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本实用新型公开了一种集成电路引线框架半蚀刻装置,具体涉及半导体加工技术领域,针对引线框架在化学蚀刻时,由于采用干膜显影方式进行部分区域保护,易出现曝光偏位或显影过度或显影不净的问题,导致产品外引脚蚀刻不良的问题,现提出如下方案,其包括支撑架...该专利属于崇辉半导体(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过崇辉半导体(深圳)有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种集成电路引线框架半蚀刻装置,具体涉及半导体加工技术领域,针对引线框架在化学蚀刻时,由于采用干膜显影方式进行部分区域保护,易出现曝光偏位或显影过度或显影不净的问题,导致产品外引脚蚀刻不良的问题,现提出如下方案,其包括支撑架...