【技术实现步骤摘要】
密封机构及镀膜设备
[0001]本技术涉及薄膜制备设备
,尤其涉及一种密封机构及镀膜设备。
技术介绍
[0002]作为一种精准可控的薄膜材料制备方法,ALD技术已成为半导体芯片制造中热门的材料制备技术,是沉积纳米尺度薄膜的最有效途径之一。根据反应激活方式的不同,ALD可分为传统的热式ALD、等离子体增强ALD、催化ALD等新型技术。其中,由于等离子体可以在较低温度下为衬底表面提供高反应活性且该反应活性可控的反应氛围,对促进薄膜的快速反应生长具有极大的推动作用,等离子体增强ALD脱颖而出且得到了迅速发展,在半导体等诸多领域具有广泛的应用。
[0003]在现有的ALD镀膜设备中,腔门在闭合后其内表面与腔体的内壁之间仍存在较大的间隔空间,当腔体内的气流流经腔门处时,气流容易出现扰动现象,这样不仅影响气流的流动性,同时也使腔体内部存在较大的冗余空间,镀膜设备整体占用空间较大。
[0004]因此,有必要针对上述问题进行改进,以改变现状。
技术实现思路
[0005]本技术提供一种密封机构及镀膜设备,用于 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种密封机构,其特征在于,包括:腔体结构,一侧设有内壁,且所述内壁贯穿设有腔口;以及腔门结构,活动连接于所述腔体结构,且所述腔门结构用于密封所述腔口,所述腔门结构朝向所述内壁的一侧设有内弧面;在所述腔门结构密封所述腔口时,所述内弧面的边缘与所述腔口的边缘齐平,且所述内弧面至少部分与所述内壁齐平。2.根据权利要求1所述的密封机构,其特征在于,在所述密封机构的横截面上,所述内壁和所述内弧面的边缘至少部分为圆弧形,且所述内壁与所述内弧面同心设置。3.根据权利要求1所述的密封机构,其特征在于,所述腔体结构包括腔本体和延伸部,所述内壁设于所述腔本体的一侧,所述延伸部自所述内壁的另一侧向外延伸,且所述延伸部环绕所述腔口设置,在所述腔门结构密封于所述腔口时,所述腔门结构至少部分容置于所述延伸部内。4.根据权利要求3所述的密封机构,其特征在于,所述腔门结构包括密封部盖板部,所述内弧面设于所述密封部的一侧,所述盖板部连接于所述密封部远离所述内弧面的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名,
申请(专利权)人:深圳市原速光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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