一种带隙基准电路制造技术

本发明专利技术公开了一种带隙基准电路，包括：启动电路，与外部电源连接，用于产生启动电流；多阶温度补偿电路，与外部电源连接，包括多个级联的温度补偿电路；基准电路，包括产生电路以及调节输出电路，所述产生电路与启动电路连接，以在启动电流的作用下工作，并将根据外部电源产生的第一输出电压传输至多阶温度补偿电路，以使得多个级联的温度补偿电路对第一输出电压进行补偿，所述调节输出电路与多阶温度补偿电路连接，以根据补偿后的第一输出电压输出基准电压。本发明专利技术带隙基准电路中通过多个温度补偿电路级联，可实现多段补偿，从而可提高调节输出电路输出的基准电压的精度。调节输出电路输出的基准电压的精度。调节输出电路输出的基准电压的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种带隙基准电路


[0001]本专利技术涉及集成电路设计领域，更具体地涉及一种带隙基准电路。

技术介绍

[0002]带隙基准电路被广泛应用于模拟电路中，主要用于为电源管理芯片和数据调节输出电路提供基准电压。在实际应用中，一些系统对基准电压的精度有较高的要求，而传统的带隙基准电路无法对三极管本身具有的负温电压中的对数项进行补偿，限制了基准电压的精度。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种可提高基准电压精度的带隙基准电路。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种带隙基准电路，包括：启动电路，与外部电源连接，用于产生启动电流；多阶温度补偿电路，与外部电源连接，包括多个级联的温度补偿电路；基准电路，包括产生电路以及调节输出电路，所述产生电路与启动电路连接，以在启动电流的作用下工作，并将根据外部电源产生的第一输出电压传输至多阶温度补偿电路，以使得多个级联的温度补偿电路对第一输出电压进行补偿，所述调节输出电路与多阶温度补偿电路连接，以根据补偿后的第一输出电压输出基准电压。
[0005]其进一步技术方案为：每一所述温度补偿电路包括第九电容、第十PMOS管、第十一PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管、第二十六PMOS管、第九三极管、第十三极管和第六NMOS管；其中，所述第十PMOS管、第十一PMOS管、第二十PMOS管及第二十一PMOS管的源极均连接外部电源，所述第九三极管的基极连接第十三极管的基极和第二十PMOS管的漏极，所述第二十一PMOS管的栅极和源极连接，并连接第二十PMOS管的栅极和第二十六PMOS管的源极，所述第九三极管和第十三极管的集电极分别连接第十PMOS管和第十一PMOS管的漏极，该第十PMOS管和第十一PMOS管的栅极均连接基准电路，所述第十三极管的集电极还连接所述第二十六PMOS管的栅极，所述第九三极管的发射极通过第六NMOS管接地，且该第九三极管的发射极作为所述温度补偿电路的输出端，所述第九电容的一端连接第六NMOS管的栅极和第九三极管的集电极，所述第九电容的另一端、第十三极管的发射极和第二十六PMOS管的漏极作为所述温度补偿电路的输入端，用于连接基准电路或另一温度补偿电路的输出端。
[0006]其进一步技术方案为：所述温度补偿电路还包括第五电容，所述第五电容的两端分别连接于第十三极管的基极和集电极。
[0007]其进一步技术方案为：所述多阶温度补偿电路包括第一温度补偿电路、第二温度补偿电路以及第三温度补偿电路共三个温度补偿电路，所述第一温度补偿电路、第二温度补偿电路以及第三温度补偿电路结构相同，且所述第一温度补偿电路中的输入端连接基准
电路，其输出端连接第二温度补偿电路的输入端，以使得第二温度补偿电路对经过第一温度补偿电路补偿后的第一输出电压进行补偿，该第二温度补偿电路的输出端连接第三温度补偿电路的输入端，所述第三温度补偿电路的输出端连接调节输出电路，以将经过三次补偿处理的第一输出电压输入至调节输出电路。
[0008]其进一步技术方案为：所述启动电路包括PMOS管、第一PMOS管、NMOS管以及二极管，所述NMOS管的栅极和漏极连接，并连接PMOS管的栅极、二极管的正极以及第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管和PMOS管的源极以及二极管的负极连接外部电源，所述第一PMOS管和PMOS管的漏极连接产生电路，所述NMOS管的源极通过一第一电阻接地。
[0009]其进一步技术方案为：所述启动电路包括多个PMOS管、多个NMOS管、一二极管、一第一PMOS管以及一第一电阻，多个所述PMOS管依次串联连接后的源极和漏极分别连接外部电源和产生电路，多个所述NMOS管依次串联连接后的漏极连接所述二极管的正极、第一PMOS管的漏极和多个所述PMOS管的栅极，且每一所述NMOS管的栅极连接其漏极，多个所述NMOS管依次串联连接后的源极通过第一电阻接地，所述第一PMOS管的源极和二极管的负极连接外部电源，该第一PMOS管的栅极连接产生电路。
[0010]其进一步技术方案为：所述产生电路包括第二PMOS管、第三PMOS管、第一三极管、第二三极管、第十二PMOS管、第十三PMOS管以及第二十二PMOS管；其中，所述第二PMOS管、第三PMOS管、第十二PMOS管以及第十三PMOS管的源极均连接外部电源，所述第一三极管的基极连接启动电路、第二三极管的基极和第十二PMOS管的漏极，所述第十三PMOS管的栅极和源极连接，并连接第十二PMOS管的栅极和第二十二PMOS管的源极，所述第一三极管和第二三极管的集电极分别连接第二PMOS管和第三PMOS管的漏极，该第二PMOS管的栅极还和漏极连接，并连接启动电路和第三PMOS管的栅极，所述第二三极管的集电极还连接第二十二PMOS管的栅极，所述第一三极管的发射极通过一第二电阻接地，且该第一三极管的发射极作为产生电路的输出端，连接多阶温度补偿电路，以输出第一输出电压至多阶温度补偿电路，所述第二三极管的发射极和第二十二PMOS管的漏极均接地。
[0011]其进一步技术方案为：所述产生电路还包括第一电容和第三电阻，所述第一电容的一端连接第一三极管的基极、第十二PMOS管的漏极以及第三电阻，该第一电容和第三电阻的另一端分别连接第二三极管的集电极和基极。
[0012]其进一步技术方案为：所述调节输出电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第三三极管、第四三极管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第二十三PMOS管、第五电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第七电阻以及第八电阻；其中，所述第四PMOS管、第五PMOS管、第十四PMOS管以及第十五PMOS管的源极均连接外部电源，所述第三三极管的基极连接第四三极管的基极、第十四PMOS管的漏极、第三NMOS管的栅极和第五电阻的一端，所述第十五PMOS管的栅极和源极连接，并连接第十四PMOS管的栅极和第二十三PMOS管的源极，所述第三三极管和第四三极管的集电极分别连接第四PMOS管和第五PMOS管的漏极，该第四PMOS管的栅极还和漏极连接，并连接启动电路和第五PMOS管的栅极，所述第二三极管的集电极还连接第二十三PMOS管的栅极，所述第一NMOS管的栅极和漏极连接，且连接第五电阻的另一端，所述第二NMOS管的栅极和漏极连接，并连接第一NMOS管的源极，且作为调节输出电路的输出端，以输出基准电压，所述第三三极管和第四三极管的发射极分别连接第七电阻和第三NMOS管的漏极，且该第四三极管的发射
极作为调节输出电路的输入端，连接多阶温度补偿电路，所述第三NMOS管和第二NMOS管的源极以及第七电阻的另一端均连接第八电阻，所述第八电阻的另一端接地。
[0013]其进一步技术方案为：所述调节输出电路还包括第四电阻、第六电阻、第二电容、第六电容以及第七NMOS管，所述第四电阻和第六电阻均连接第三三极管和第四三极管的基极，该第四电阻的另一端通过所述第二电容连接第四三极管的集电极，所述第六电阻的另一端通过第六电容连接第二NMOS管的源极和第八本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：启动电路，与外部电源连接，用于产生启动电流；多阶温度补偿电路，与外部电源连接，包括多个级联的温度补偿电路；基准电路，包括产生电路以及调节输出电路，所述产生电路与启动电路连接，以在启动电流的作用下工作，并将根据外部电源产生的第一输出电压传输至多阶温度补偿电路，以使得多个级联的温度补偿电路对第一输出电压进行补偿，所述调节输出电路与多阶温度补偿电路连接，以根据补偿后的第一输出电压输出基准电压。2.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于：每一所述温度补偿电路包括第九电容、第十PMOS管、第十一PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管、第二十六PMOS管、第九三极管、第十三极管和第六NMOS管；其中，所述第十PMOS管、第十一PMOS管、第二十PMOS管及第二十一PMOS管的源极均连接外部电源，所述第九三极管的基极连接第十三极管的基极和第二十PMOS管的漏极，所述第二十一PMOS管的栅极和源极连接，并连接第二十PMOS管的栅极和第二十六PMOS管的源极，所述第九三极管和第十三极管的集电极分别连接第十PMOS管和第十一PMOS管的漏极，该第十PMOS管和第十一PMOS管的栅极均连接基准电路，所述第十三极管的集电极还连接所述第二十六PMOS管的栅极，所述第九三极管的发射极通过第六NMOS管接地，且该第九三极管的发射极作为所述温度补偿电路的输出端，所述第九电容的一端连接第六NMOS管的栅极和第九三极管的集电极，所述第九电容的另一端、第十三极管的发射极和第二十六PMOS管的漏极作为所述温度补偿电路的输入端，用于连接基准电路或另一温度补偿电路的输出端。3.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于：所述温度补偿电路还包括第五电容，所述第五电容的两端分别连接于第十三极管的基极和集电极。4.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于：所述多阶温度补偿电路包括第一温度补偿电路、第二温度补偿电路以及第三温度补偿电路共三个温度补偿电路，所述第一温度补偿电路、第二温度补偿电路以及第三温度补偿电路结构相同，且所述第一温度补偿电路中的输入端连接基准电路，其输出端连接第二温度补偿电路的输入端，以使得第二温度补偿电路对经过第一温度补偿电路补偿后的第一输出电压进行补偿，该第二温度补偿电路的输出端连接第三温度补偿电路的输入端，所述第三温度补偿电路的输出端连接调节输出电路，以将经过三次补偿处理的第一输出电压输入至调节输出电路。5.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于：所述启动电路包括PMOS管、第一PMOS管、NMOS管以及二极管，所述NMOS管的栅极和漏极连接，并连接PMOS管的栅极、二极管的正极以及第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管和PMOS管的源极以及二极管的负极连接外部电源，所述第一PMOS管和PMOS管的漏极连接产生电路，所述NMOS管的源极通过一第一电阻接地。6.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于：所述启动电路包括多个PMOS管、多个NMOS管、一二极管、一第一PMOS管以及一第一电阻，多个所述PMOS管依次串联连接后的源极和漏极分别连接外部电源和产生电路，多个所述NMOS管依次串联连接后的漏极连接所述二极管的正极、第一PMOS管的漏极和多个所述PMOS管的栅极，且每一所述NMOS管的栅极连接其漏极，多个所述NMOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：来新泉，李虎越，王宇恒，李文岑，李继生，
申请(专利权)人：西安水木芯邦半导体设计有限公司，
类型：发明
国别省市：