具有金属硫属化物盖材料的互连线结构制造技术

包括经受一种或多种硫属化技术以形成盖的互连线金属化特征的集成电路互连结构可以减小线电阻。块体线材料的顶部部分可以有利地结晶成具有特别大的晶体结构的金属硫属化物盖。因此，块体材料的顶部部分的硫属化可相对于块体材料用替代材料(例如非晶电介质或细晶粒金属或石墨材料)覆盖的替代方案降低了互连线的散射电阻。线的散射电阻。线的散射电阻。

【技术实现步骤摘要】
具有金属硫属化物盖材料的互连线结构

技术介绍

[0001]在电子设备应用中对更高性能集成电路(IC)的需求已经推动了越来越密集的晶体管架构。随着互连金属化结构的密度与晶体管密度保持同步，互连寄生成为更大的挑战。例如，与IC的互连相关联的电阻
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电容(RC)延迟乘积随着互连的密度而增加。
[0002]图1A示出了包括第一互连级内的金属线101的常规互连结构。金属线101的横向宽度具有某个横向临界尺寸CD1。电介质材料102在金属线101之上，并且“过孔”103在z维度上被减材地图案化穿过电介质材料102以暴露金属线101的一部分。
[0003]如图1B中进一步所示，过孔103和沟槽106填充有一种或多种金属以形成互连线108，该互连线108在x
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y维度上延伸以与过孔103中的导电材料相交，使得两个互连层级电连接。在该示例中，衬垫材料105在沟槽106和/或互连线108的底部和侧壁上。衬垫材料105可包括阻挡材料以防止块体材料107扩散/迁移出互连结构，这是因为块体材料107的任何损失对集成电路可能是灾难性的。衬垫材料还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路(IC)互连结构，包括：过孔金属化部，在电介质材料内；以及线金属化部，在所述过孔金属化部之上并耦接到所述过孔金属化部，其中，所述线金属化部包括：块体材料，包括金属；衬垫材料，在所述块体材料的底部与所述电介质材料之间；以及盖材料，在所述块体材料之上，其中，所述盖材料包括所述金属和硫属元素。2.根据权利要求1所述的IC互连结构，其中，所述硫属元素包括S或Se。3.根据权利要求2所述的IC互连结构，其中，所述金属是Cu。4.根据权利要求1所述的IC互连结构，其中，所述盖材料具有小于6nm的厚度。5.根据权利要求1
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4中的任一项所述的IC互连结构，其中，所述盖材料具有与所述块体材料不同的结晶度。6.根据权利要求5所述的IC互连结构，其中，所述盖材料包括与主要由所述硫属元素构成的第二原子层接触的主要由所述第一金属构成的第一原子层。7.根据权利要求6所述的IC互连结构，其中，所述盖包括在主要由所述硫属元素构成的所述第二原子层中的两个第二原子层之间的主要由所述金属构成的所述第一原子层。8.根据权利要求6所述的IC互连结构，其中，所述线金属化部在所述IC互连结构的平面内延伸横向长度，并且第一单层和第二单层基本上平行于所述平面。9.根据权利要求6所述的IC互连结构，其中，所述第一单层在晶粒长度上是连续的，并且其中，所述晶粒长度为至少1μm。10.根据权利要求1
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4中的任一项所述的IC互连结构，还包括在所述盖之上的扩散阻挡体，其中，所述扩散阻挡体包括第二电介质材料。11.根据权利要求10所述的IC互连结构，其中，所述第二电介质材料包括氮和硅。12.一种计算机平台，包括：电源；以及耦接到所述电源的集成电路(IC)，其中，所述IC包括：设备层，所述设备层包括多个晶体管，所述多个晶体管包括一种或多种半导体材料；以及多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：