发火电阻及其制造方法技术

本揭露是关于发火电阻及其制造方法。本揭露之一实施例是关于一种发火电阻，包括基板、设置于该基板上的绝热层、设置于该绝热层上的传导层、及形成于该基板、该绝热层、及该传导层中的绝缘沟。该传导层具有第一传导部分及第二传导部分。该绝缘沟将该第一传导部分及该第二传导部分分离。本揭露之另一实施例是关于一种发火电阻的制造方法。发火电阻的制造方法。发火电阻的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
发火电阻及其制造方法


[0001]本专利技术是关于发火电阻及其制造方法。

技术介绍

[0002]发火电阻(又可称为电子启动芯片)具有快速将电能转换成热能及低点火能量的特 性，故常用于在受控的能量反应中引发点火反应，例如用于爆炸装置中做为雷管的桥丝。

技术实现思路

[0003]本揭露的实施例涉及一种发火电阻。所述发火电阻包括基板、设置于所述基板上的 绝热层、设置于所述绝热层上的传导层、及形成于所述基板、所述绝热层、及所述传导 层中的绝缘沟。所述传导层具有第一传导部分及第二传导部分。所述绝缘沟将所述第一 传导部分及所述第二传导部分分离。
[0004]本揭露的实施例涉及一种发火电阻。所述发火电阻包括基板、设置于所述基板上的 绝热层、及设置于所述绝热层上的传导层。所述传导层具有绝缘沟。所述发火电阻还包 括位于所述绝缘沟的侧壁上的氧化物层。
[0005]本揭露的实施例涉及一种发火电阻的制造方法。所述发火电阻的制造方法包括提供 基板、形成绝热层于所述基板上、形成传导层于所述绝热层上、及于所述传导层中形成 绝缘沟。氧化物层形成于所述绝缘沟的侧壁上。
附图说明
[0006]在下文实施方式中将参考附图讨论本揭露实施例的各种态样，该等图式并非依比例 绘制。在该等图式及实施方式中的技术特征以组件符号标记，该等组件符号是用以帮助 理解本揭露实施例的各种态样，但不限制本揭露的专利技术申请专利范围。在该等图式中：
[0007]图1A所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的立体图；
[0008]图1B所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的局部立体图；
[0009]图1C所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的侧视图；
[0010]图1D所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的俯视图；
[0011]图2A所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的俯视图；
[0012]图2B所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的俯视图；
[0013]图2C所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的俯视图；
[0014]图2D所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的俯视图；
[0015]图2E所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的俯视图；
[0016]视图；
[0017]图3A所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的俯视图；
[0018]图3B所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的侧视图；
[0019]图4A所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的俯视图；
[0020]图4B所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的侧视图；
[0021]图5A所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的俯视图；
[0022]图5B所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的侧视图；
[0023]图6A所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的俯视图；
[0024]图6B所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的侧视图；
[0025]图7A所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的俯视图；
[0026]图7B所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的侧视图；
[0027]图8A所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的俯视图；
[0028]图8B所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的侧视图；
[0029]图9A所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的俯视图；及
[0030]图9B所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻的制造方法中的一或更多步骤中 的侧视图。
具体实施方式
[0031]参照图1A至图1D，图1A所示为根据本揭露的部分实施例的发火电阻1的立体图。 图1B所示为图1A的发火电阻1沿切线AA'截面的局部立体图。图1C所示为图1A的 发火电阻1沿切线AA'截面的侧视图。图1D所示为图1A的发火电阻1的俯视图。发火 电阻1包括基板10、绝热层11、电极12、传导层13、晶种层15、及端电极16。
[0032]在一些实施例中，基板10可包括(但不限于)硼硅酸盐玻璃(borophosphosilicateglass，BPSG)、经掺杂硅酸盐玻璃(undoped silicate glass，USG)、硅(silicon)、氧化硅(siliconoxide)、氮化硅(silicon nitride)、氮氧化硅(silicon oxynitride)、氧化铝(aluminium oxide)、 氮化铝(aluminium nitride)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、ABF基材(Ajinomoto build-up film， ABF)、模塑料(molding compounds)、预浸渍复合纤维(pre-impregnated composite fibers) (例如，预浸材料)、及其中的组合、或其他类似物。模塑料的实例可包括(但不限于) 环氧树脂(epoxy resin)(包含分散其中的填料(fillers))。
预浸材料的实例可包括(但不限 于)通过堆迭层压(laminating)多个预浸渍材料及/或片料(sheets)所形成的多层结构。在 一些实施例中，基板10可包括(但不限于)电路板(如FR4)。
[0033]绝热层11设置于基板10上。绝热层11位于基板10及传导层13之间。当从图1D 的俯视图观看时，一部分的绝热层11被传导层13覆盖，一部分的绝热层11从传导层 13曝露出来。在一些实施例中，绝热层11可包括(但不限于)环氧树脂(包含分散其 中的填料)、硅、或其他适合的材料。在一些实施例中，绝热层11可阻隔或减少热经由 基板10逸散，确保通过发火电阻1的电流在达额定电流时，传导层13可实时且确实地 引发点火反应。在一些实施例中，绝热层11可具有约0.1微米(micrometer，μm)至约 40.0μm的厚度。然而，本揭露不限于此。在一些实施例中，绝热层11可依装置规格或 制程要求而具有其他厚度。
[0034]电极12设置于基板10的两个相对表面的两端。电极12与绝热层11间隔一距离。 在一些实施例中，在基板10的两个相对表面的两端设置四个电极12可省略在基板10 的侧面溅镀晶种层的步骤。然而，本揭露不限于此。在一些实施例中，电极12的厚度 可介于约1.0μm至约10.0μm之间。然而，本揭露不限于此。在一些实施例中，电极12 可依装置规格或制程要求而设置在其他位置，可具有任意数量，且可依装置规格或制程 要求而具有其他厚度。例如，在一些实施例中，电极1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发火电阻，包含：基板；绝热层，设置于所述基板上；传导层，设置于所述绝热层上，其中所述传导层具有第一传导部分及第二传导部分；及绝缘沟形成于所述基板、所述绝热层、及所述传导层中，所述绝缘沟将所述第一传导部分及所述第二传导部分分离。2.根据权利要求1所述的发火电阻，其中所述绝缘沟具有实质上平整的侧壁。3.根据权利要求1所述的发火电阻，更包含：第一氧化物层，位于所述第一传导部分的侧壁上。4.根据权利要求3所述的发火电阻，其中所述第一氧化物层完全地覆盖所述第一传导部分的所述侧壁。5.根据权利要求1所述的发火电阻，更包含：第二氧化物层，位于所述第二传导部分的侧壁上。6.根据权利要求5所述的发火电阻，其中所述第二氧化物层完全地覆盖所述第二传导部分的所述侧壁。7.根据权利要求1所述的发火电阻，其中所述传导层曝露至空...

【专利技术属性】
技术研发人员：江财宝，江智伟，杨士贤，苏尚爵，
申请(专利权)人：大毅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：