半导体装置制造方法及图纸

提供可得到稳定的特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1～第3电极、第1、第2半导体区域和第1构件。第1半导体区域包含Al

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请以日本专利申请2021
‑
202188(申请日2021年12月14日)为基础，从该申请享有优先的利益。本申请通过参考该申请而包含该申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0003]例如，在晶体管等半导体装置中，期望稳定的特性。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方式提供能够得到稳定的特性的半导体装置。
[0005]根据本专利技术的实施方式，半导体装置包含第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域和第1构件。从所述第1电极到所述第2电极的方向沿第1方向。所述第2电极包含第1电极区域和第2电极区域。所述第3电极在所述第1方向上的位置位于所述第1电极在所述第1方向上的位置和所述第2电极在所述第1方向上的位置之间。所述第1半导体区域包含Al
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N(0≤x1<1)。所述第1半导体区域包含第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域和第5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第1电极到所述第2电极的方向沿第1方向，所述第2电极包含第1电极区域和第2电极区域；第3电极，所述第3电极在所述第1方向上的位置位于所述第1电极在所述第1方向上的位置和所述第2电极在所述第1方向上的位置之间；第1半导体区域，所述第1半导体区域包含Al
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N，其中0≤x1<1，所述第1半导体区域包含第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域和第5部分区域，从所述第1部分区域到所述第1电极的方向沿与所述第1方向交叉的第2方向，从所述第2部分区域到所述第2电极的方向沿所述第2方向，从所述第3部分区域到所述第3电极的方向沿所述第2方向，所述第4部分区域在所述第1方向上在所述第1部分区域和所述第3部分区域之间，所述第5部分区域在所述第1方向上在所述第3部分区域和所述第2部分区域之间；第2半导体区域，所述第2半导体区域包含Al
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N，其中x1<x2≤1，所述第2半导体区域包含第1半导体部分和第2半导体部分，从所述第4部分区域到所述第1半导体部分的方向沿所述第2方向，从所述第5部分区域到所述第2半导体部分的方向沿所述第2方向；以及第1构件，所述第1构件包含第1区域和第2区域，所述第2半导体部分在所述第2方向上在所述第5部分区域和所述第1区域之间，所述第2区域的至少一部分在所述第1方向上在所述第1区域的至少一部分和所述第1电极区域之间，所述第2区域的所述至少一部分在所述第2方向上在所述第2半导体部分和所述第2电极区域之间，所述第2区域包含从由Ti、Al、Ga、Ni、Nb、Mo、Ta、Hf、V和Au构成的群选择的至少一种第1元素，所述第1区域不包含所述第1元素，或者所述第1区域中的所述第1元素的浓度低于所述第2区域中的所述第1元素的浓度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2电极包含所述第1元素。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1区域和所述第2区域包含从由氮和氧构成的群选择的至少一种第2元素以及硅。4.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第1电极到所述第2电极的方向沿第1方向，所述第2电极包含第1电极区域和第2电极区域；第3电极，所述第3电极在所述第1方向上的位置位于所述第1电极在所述第1方向上的位置和所述第2电极在所述第1方向上的位置之间；第1半导体区域，所述第1半导体区域包含Al
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N，其中0≤x1<1，所述第1半导体区域包含第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域和第5部分区域，从所述第1部分区域到所述第1电极的方向沿与所述第1方向交叉的第2方向，从所述第2部分区域到所述第2电极的方向沿所述第2方向，从所述第3部分区域到所述第3电极的方向沿所述第2方向，所述第4部分区域在所述第1方向上在所述第1部分区域和所述第3部分区域之间，所述第5部分区域在所述第1方向上在所述第3部分区域和所述第2部分区域之间；
第2半导体区域，所述第2半导体区域包含Al
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N，其中x1<x2≤1，所述第2半导体区域包含第1半导体部分和第2半导体部分，从所述第4部分区域到所述第1半导体部分的方向沿所述第2方向，从所述第5部分区域到所述第2半导体部分的方向沿所述第2方向；以及第1构件，所述第1构件包含第1区域和第2区域，所述第2半导体部分在所述第2方向上在所述第5部分区域和所述第1区域之间，所述第2区域的至少一部分在所述第1方向上在所述第1区域的至少一部分和所述第1电极区域之间，所述第2区域的所述至少一部分在所述第2方向上在所述第2半导体部分和所述第2电极区域之间，所述第1区域包含从由氮和氧构成的群选择的至少一种第2元素以及硅，所述第2区域包含硅，所述第2区域中的硅的浓度高于所述第1区域中的硅的浓度。5.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第1电极到所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶原瑛祐，新留彩，藏口雅彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：