块Block内故障点按关联关系分成若干个故障点组FailGroup，计算求得每一个故障点组FailGroup的解空间；其中，所述解空间包括任何一个组合满足块Block的RxCy资源组合来修复限制的解，R为行冗余资源，x为行的个数，C为共享列冗余资源，y为列的个数；步骤S3：依次对每一个故障点组FailGroup的解空间进行排列组合，并寻找一个解，所述解为以每一个块Block的行冗余资源Rt为限，使用尽可能多的块Block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源Cmin；步骤S4：将M个所述块Block的最小共享列冗余资源Cmin找到后，在所述块组BlockGroup层面做统计求和，如果M个所述块Block的最小共享列冗余资源Cmin的总数少于等于所述块组BlockGroup的冗余资源总数Ct，确定所述块组BlockGroup即可修复，否则，确定所述块组BlockGroup不可修复。2.一种实现权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：马军，胡婷婷，胡汉周，
申请(专利权)人：上海御渡半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：