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一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置,所述DRAM的存储区域包括若干个块组BlockGroup,每个块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct,每个块Block均拥有行冗余资源Rt,该方法包括检...该专利属于上海御渡半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海御渡半导体科技有限公司授权不得商用。
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一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置,所述DRAM的存储区域包括若干个块组BlockGroup,每个块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct,每个块Block均拥有行冗余资源Rt,该方法包括检...