一种集成电路引线框架半蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种集成电路引线框架半蚀刻装置，具体涉及半导体加工技术领域，针对引线框架在化学蚀刻时，由于采用干膜显影方式进行部分区域保护，易出现曝光偏位或显影过度或显影不净的问题，导致产品外引脚蚀刻不良的问题，现提出如下方案，其包括支撑架，所述支撑架的截面呈U型设置，所述支撑架的顶端固定安装有支撑箱，所述支撑架的顶部水平段底端通过柱体固定安装有中空管，所述中空管上安装有多个呈阵列分布的喷头，所述支撑箱与中空管之间设置引流组件，所述支撑架的竖直段一侧固定安装有限位架，所述限位架的截面呈U型设置。本实用新型专利技术结构新颖，提高了化学蚀刻的效率和效果，适宜推广。适宜推广。适宜推广。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路引线框架半蚀刻装置


[0001]本技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种集成电路引线框架半蚀刻装置。

技术介绍

[0002]引线框架是集成电路的芯片载体，是一种借助键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。引线框架生产需要先选取铜材基板，进行水洗除尘的表面清洗将油膜涂布或者压膜在铜材质上面，接着通过光聚合反应将菲林上面需要蚀刻的引线框架转移到基材上，显影后，通过蚀刻机用蚀刻液对铜材进行腐蚀，有感光油膜或者干膜的保护，将引线框架线路、图形进行腐蚀成型，最后通过褪墨机褪除铜材上的油墨。
[0003]引线框架在化学蚀刻时，由于采用干膜显影方式进行部分区域保护，易出现曝光偏位或显影过度或显影不净的问题，导致产品外引脚蚀刻不良。因此，为了解决此类问题，我们提出一种集成电路引线框架半蚀刻装置。

技术实现思路

[0004]本技术提出的一种集成电路引线框架半蚀刻装置，解决了引线框架在化学蚀刻时，由于采用干膜显影方式进行部分区域保护，易出现曝光偏位或显影过度或显影不净的问题，导致产品外引脚蚀刻不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路引线框架半蚀刻装置，包括支撑架(1)，其特征在于，所述支撑架(1)的截面呈U型设置，所述支撑架(1)的顶端固定安装有支撑箱(2)，所述支撑架(1)的顶部水平段底端通过柱体固定安装有中空管(3)，所述中空管(3)上安装有多个呈阵列分布的喷头(4)，所述支撑箱(2)与中空管(3)之间设置引流组件，所述支撑架(1)的竖直段一侧固定安装有限位架(7)，所述限位架(7)的截面呈U型设置，所述限位架(7)的相向两侧之间固定安装有两个呈对称设置的支撑柱(8)，两个所述支撑柱(8)之间滑动套接有两个呈对称设置的滑块(9)，所述限位架(7)上设置有驱动滑块(9)移动的驱动组件，位于上方的所述滑块(9)远离限位架(7)的一端固定安装有承载架(13)，所述承载架(13)的内壁固定安装有盖板(14)，位于下方的所述滑块(9)远离限位架(7)的一端固定安装有承载块(15)，所述承载块(15)的顶端开设有凹槽，所述承载块(15)的凹槽内设置有缓冲组件。2.根据权利要求1所述的集成电路引线框架半蚀刻装置，其特征在于，所述引流组件包括泵体(5)，所述泵体(5)固定安装于支撑架(1)的顶端，所述泵体(5)的输入口通过软管与支撑箱(2)呈连通设置，所述泵体(5)的输出口通过软管与中空管(3)呈连通设置。3.根据权利要求2所述的集成电路引线框架半蚀刻装置，其特征在于，所述支撑箱(2)的一侧表面固定安装有PLC控制器(6)...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗小平，郑建国，
申请(专利权)人：崇辉半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：