本发明专利技术涉及一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，包括以下步骤：１）将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层；２）采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐蚀掩膜层；３）将硅片置于ＴＭＡＨ水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成凹槽。采用本发明专利技术的制备工艺所制备的刻槽印刷电极，具有较低的电极电阻及接触电阻，与传统采用的激光刻槽埋栅电极相比，本发明专利技术的设备成本低，生产效率高，且适用于晶体硅太阳电池工业化生产。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硅光电池的加工工艺，尤其是一种晶体硅太阳电池表面 刻槽制备工艺。
技术介绍
通常晶体硅太阳电池表面刻槽的主要用途是用于晶体硅太阳电池表面电 极栅线的嵌放，目前国内的刻槽方法主要有l)机械加工采用金刚石刀具， 用三种刀依次刻化成型出槽宽大于10lim的槽；2)激光刻槽用一束激光刻 化出线槽后再用化学方法对槽底进行扩宽。但是这两种方法设备成本较低， 生产效率也不高，并且不适用于晶体硅太阳电池工业化生产。
技术实现思路
为了克服以上缺陷，本专利技术要解决的技术问题是提出一种生产 成本低，生产效率高，并适用太阳电池工业化生产的晶体硅太阳电池 刻槽印刷电极制备工艺。本专利技术所采用的技术方案为 一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极 制备工艺，包括以下步骤1) 将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层；2) 采用丝网印刷腐蚀性桨料选择性的去除电极栅线区域的化学腐 蚀掩膜层；3) 将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成一 定深度的凹槽；4)扩散制作PN结后进行氮化硅膜的制备，最后制备电极。本专利技术进一步包括所述的步骤1)中化学腐蚀掩膜层为厚度为80-120nm的热氧化二氧化硅膜或厚度为60-80nm的氮化硅膜。本专利技术所述的步骤2)中去除电极栅线区域的掩膜层的步骤为a) 将腐蚀性浆料按正电极图形印刷到带有掩膜层的硅片上；b) 待腐蚀性浆料对掩膜层选择性腐蚀后清洗去除剩余的腐蚀浆料。本专利技术所述的步骤2)中腐蚀性浆料为含15_20%氟化氢氨的刻蚀膏。本专利技术所述的步骤3)中TMAH水溶液的腐蚀溶度为25%，温度为 70°C，腐蚀时间为10-20min，刻槽深度为5-10um。本专利技术的有益效果是采用本专利技术的制备工艺所制备的刻槽印刷 电极，具有较低的电极电阻及接触电阻，与传统采用的激光刻槽埋栅 电极相比，本专利技术的设备成本低，生产效率高，且适用于晶体硅太阳 电池工业化生产。 附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。 图1是本专利技术工艺路线图。 具体实施例方式现在结合附图和优选实施例对本专利技术作进一步详细的说明。这些 附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此 其仅显示与本专利技术有关的构成。如图1所示， 一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，包括以下步骤1) 将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层；2) 采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐 蚀掩膜层；3) 将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成一 定深度的凹槽；4) 扩散制作PN结后进行氮化硅膜的制备，最后制备电极。 本专利技术所述的步骤1)中化学腐蚀掩膜层为厚度为80-120nm的热氧化二氧化硅膜或厚度为60-80nm的氮化硅膜。本专利技术所述的步骤2)中去除电极栅线区域的掩膜层的步骤为a) 将腐蚀性浆料按正电极图形印刷到带有掩膜层的硅片上.；b) 待腐蚀性浆料对掩膜层选择性腐蚀后清洗去除剩余的腐蚀浆料。其中腐蚀性浆料为含15-20%氟化氢氨的刻蚀膏。 本专利技术所述的步骤3)中TMAH水溶液的腐蚀溶度为25%，温虔为70°C,腐蚀时间为10-20min，刻槽深度为5-10um。以上述依据本专利技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项专利技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项专利技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。权利要求1、一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特征在于包括以下步骤1)将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层；2)采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐蚀掩膜层；3)将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成一定深度的凹槽。4)扩散制作PN结后进行氮化硅膜的制备，最后制备电极。2、 如权利要求l所述的一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特 征在于所述的步骤1)中化学腐蚀掩膜层为厚度为80-120nm的热氧化二氧化 硅膜或厚度为60-80nm的氮化硅膜。3、 如权利要求l所述的一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特 征在于所述的步骤2)中去除电极栅线区域的掩膜层的步骤为a) 将腐蚀性浆料按正电极图形印刷到带有掩膜层的硅片上；b) 待腐蚀性浆料对掩膜层选择性腐蚀后清洗去除剩余的腐蚀浆料。4、 如权利要求l所述的一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特 征在于所述的步骤2)中腐蚀性浆料为含15-20%氟化氢氨的刻蚀膏。5、 如权利要求l所述的一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特 征在于所述的步骤3)中TMAH水溶液的腐蚀溶度为25%,温度为70°C，腐蚀 时间为10-20min，刻槽深度为5-10um。全文摘要本专利技术涉及一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，包括以下步骤1)将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层；2)采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐蚀掩膜层；3)将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成凹槽。采用本专利技术的制备工艺所制备的刻槽印刷电极，具有较低的电极电阻及接触电阻，与传统采用的激光刻槽埋栅电极相比，本专利技术的设备成本低，生产效率高，且适用于晶体硅太阳电池工业化生产。文档编号H01L31/18GK101533870SQ20091002967公开日2009年9月16日 申请日期2009年4月1日 优先权日2009年4月1日专利技术者焦云峰, 强 黄 申请人:常州天合光能有限公司 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特征在于包括以下步骤： １）将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层； ２）采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐蚀掩膜层； ３）将硅片置于ＴＭＡＨ水 溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成一定深度的凹槽。 ４）扩散制作ＰＮ结后进行氮化硅膜的制备，最后制备电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：焦云峰，黄强，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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