沉积装置和沉积方法制造方法及图纸

提供了根据实施例的沉积装置，所述沉积装置包括：第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，在第一方向上顺序地布置；第一角度限制板，设置在第一沉积源外侧；第二角度限制板，设置在第一沉积源与第二沉积源之间；第三角度限制板，设置在第二沉积源与第三沉积源之间；以及第四角度限制板，设置在第三沉积源外侧。第一沉积源的沉积材料和第三沉积源的沉积材料包括相同的掺杂剂材料。第二沉积源的沉积材料包括主体材料。括主体材料。括主体材料。

【技术实现步骤摘要】
沉积装置和沉积方法
[0001]本申请要求于2021年12月16日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0180605号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]公开涉及一种沉积装置和一种沉积方法。

技术介绍

[0003]发射显示装置包括包含阳极、发射层和阴极的发光元件。发光元件可以是发光二极管(LED)，其中空穴和电子分别从阳极和阴极注入以形成激子，并且激子跃迁至基态并发光。
[0004]在发射显示装置的制造工艺中，可以通过使用沉积装置的薄膜沉积工艺形成发射层。沉积装置包括包含沉积材料的沉积源。当沉积源被加热时，沉积源中的沉积材料蒸发，并且蒸发的沉积材料通过喷嘴喷射。喷射的沉积材料沉积在基底上以形成薄膜。
[0005]如果发射层包括多种材料，则可以在单个腔室中使用多于一个的沉积源。
[0006]要理解的是，该
技术介绍
部分旨在部分地为理解技术提供有用的背景。然而，该
技术介绍
部分还可以包括不是在此公开的主题的相应有效提交日期前相关领域技术人员已知或理解的内容的部分的想法、构思或认识。

技术实现思路

[0007]实施例可以通过改善在显示装置的发射层的膜厚度方向上的掺杂均匀性来改善发光元件的寿命。实施例可以减少沉积材料的热劣化。
[0008]根据实施例的沉积装置可以包括：第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，在第一方向上顺序地布置；第一角度限制板，设置在第一沉积源外侧；第二角度限制板，设置在第一沉积源与第二沉积源之间；第三角度限制板，设置在第二沉积源与第三沉积源之间；以及第四角度限制板，设置在第三沉积源外侧。第一沉积源的沉积材料和第三沉积源的沉积材料可以包括相同的掺杂剂材料。第二沉积源的沉积材料可以包括主体材料。
[0009]来自第二沉积源的主体材料可以包括绿色发射层的主体材料。来自第一沉积源的掺杂剂材料和来自第三沉积源的掺杂剂材料可以包括绿色发射层的掺杂剂材料。
[0010]第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源可以在第一方向上移动并且喷射沉积材料。
[0011]第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源可以在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸。
[0012]第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源中的每个可以包括喷射孔。喷射孔可以包括在第二方向上布置的喷射喷嘴，或者可以包括在第二方向上延伸的线性喷嘴。
[0013]由第一角度限制板限制的从第一沉积源到沉积材料的基底的入射角可以是第一入射角。由第二角度限制板限制的从第一沉积源到沉积材料的基底的入射角可以是第二入
射角。由第二角度限制板限制的从第二沉积源到沉积材料的基底的入射角可以是第三入射角。由第三角度限制板限制的从第二沉积源到沉积材料的基底的入射角可以是第四入射角。由第三角度限制板限制的从第三沉积源到沉积材料的基底的入射角可以是第五入射角。由第四角度限制板限制的从第三沉积源到沉积材料的基底的入射角可以是第六入射角。第一入射角和第六入射角中的每个可以大于第三入射角和第四入射角中的任意一个。
[0014]第三入射角和第四入射角中的每个可以大于第二入射角和第五入射角中的任意一个。
[0015]第一角度限制板的高度和第四角度限制板的高度中的每个可以高于第二角度限制板的高度和第三角度限制板的高度中的任意一个。
[0016]第一入射角和第六入射角可以彼此基本上相等。第三入射角和第四入射角可以彼此基本上相等。第二入射角和第五入射角可以彼此基本上相等。
[0017]第一角度限制板的高度和第四角度限制板的高度可以彼此基本上相等。第二角度限制板的高度和第三角度限制板的高度可以彼此基本上相等。
[0018]第一入射角和第六入射角可以在约72度至约82度的范围内。第三入射角和第四入射角可以在约55度至约65度的范围内。第二入射角和第五入射角可以在约50度至约60度的范围内。
[0019]在平面图中，其中来自第一沉积源的掺杂剂材料沉积在基底上的区域和其中来自第三沉积源的掺杂剂材料沉积在基底上的区域可以部分地叠置。在平面图中，其中来自第二沉积源的主体材料沉积在基底上的区域可以与其中来自第一沉积源的掺杂剂材料沉积在基底上的区域的基本上全部叠置。在平面图中，其中来自第二沉积源的主体材料沉积在基底上的区域与其中来自第三沉积源的掺杂剂材料沉积在基底上的区域的基本上全部叠置。
[0020]根据实施例的沉积装置可以包括在一方向上顺序地布置的第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源。来自第一沉积源的沉积材料和来自第三沉积源的沉积材料可以包括相同的掺杂剂材料。第二沉积源的沉积材料可以包括主体材料。在平面图中，其中来自第一沉积源的掺杂剂材料沉积在基底上的区域与其中来自第三沉积源的掺杂剂材料沉积在基底上的区域可以部分地叠置。在平面图中，其中来自第二沉积源的主体材料沉积在基底上的区域可以与其中来自第一沉积源的掺杂剂材料沉积在基底上的区域的基本上全部叠置。在平面图中，其中来自第二沉积源的主体材料沉积在基底上的区域可以与其中来自第三沉积源的掺杂剂材料沉积在基底上的区域的基本上全部叠置。
[0021]来自第二沉积源的主体材料可以包括绿色发射层的主体材料，并且来自第一沉积源的掺杂剂材料和来自第三沉积源的掺杂剂材料可以包括绿色发射层的掺杂剂材料。
[0022]第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源可以在该方向上移动并且喷射沉积材料。
[0023]沉积装置还可以包括：第一角度限制板，设置在第一沉积源外侧；第二角度限制板，设置在第一沉积源与第二沉积源之间；第三角度限制板，设置在第二沉积源与第三沉积源之间；以及第四角度限制板，设置在第三沉积源外侧。
[0024]第一角度限制板的高度和第四角度限制板的高度中的每个可以高于第二角度限制板的高度和第三角度限制板的高度中的任意一个。第一角度限制板的高度和第四角度限制板的高度可以彼此基本上相等。第二角度限制板的高度和第三角度限制板的高度可以彼
此基本上相等。
[0025]根据实施例的沉积方法可以包括：相对于基底在一方向上移动第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源；将来自第一沉积源和来自第三沉积源的掺杂剂材料沉积在基底上；以及将来自第二沉积源的主体材料沉积在基底上。沉积装置可以包括第一沉积源、第二沉积源、第三沉积源和角度限制板。第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源可以在该方向上顺序地布置。
[0026]来自第二沉积源的主体材料可以包括绿色发射层的主体材料。来自第一沉积源和来自第三沉积源的掺杂剂材料可以包括绿色发射层的掺杂剂材料。
[0027]角度限制板可以包括第一角度限制板、第二角度限制板、第三角度限制板和第四角度限制板。第一角度限制板、第二角度限制板、第三角度限制板和第四角度限制板可以在该方向上顺序地布置。由第一角度限制板限制的从第一沉积源到沉积材料的基底的入射角可以是第一入射角。由第二角度限制板限制的从第一沉积源到沉积材料的基底的入射角可以是第二入射角。由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积装置，所述沉积装置包括：第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，在第一方向上顺序地布置；第一角度限制板，设置在所述第一沉积源外侧；第二角度限制板，设置在所述第一沉积源与所述第二沉积源之间；第三角度限制板，设置在所述第二沉积源与所述第三沉积源之间；以及第四角度限制板，设置在所述第三沉积源外侧，其中，来自所述第一沉积源的沉积材料和来自所述第三沉积源的沉积材料包括相同的掺杂剂材料，并且来自所述第二沉积源的沉积材料包括主体材料。2.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，来自所述第二沉积源的所述主体材料包括绿色发射层的主体材料，并且来自所述第一沉积源的所述掺杂剂材料和来自所述第三沉积源的所述掺杂剂材料包括所述绿色发射层的掺杂剂材料。3.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，所述第一沉积源、所述第二沉积源和所述第三沉积源在所述第一方向上移动并且喷射所述沉积材料。4.根据权利要求3所述的沉积装置，其中，所述第一沉积源、所述第二沉积源和所述第三沉积源在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。5.根据权利要求4所述的沉积装置，其中，所述第一沉积源、所述第二沉积源和所述第三沉积源中的每个包括喷射孔，并且所述喷射孔包括在所述第二方向上布置的喷射喷嘴，或者包括在所述第二方向上延伸的线性喷嘴。6.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，由所述第一角度限制板限制的从所述第一沉积源到所述沉积材料的基底的入射角...

【专利技术属性】
技术研发人员：成始珍，朴一秀，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：