一种铝盘下盖及包括该铝盘下盖的晶圆料盘制造技术

本实用新型专利技术属于晶圆加工技术领域，提供了一种铝盘下盖及包括该铝盘下盖的晶圆料盘，铝盘下盖包括盖体，盖体上具有若干均匀排列设置的晶圆限位环，晶圆限位环围设成晶圆放置槽，盖体上设有至少一个嵌入式定位块，嵌入式定位块包括一体成型的嵌装部和定位部，且嵌入式定位块上开设有一沉孔，盖体上开设有与嵌装部相适配的定位块安装槽，嵌入式定位块通过嵌装部和定位块安装槽嵌装于盖体上，并利用紧固螺栓固定。晶圆料盘包括如上述所述的铝盘下盖，还包括铝盘上盖，铝盘上盖开设有与嵌入式定位块对应设置的定位孔。本实用新型专利技术在不改变腔室刻蚀环境、保障刻蚀稳定性的前提下，通过对嵌入式定位块进行更换的方式，大大延长了铝盘下盖的使用寿命。的使用寿命。的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种铝盘下盖及包括该铝盘下盖的晶圆料盘


[0001]本技术涉及晶圆加工
，尤其涉及一种铝盘下盖及包括该铝盘下盖的晶圆料盘。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆在生产加工过程中，依据加工工艺需求，需要进行晶圆的ICP刻蚀加工，ICP刻蚀工艺前，通常需要将晶圆排列放置到料盘内，此过程称为晶圆的上片，以便于在刻蚀加工时，将承载有晶圆的整个料盘放入等离子刻蚀机中进行刻蚀加工。
[0003]晶圆料盘包括铝盘下盖和铝盘上盖，使用时，将晶圆排列放置到铝盘下盖上，然后将铝盘上盖定位扣合到铝盘下盖上并固定即可；为实现铝盘上盖和铝盘下盖的定位扣合，通常在铝盘下盖上设有定位块，在铝盘上盖上开设与定位块相适配的定位孔，利用定位块和定位块实现铝盘上盖于铝盘下盖上的定位扣合。
[0004]目前，刻蚀用的铝盘下盖1，其定位块101通常为一体成型结构，如图1所示；在刻蚀加工过程中，铝盘下盖1的定位块101受到等离子体的轰击会逐渐变矮，定位块101变矮达到一定的程度后，便无法对铝盘上盖的安装位置进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝盘下盖，包括盖体，所述盖体上具有若干均匀排列设置的晶圆限位环，所述晶圆限位环围设成与晶圆相适配的晶圆放置槽，其特征在于：所述盖体上设有至少一个嵌入式定位块，所述嵌入式定位块包括一体成型的嵌装部和定位部，且所述嵌入式定位块上开设有一沉孔，所述盖体上开设有与所述嵌装部相适配的定位块安装槽，所述嵌入式定位块通过所述嵌装部和所述定位块安装槽嵌装于所述盖体上，并利用贯穿所述沉孔的紧固螺栓固定。2.如权利要求1所述的铝盘下盖，其特征在于：所述嵌入式定位块设有两个，两个所述嵌入式定位块分别靠近所述盖体的边缘设置。3.如权利要求1所述的铝盘下盖，其特征在于：所述定位块安装槽的侧边具有用以实现所述嵌入式定位块定位安装的定位槽口，所述嵌装部具有与所述定位槽口相适配的定位凸起。4.如权利要求3所述的铝盘下盖，其特征在于：所述定位块安装槽的底面开设...

【专利技术属性】
技术研发人员：席光义，刘志刚，娄文海，席庆男，于瑞冬，玄成帅，何帅，王岳恒，
申请(专利权)人：元旭半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：