一种计入粗糙度影响的图形化薄膜等效杨氏模量表征方法技术

本发明专利技术涉及一种计入粗糙度影响的图形化薄膜等效杨氏模量表征方法，包括：建立表面波在图形化薄膜/衬底分层结构中传播模型，并计算得到理论频散曲线；生成与均方根高度和自相关长度参数相关的高斯粗糙表面和给定峰度和偏斜度的非高斯粗糙表面；分别建立光滑、高斯粗糙度和非高斯粗糙度三种条件下的图形化薄膜/衬底有限元模型，求解模型得到仿真频散曲线；与理论频散曲线簇匹配，得到不同粗糙条件下等效杨氏模量测量值；以光滑条件下测量值为标准，计算高斯粗糙面和非高斯粗糙面造成的测量误差，依据误差大小完成对等效杨氏模量的修正，使之满足计入粗糙度影响的表征。与现有技术相比，本发明专利技术具有贴近实际工况、准确定量的特点。特点。特点。

【技术实现步骤摘要】
一种计入粗糙度影响的图形化薄膜等效杨氏模量表征方法


[0001]本专利技术属于超声表面波无损检测领域，具体涉及一种计入粗糙度影响的图形化薄膜等效杨氏模量表征方法。

技术介绍

[0002]随着互连尺寸减小和互连层数增加，化学机械抛光（CMP）已成为半导体制造中必不可缺的步骤。CMP可以实现硅晶圆和互连薄膜的全局平坦化形成一定粗糙度的表面，而粗糙度的存在会改变薄膜结构特性，这可能导致声表面波技术无法准确表征薄膜机械特性的问题。大部分研究中常以高斯分布表征粗糙表面，但真正的工程表面会因加工条件不同而呈现出具有一定偏斜度和峰度的非高斯分布，如研磨加工可能形成负偏斜粗糙面，电解加工则会产生正偏斜表面。在CMP过程中，化学反应和机械加工的共同作用可能会形成不同类型的粗糙面。

技术实现思路

[0003]针对上述产生的问题，本专利技术的目的在于提供一种计入粗糙度影响的图形化薄膜等效杨氏模量表征方法，该方法通过计算粗糙度产生的误差，用于判断是否需要修正薄膜等效杨氏模量测量值。本专利技术的技术方案如下：一种计入粗糙度影响的图形化薄膜等效杨氏模量表征本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种计入粗糙度影响的图形化薄膜等效杨氏模量表征方法，包括下列步骤：（1）建立表面波在不考虑粗糙度条件下图形化薄膜/衬底分层结构中传播模型，并计算得到以等效杨氏模量为变量的理论频散曲线簇；（2）生成与均方根高度和自相关长度参数相关的高斯粗糙面；（3）生成具有给定峰度和偏斜度的非高斯粗糙面；（4）分别建立光滑、高斯粗糙面和非高斯粗糙面三种条件下的图...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖夏，陈龙，张立，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：