两相共连续型二氧化硅结构体及其制造方法技术

一种两相共连续型二氧化硅结构体，其由以二氧化硅作为主成分的相和空气相组成，该二氧化硅的化学键由Q4键构成，钼的含量相对于前述两相共连续型二氧化硅结构体的总量为2.0质量％以下，前述以二氧化硅作为主成分的相为非晶。晶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】两相共连续型二氧化硅结构体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及两相共连续型二氧化硅结构体和该结构体的制造方法。
[0002]本申请基于2020年10月9日在日本申请的国际申请第PCT/JP2020/038234号而要求优先权，并将其内容援引至此。

技术介绍

[0003]大孔材料、介孔材料之类的多孔材料具有多种用途，在吸附材料、分离材料、催化剂载体、树脂填料、电池的电极材料、固体电解质等广泛的工业区域中加以利用。尤其是，在物质的扩散、运输方面，出于细孔内的化学修饰等要求，作为多孔材料，三维网络的骨架与空腔隧道(贯通孔)发生贯通，且基质材料与空气这两相彼此形成连续相的网络状共连续结构体作为下一代的多孔材料而备受关注，可期待其在高功能材料中的应用。
[0004]从这种背景出发，将二氧化硅作为多孔共连续结构体的骨架的合成备受关注，所述二氧化硅原本为具有优异的耐热性和耐化学药品性等的无机材料。作为单纯的方法，已知例如下述方法：通过将无水硅酸与无机盐的混合物加热至无机盐的熔点以上，从而形成基于亚稳态分解的共连续结构体，并去除无机盐，由此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种两相共连续型二氧化硅结构体，其由以二氧化硅作为主成分的相和空气相组成，该二氧化硅的化学键由Q4键构成，相对于所述两相共连续型二氧化硅结构体的总量而言的钼的含量为2.0质量％以下，所述以二氧化硅作为主成分的相为非晶。2.根据权利要求1所述的两相共连续型二氧化硅结构体，其中，相对于所述两相共连续型二氧化硅结构体的原料的总量而言的钼化合物的含量为15质量％以下。3.根据权利要求1或2所述的两相共连续型二氧化硅结构体，其中，所述空气相的直径为10～1000nm的范围。4.根据权利要求1～3中任一项所述的两相共连续型二氧化硅结构体，其中，所述以二氧化硅作为主成分的相由粗度为5～1000nm范围的纳米线形成。5.根据权利要求1～4中任一项所述的两相共连续型二氧化硅结构体，其中，所述两相共连续型二氧化硅结构体的比表面积为0.1～200m...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边孝典，土肥知树，袁建军，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：