一种离子门制造技术

本实用新型专利技术提出一种离子门，该离子门包括离子门固定框架、离子门IG

【技术实现步骤摘要】
一种离子门


[0001]本技术涉及离子迁移谱仪领域，尤其是一种离子门。

技术介绍

[0002]迁移时间离子迁移谱（Ion Mobility Spectrometry，IMS）是一种类似飞行时间质谱的脉冲离子团分离与检测技术。注入离子迁移区内离子团的离子数密度直接决定了离子迁移谱检测的灵敏度。
[0003]离子迁移谱的分辨率R=Td/W
0.5 ，Td离子峰出峰位置的时间；W
0.5 为半峰宽，即峰高一半位置的峰宽，在出峰位置不变的情况下，离子峰越窄，分辨率就越高。
[0004]在IMS漂移管种的离子门，通常由导线栅格或金属类似物蚀刻制成，它们通常位于反应区和漂移区之间，贯穿漂移管的内部截面。利用相邻导线间的电压差，在漂移管的截面上建立电场，在漂移电场为150
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450V/cm的漂移管内运动的离子将遇到≧2.5倍漂移电场的栅门电场，并被吸引到导线表面。离子在栅门线上的碰撞导致离子被中和，中性产物跟随单向流动的飘气流经电离源后被排出。
[0005]当导线栅格间的电场被消除，离子将在漂移电场的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子门组件，其特征在于：包括离子门固定框架、离子门IG
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A、绝缘环、离子门IG
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B和压盘；离子门固定框架呈环状，中间轴向设有内圆腔，直径与漂移管内径匹配，外径开设能通过气流的导气槽及进气孔；离子门IG
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A和离子门IG
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B包括设于边框上的纵横交错的栅网，离子门IG
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A和离子门IG
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B平行设于离子门固定框架中，使得两个离子门的栅网位置交错，网格密度加倍，离子控制栅形状为长方形筛孔；绝缘环设于离子门IG
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A和离子门IG
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B的边框之间；压盘将离子门IG
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A和离子门IG
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B固定于离子门固定框架上；离子门IG
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A靠近离子源一侧，连接低电势的控制电极，指离子门IG
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B靠近离子接收电极一侧，连接高电势的控制电极，电场穿过离子门固定框架和纵横交错的栅网。2.根据权利要求1所述的离子门组件，其特征在于，离子门固定框架一个端面开6
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8个安装孔，内嵌钢丝螺套，还开设2
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4个定位孔；压盘为环形组件，环上设置有6
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8个安装孔，安装孔为沉孔设计，螺丝头完全沉入孔内，压盘还开设2
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4个定位孔。3.根据权利要求2所述的离子门组件，其特征在于，所述绝缘环具有与离子门相同的外径，与漂移管相同的内径，环上分布与离子门对应的6
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8个穿插螺丝的孔和2
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4个定位的孔。4.根据权利要求1所述的离子门组件，其特征在于，开门信号控制离子门的开门时刻及开门的时间长度，关门信号控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王灿，李娟，陈桂坤，邵兰，
申请(专利权)人：昆明龙创新辉科技有限公司，
类型：新型
国别省市：