本申请公开了一种半导体厂房真空泵排气装置，涉及排气管道技术领域。该半导体厂房真空泵排气装置包括第一管道与第二管道；所述第一管道一端与半导体芯片加工设备连接，所述第一管道另一端连接真空泵的进气口，所述真空泵的出气口连接第二管道一端，所述第二管道另一端连接过滤器；其特征在于：所述第一管道包括内管与外管，所述内管设置于所述外管内，且所述外管两端的内壁上均开设有环形的卡槽，所述内管与所述外管上卡槽相对应的位置处设置有环状的卡环，所述卡环卡接于所述卡槽内，所述内管与所述外管之间设置有间隙，且所述内管的外侧壁上开设有若干气孔。外侧壁上开设有若干气孔。外侧壁上开设有若干气孔。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体厂房真空泵排气装置
[0001]本申请涉及排气管道
，具体涉及一种半导体厂房真空泵排气装置。
技术介绍
[0002]现使用的管道是普通的不锈钢管道，因工程使用的气体，管道内壁粘粉尘并容易堵塞，导致安全事故发生。由于管网堵塞，管径变小，与管网连接的相关其他设备的运行会受到负荷，影响设备正常运行；因特殊气体，管道容易腐蚀、使用周期偏短，每次更换的时候停止设备运行，导致生产效率底，经济效应差；工艺上，通过管道的气体必须保持高温状态，目前使用的工艺仅限于外部和管道气体；仅用不锈钢管壁厚来做1阶段的阻断，温度流失较大，因此必要在一定区间内设置加热。
技术实现思路
[0003]为此，本申请提供一种半导体厂房真空泵排气装置，以解决上述技术存在的问题。
[0004]为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：
[0005]一种半导体厂房真空泵排气装置，包括第一管道与第二管道；
[0006]所述第一管道一端与半导体芯片加工设备连接，所述第一管道另一端连接真空泵的进气口，所述真空泵的出气口连接第二管道一端，所述第二管道另一端连接过滤器；
[0007]所述第一管道包括内管与外管，所述内管设置于所述外管内，且所述外管两端的内壁上均开设有环形的卡槽，所述内管与所述外管上卡槽相对应的位置处设置有环状的卡环，所述卡环卡接于所述卡槽内，所述内管与所述外管之间设置有间隙，且所述内管的外侧壁上开设有若干气孔。
[0008]可选地，所述第二管道包括管道本体，所述管道本体内壁设置有漏斗状结构，其内径由真空泵一端朝过滤器一端逐渐变小，所述第二管道本体设置漏斗状的部分与所述真空泵连接一端之间开设有进气口，用来接入N2，所述漏斗状结构的最大内径处沿其倾斜方向开设有出气口，所述出气口与所述进气口内部联通。
[0009]可选地，所述内管为PTFE管。
[0010]可选地，所述外管为不锈钢管。
[0011]可选地，所述内管与所述外管之间的间隙为1.3mm。
[0012]相比现有技术，本申请至少具有以下有益效果：
[0013]本技术通过设置在半导体加工设备与真空泵之间的第一管道，第一管道分为内管与外管，内管和外管之间通过卡环与卡槽进行固定密封，同时在内管上设置气孔，可以使高温气体停留到气穴上起到隔膜保温效果，防止散热损失。
[0014]通过在管道本体内设置漏斗状结构，形成文丘里效应，使气体在管道本体内的流速增加，同时在管道内部周围的多数孔中，高速的N2沿着漏斗形态的倾斜面喷射，高速的N2周围形成真空，快速吸入泵排气，增加吸入量。
附图说明
[0015]为了更直观地说明现有技术以及本申请，下面给出几个示例性的附图。应当理解，附图中所示的具体形状、构造，通常不应视为实现本申请时的限定条件；例如，本领域技术人员基于本申请揭示的技术构思和示例性的附图，有能力对某些单元(部件)的增/减/归属划分、具体形状、位置关系、连接方式、尺寸比例关系等容易作出常规的调整或进一步的优化。
[0016]图1为本技术一个实施例的整体结构示意图；
[0017]图2为本技术一个实施例的第一管道的内部结构示意图；
[0018]图3为图1中第二管道的内部结构示意图；
[0019]图4为图1中第二管道的外部结构示意图；
[0020]图5为图4中A
‑
A部分剖视结构示意图；
[0021]图6为本技术的另一个实施例的第一管道的内部结构示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]1、半导体加工设备；2、真空泵；3、过滤器；4、第一管道；41、内管；42、外管；43、卡槽；44、间隙；45、气孔；46、卡环；5、第二管道；51、管道本体；52、漏斗状；53、进气口；54、出气口。
具体实施方式
[0024]以下结合附图，通过具体实施例对本申请作进一步详述。
[0025]在本申请的描述中：除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”等旨在区别指代的对象，而不具有技术内涵方面的特别意义(例如，不应理解为对重要程度或次序等的强调)。“包括”、“包含”、“具有”等表述方式，同时还意味着“不限于”(某些单元、部件、材料、步骤等)。
[0026]本申请中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”等的用语，通常是为了便于对照附图直观理解，而并非对实际产品中位置关系的绝对限定。在未脱离本申请揭示的技术构思的情况下，这些相对位置关系的改变，当亦视为本申请表述的范畴。
[0027]如图1和图6所示，为本技术所披露的一种半导体厂房真空泵2排气装置，包括第一管道4与第二管道5；
[0028]所述第一管道4一端与半导体加工设备1连接，所述第一管道4另一端连接真空泵2的进气口53，所述真空泵2的出气口54连接第二管道5一端，所述第二管道5另一端连接过滤器3；
[0029]所述第一管道4包括内管41与外管42，所述内管41设置于所述外管42内，且所述外管42两端的内壁上均开设有环形的卡槽43，所述内管41与所述外管42上卡槽43相对应的位置处设置有环状的卡环46，所述卡环46卡接于所述卡槽43内，所述内管41与所述外管42之间设置有间隙44。
[0030]为了提高保温效果，如图2所示，在所述内管41的外侧壁上开设有若干气孔45。
[0031]上述的内管41为PTFE管，外管42为不锈钢管，内管41与所述外管42之间的间隙44为1.3mm，安装时把内管41插入外管42中，同时为了不让外管42和内管41左右脱离，在外管42两边轮缘内部均开设有一个卡槽43，内管41上与卡槽43对应的位置处设置有卡环46，通
过卡环46与卡槽43对应卡接，起到密封盒防脱的作用；在内管41和外管42之间设置1.3mm的缝隙形成气穴，在内管41上设置的气孔45可以让高温气体停留到气穴上起到隔膜保温效果，防止扇热损失。
[0032]如图1、图3、图4和图5所示，所述第二管道5包括管道本体51，所述管道本体51内壁设置有漏斗状52结构，其内径由真空泵2一端朝过滤器3一端逐渐变小，所述第二管道5本体设置漏斗状52的部分与所述真空泵2连接一端之间开设有进气口53，用来接入N2，所述漏斗状52结构的最大内径处沿其倾斜方向开设有出气口54，所述出气口54与所述进气口53内部联通。
[0033]在半导体电子产业领域的排气管道中喷射高压N2，不仅稀释气体的浓度，还通过强大的吸气动力，将管道内的残留气体、液体抽出，防止管道腐蚀等作用。可以改善设备及环境安全上的问题的装置。混气增压排气器是一种综合运用了文丘里效应和伯努利原理的创新的设计结构，最少30～40mmH20，具有强大的吸力(真空)和排气能力的装置[吸入压力可提高80mmH20以上]。
[0034]漏斗状52的设置，可以让在管道本体51内部形成文丘里效应与伯努利原理；...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体厂房真空泵排气装置，包括第一管道与第二管道；所述第一管道一端与半导体芯片加工设备连接，所述第一管道另一端连接真空泵的进气口，所述真空泵的出气口连接第二管道一端，所述第二管道另一端连接过滤器；其特征在于：所述第一管道包括内管与外管，所述内管设置于所述外管内，且所述外管两端的内壁上均开设有环形的卡槽，所述内管与所述外管上卡槽相对应的位置处设置有环状的卡环，所述卡环卡接于所述卡槽内，所述内管与所述外管之间设置有间隙，且所述内管的外侧壁上开设有若干气孔。2.根据权利要求1所述的一种半导体厂房真空泵排气装置，其特征在于：所述第二管道包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：千强，
申请(专利权)人：常州宗千嘉半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。