静电抑制器及其制造方法技术

本公开的实施例涉及一种静电抑制器。所述静电抑制器包括衬底、传导层及保护层。所述传导层设置在所述衬底上并具有间隙。所述保护层设置在所述传导层上并在所述间隙上方界定气室。本公开的另一实施例涉及一种静电抑制器的制造方法。制造方法。制造方法。

【技术实现步骤摘要】
静电抑制器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及静电抑制器及其制造方法。

技术介绍

[0002]当静电抑制器的静电电压超过触发电压(trigger voltage)，其电阻值会急遽下降而导走电荷，进而达到保护电路的效果。因应着5G/6G无线传输与工业4.0的需求，静电抑制器朝向小尺寸的方向发展。小尺寸的组件可提高电路设计的灵活度，然而却伴随着耐静电能力降低的问题。此外，静电抑制器的电容会尽量设计地越低越好，以降低高速信号传输过程所造成的信号失真。
[0003]因此，如何在缩小组件尺寸的同时，降低静电抑制器的电容，为本专利技术欲解决的问题之一。

技术实现思路

[0004]本公开的实施例涉及一种静电抑制器。所述静电抑制器包括衬底、传导层及保护层。所述传导层设置在所述衬底上并具有间隙。所述保护层设置在所述传导层上并在所述间隙上方界定气室。
[0005]本公开的实施例涉及一种静电抑制器。所述静电抑制器包括衬底及传导层。所述传导层设置在所述衬底上并具有间隙。所述传导层具有暴露到气体、空气或真空环境的部分。
[0006]本公开的实施例涉及一种制造方法，包括提供衬底、在所述衬底上形成传导层、在所述传导层中形成间隙及在所述传导层上形成保护层。所述保护层在所述间隙上方界定气室。
附图说明
[0007]在下文具体实施方式中将参考随附图式讨论本公开实施例的各种方面，所述图式并非依比例绘制。在所述图式及具体实施方式中的技术特征以组件符号标记，所述组件符号是用以帮助理解本公开实施例的各种方面，但不限制本公开的权利要求书。在所述图式中：
[0008]图1A所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的侧视图；
[0009]图1B所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的局部侧视图；
[0010]图2A所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的俯视图；
[0011]图2B所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的侧视图；
[0012]图3A所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的俯视图；
[0013]图3B所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的侧视图；
[0014]图4A所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的俯视图；
[0015]图4B所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的侧视图；
[0016]图5A所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的俯视图；
[0017]图5B所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的侧视图；
[0018]图6A所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的俯视图；
[0019]图6B所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的侧视图；
[0020]图7A所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的俯视图；及
[0021]图7B所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器的制造方法中的一或更多步骤中的侧视图。
具体实施方式
[0022]图1A所示为根据本公开的部分实施例的静电抑制器1的侧视图。静电抑制器1包括衬底10、电极11a、11b、11c、11d、传导层12、保护层13、保护层14、晶种层15及端电极16。
[0023]衬底10可包括(但不限于)硼硅酸盐玻璃(borophosphosilicate glass，BPSG)、经掺杂硅酸盐玻璃(undoped silicate glass，USG)、硅(silicon)、氧化硅(silicon oxide)、氮化硅(silicon nitride)、氮氧化硅(silicon oxynitride)、氧化铝(aluminium oxide)、氮化铝(aluminium nitride)、聚酰亚胺(Polyimide,PI)、ABF基材(Ajinomoto build
‑
up film,ABF)、模塑胶(molding compounds)、预浸渍复合纤维(pre
‑
impregnated composite fibers)(例如，预浸材料)、及其中的组合、或其它类似物。模塑胶的实例可包括(但不限于)环氧树脂(epoxy resin)(包含分散其中的填料(fillers))。预浸材料的实例可包括(但不限于)通过堆叠或层压(laminating)多个预浸渍材料及/或片料(sheets)所形成的多层结构。在一些实施例中，衬底10可包括(但不限于)电路板(如FR4)。
[0024]如图1A所示，衬底10可包括表面101、与表面101相对的表面102、及延伸在表面101与表面102之间的表面(或侧表面)103。
[0025]电极11a、11b、11c及11d可设置在衬底10的表面101及表面102的两端。在一些实施例中，电极11a、11b、11c及11d(但不限于)铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)或其它金属或合金。在一些实施例中，电极11a、11b、11c及11d的厚度可介于约0.2微米(micrometer，μm)到约30.0μm之间。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，电极11a、11b、11c及11d可依装置规格或工艺要求而设置在其它位置，可具有任意数量，且可依装置规格或工艺要求而具有其它厚度。例如，在一些实施例中，电极可仅设置在衬底10的表面的两端。
[0026]传导层12可设置在衬底10及电极11a、11b上。在一些实施例中，传导层12可设置在衬底10的表面102上。在一些实施例中，传导层12可接触电极11a、电极11b及/或衬底10的表面102。在一些实施例中，传导层12可包括(但不限于)铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、钨(W)、铬(Cr)、锡(Sn)、或其它金属或合金。例如，在一些实施例中，合金可包括镍铬合金(如镍铬铝、镍铬硅)、镍铜合金(如镍铜锰)等。在一些实施例中，传导层12的厚度可介于约0.1μm到约5.0μm之间。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，传导层12可依装置规格或工艺要求而具有其它厚度。
[0027]在一些实施例中，传导层12可包括表面121及与表面121相对的表面122。在一些实施例中，传导层12可具有间隙12g。在一些实施例中，间隙12g可穿透传导层12。例如，间隙12g可延伸在表面121与表面122之间。在一些实施例中，间隙12g可具有侧壁12gs。侧壁12gs可延伸在表面121与表面122之间。
[0028]在一些实施例中，衬底10的表面102可透过间隙12g而局部地从传导层12暴露出来。在一些实施例中，衬底10的表面102可透过间隙12g而暴露到气体、空气或真空环境。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电抑制器，包含：衬底；传导层，设置在所述衬底上并具有间隙；及保护层，设置在所述传导层上并在所述间隙上方界定气室。2.根据权利要求1所述的静电抑制器，其中所述衬底具有透过所述间隙暴露到所述气室中的气体、空气或真空环境的部分。3.根据权利要求1所述的静电抑制器，其中所述保护层包括：第一保护层，接触所述传导层并界定所述气室的侧壁；及第二保护层，设置在所述第一保护层上并覆盖所述气室。4.根据权利要求1所述的静电抑制器，其中所述气室具有第一宽度且所述间隙具有第二宽度，其中所述第一宽度大于所述第二宽度。5.根据权利要求1所述的静电抑制器，其中所述衬底具有与所述间隙的侧壁大致上共平面的表面。6.根据权利要求5所述的静电抑制器，更包含：氧化物，位于所述间隙的所述侧壁上。7.根据权利要求1所述的静电抑制器，其中所述传导层具有第一部分及第二部分，其中所述间隙将所述第一部分与所述第二部分隔开。8.一种静电抑制器，包含：衬底；及传导层，设置在所述衬底上并具有间隙；其中所述传导...

【专利技术属性】
技术研发人员：江财宝，江智伟，杨士贤，邱子臣，
申请(专利权)人：大毅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：