【技术实现步骤摘要】
一种集成电路蚀刻引线框架退银工艺用引线框架传送装置
[0001]本专利技术涉及引线框架
,更具体地说是一种集成电路蚀刻引线框架退银工艺用引线框架传送装置。
技术介绍
[0002]引线框架是集成电路的重要组成部分,在其中作为芯片的载体,常见的引线框架都是由铜合金制成,在生产引线框架的过程中,需要通过蚀刻的方式,移出其表面相应位置的材料,以此加工出相应的图案,并且有一部分引线框架需要在加工过程中在其表面镀上一层银。
[0003]银是一种贵金属,因此引线框架镀银的成本较高,在镀银的过程中,极易出现银层过厚的现象,为了避免银层过厚而增加加工成本,需要通过退银工艺去除其表面多余的银层。
[0004]所谓退银,就是将银层较厚的引线框架通过传送装置导入相应的溶液中,并将溶液和引线框架通电,以电解的方式,溶解一部分多余的银层,或者直接通过酸性或碱性溶液将银层进行溶解。在退银的过程中,传送装置十分重要,它负责将引线框架放入溶液并在退银后将其取出。
[0005]在引线框架经过溶液中以后,引线框架表面会粘有溶液,当引线框架随着传送装置移动的过程中,溶液难免会沾染到传送装置,这会增加溶液的损耗,并且沾染到传送装置上的溶液极易对传送装置产生腐蚀作用。
[0006]引线框架在未进行切割前,一般为带状,绕设在相应的收纳盘上,传送装置在退银的过程中拉动其移动,由于引线框架十分轻薄,引线框架受到的拉力一旦过大,极易导致引线框架发生变形。
技术实现思路
[0007]为了克服现有技术的上述缺陷,本专利 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成电路蚀刻引线框架退银工艺用引线框架传送装置,包括底座(1)及用于盛放退银溶液的退银槽(2),其特征在于:所述底座(1)内部设有两个内轴(41),所述内轴(41)两端分别与退银槽(2)前后两侧内壁通过轴承活动连接,所述内轴(41)外表面固定设有起到吸附作用的海绵套(28),两个所述海绵套(28)外表面相接触,所述退银槽(2)前后两侧内壁上均设有滑块(40)并与滑块(40)通过滑轨活动连接,两个所述内轴(41)底部均设有用于挤压海绵套(28)的挤压滚筒(25),所述挤压滚筒(25)两端分别与两个滑块(40)通过轴承活动连接,两个所述挤压滚筒(25)分别与两个海绵套(28)紧密接触;所述滑块(40)上固定设有连接片(18),所述退银槽(2)前后两侧均开设有滑槽(19),两个所述连接片(18)分别通过两个滑槽(19)延伸至退银槽(2)外部,所述连接片(18)一端固定设有滑座(22),所述退银槽(2)前后两侧均固定设有固定块(29),所述固定块(29)顶端设有用于调节挤压滚筒(25)挤压力度的调节杆(21)并与调节杆(21)一端通过轴承活动连接,两个所述滑座(22)分别套设在两个调节杆(21)外表面并与调节杆(21)通过螺纹连接,所述调节杆(21)另一端固定设有旋钮(20)。2.根据权利要求1所述的集成电路蚀刻引线框架退银工艺用引线框架传送装置,其特征在于:所述底座(1)顶端固定设有固定架(7),所述固定架(7)内部设有两个中空板(26),所述中空板(26)两端分别与固定架(7)前后两侧内壁固定连接,顶部的所述中空板(26)底端和底部的所述中空板(26)顶端均开设有多个用于空气流通的通风孔(42),所述中空板(26)前端固定设有用于传导空气的导气管(43);所述固定架(7)前侧固定设有风扇筒(3),所述导气管(43)一端与风扇筒(3)相连接,所述风扇筒(3)内部设有用于驱动空气流动的风扇(44),所述风扇(44)外壁与风扇筒(3)内壁固定连接,所述风扇筒(3)前侧设有起到过滤作用的滤网(45),所述滤网(45)外侧固定设有边框(46),所述边框(46)与风扇筒(3)一端相连接。3.根据权利要求2所述的集成电路蚀刻引线框架退银工艺用引线框架传送装置,其特征在于:所述固定架(7)内部设有起到导向作用的导向滚筒(27),所述导向滚筒(27)两端分别与固定架(7)前后两侧内壁通过轴承活动连接,所述导向滚筒(27)设在中空板(26)一侧;所述中空板(26)另一侧设有下滚筒(4),所述下滚筒(4)两端分别与固定架(7)前后两侧内壁通过轴承活动连接,所述下滚筒(4)顶部设有套筒轴(50),所述套筒轴(50)两端分别与固定架(7)前后两侧内壁通过轴承活动连接,所述固定架(7)后侧固定设有用于驱动引线框架的电机(6),所述套筒轴(50)一端延伸至固定架(7)后侧并与电机(6)的输出轴固定连接;所述套筒轴(50)外表面套设有套筒(5),所述套筒(5)和下滚筒(4)的外表面均固定设有用于防滑的防滑软垫(47),两个所述防滑软垫(47)外表面相接触,所述套筒(5)两端均固定设有扭簧(48),所述扭簧(48)设在套筒轴(50)外表面,所述扭簧(48)一端固定设有固定片(49),所述固定片(49)固定设在套筒轴(50)一端。4.根据权利要求3所述的集成电路蚀刻引线框架退银工艺用引线框架传送装置,其特征在于:所述套筒轴(50)外表面镶嵌有第一电极片(51),所述套筒(5)内壁上镶嵌有第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗小平,郑建国,
申请(专利权)人:崇辉半导体深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:
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