本发明专利技术涉及一种用于均匀地分配电流的电子电路装置(1)，在所述电子电路装置中，在多个MOSFET并联时，应当在线性运行中提高最大损耗功率。这通过如下方式达到，即，电子电路装置(1)包括第一晶体管(T12)和第二晶体管(T22)，其中，第一晶体管(T12)关于第一MOSFET(T11)并且第二晶体管(T22)关于第二MOSFET(T21)在电子电路装置(1)中被布置成，使得在第一MOSFET(T11)和第一晶体管(T12)之间建立起热耦合，在第二MOSFET(T21)和第二晶体管(T22)之间也建立起热耦合。立起热耦合。立起热耦合。
【技术实现步骤摘要】
用于电流分配的电子电路装置
[0001]本专利技术涉及一种用于电流分配的电子电路装置。本专利技术也涉及一种用于均匀地分配电流的方法以及所述电子电路装置在用于模拟电池的电路中的应用。
技术介绍
[0002]存在诸多理由来并联地运行开关元件。例如并联晶体管的一个理由就是能达到更好的散热。对此的前提是均匀的电流分配。
[0003]由现有技术例如已知在图1中的a)和b)中示出的并联的晶体管T1、T2、T3、T4的基本电路。这些电路此外还适用于，将损耗功率，即施加在输入端子6处的电流向着输出端子9分配给多个并联的晶体管T1、T2、T3、T4。在图1中的a)和b)中示出的电子电路分别具有用于控制电压的端子10。但为了电流分配而并联晶体管始终包含了挑战，即，尽可能均匀地分配电流或损耗功率，因此各个元件不会过热。这在电路技术方面虽然很容易做到，例如通过在每个射极线路或源极线路中插入串联电阻R1、R2、R3、R4。但这些串联电阻R1、R2、R3、R4必须相当大，以便安全地防止在宽负载范围内的热击穿或者热失控。但由此可能产生电压下降，电压下降创造额外的损耗功率并且因此可能干扰电流分配。在大电流下的小电压的应用会使电流分配比例如在音频功率放大器或者说音频末级中更为困难。
技术实现思路
[0004]因此，本专利技术的任务是改进现有技术。优选地，提出一种电子电路，在该电子电路中，多个MOSFET并联，以便在MOSFET的主要为线性的运行中提高在均匀分配电流时的最大损耗功率。在专业领域中以及在当前上下文中，MOSFET的“线性的运行”或者“线性的运行方式”指的是MOSFET的一种使用方式，在所述使用方式中MOSFET由于预定义的栅极
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源极电压而不会被完全导通，或者换一种表达：MOSFET在线性运行中在给定的漏极
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源极电流下具有比特别是在完全导通的MOSFET中在给定漏极
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源极电流时能达到的最小的M漏极
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源极电压(或者说第M漏极
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源极电压、M
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te Drain
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Source
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Spannung)高得多的N漏极
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源极电压(或者说第N漏极
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源极电压、N
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te Drain
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Source
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Spannung)。
[0005]该任务通过按照独立权利要求所述的技术主题解决。技术上有利的实施方式是从属权利要求、说明书和附图的主题。
[0006]按照一个方面，本专利技术的技术任务通过一种用于均匀分配电流的电子电路装置解决，所述电子电路装置带有第一MOSFET和第二MOSFET，其中，第一MOSFET和第二MOSFET并联，以便将施加在输入端子处的电流向着电路装置的输出端子分配，其中，输入端子分别与第一MOSFET的漏极端子连接并且与第二MOSFET的漏极端子连接，电子电路装置包括用于控制电压的端子，其中，控制电压施加在第一MOSFET的栅极端子处和第二MOSFET的栅极端子处，第一MOSFET在栅极端子处包括第一电阻并且第二MOSFET在栅极端子处包括第二电阻，第一MOSFET的源极端子与第一源极电阻连接并且第二MOSFET的源极端子与第二源极电阻连接，其中，第一源极电阻和第二源极电阻与电路装置的输出端子连接，其特征在于，电路
装置包括第一晶体管，其中，第一晶体管的基极与第一MOSFET的源极端子连接，电路装置包括第二晶体管，其中，第二晶体管的基极与第二MOSFET的源极端子连接，第一晶体管的射极端子和第二晶体管的射极端子与电源连接，第一晶体管的集电极端子与第一MOSFET的栅极端子并且第二晶体管的集电极端子与第二MOSFET的栅极端子连接，其中，第一晶体管和第二晶体管设置用于均衡流过第一MOSFET的电流和流过第二MOSFET的电流，第一晶体管关于第一MOSFET并且第二晶体管关于第二MOSFET在电路装置中被布置成，使得在第一MOSFET和第一晶体管之间建立起热耦合并且在第二MOSFET和第二晶体管之间也建立起热耦合，其中，第一晶体管和第二晶体管设置用于基于所述热耦合调整相关的MOSFET的栅极电压。
[0007]本专利技术的基本思想是，在每个MOSFET方面如此置放晶体管，使得所述晶体管与MOSFET热耦合。由此达到的技术优点是，晶体管也用作温度感测器或者说热敏元件并且不仅均衡并联的MOSFET之间的电流，而且也均衡在并联的MOSFET之间的温度。在此，电路能够以小的源极电阻工作，这减小了在完全导通状态下的电压损耗。由此可以提高在并联的MOSFET方面的最大损耗功率。
[0008]在电子电路装置的一种技术上有利的实施方式中，第一晶体管在集电极端子处包括第一电容器并且第二晶体管在集电极端子处包括第二电容器。由此达到的技术优点是，改善较高频率下的性能。
[0009]在电子电路装置的一种技术上有利的实施方式中，第一晶体管在集电极端子处包括第一二极管并且第二晶体管在集电极端子处包括第二二极管。由此达到的技术优点是，避免了负的栅极电压的箝位。专业术语“箝位”(引用自英文单词“to clamp”，表示“锁定”或“固定”或“箝紧”等)在当前的上下文中指的是一种过程，所述过程在按本专利技术的电子电路装置内可能在预定义的边缘条件下出现，并且其中，在第一MOSFET处和/或第二MOSFET处，相应施加的栅极
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源极电压通过包括MOSFET的驱控电路被限制在对于按本公开的应用而言非预期的范围内。
[0010]在电子电路装置的一种技术上有利的实施方式中，第一晶体管在射极端子处包括第三电阻并且第二晶体管在射极端子处包括第四电阻。由此达到的技术优点是，第三电阻和第四电阻在一定程度上将第一晶体管和第二晶体管的基极
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射极路径的指数化的电压
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电流特征线进行线性化。由此可以对修正的有效性或者说效果定量。
[0011]在电子电路装置的一种技术上有利的实施方式中，第一晶体管和第二晶体管是双极晶体管。
[0012]在电子电路装置的一种技术上有利的实施方式中，第一MOSFET和第一晶体管借助导热的介质彼此热连接，第二MOSFET和第二晶体管也是如此。借助导热的介质可以确保晶体管之间的热耦合。
[0013]在电子电路装置的一种技术上有利的实施方式中，导热的介质是共同的电路板或印刷电路板的印制导线。
[0014]在电子电路装置的一种技术上有利的实施方式中，多于两个的MOSFET并联。本专利技术并不局限于两个并联的MOSFET。可以将多个MOSFET并联并且借助按本专利技术的电路装置提高最大损耗功率。
[0015]在电子电路装置的一种技术上有利的实施方式中，电子电路装置包括第二电子电路装置，其中，第二电子电路装置对应第一电子电路装置的镜像，其中，在镜像的第二电子
电路装置中，晶体管的掺杂是相反的，二极管的导通方向是相反的，并且电压和电本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于均匀地分配电流的电子电路装置(1)，所述电子电路装置包括：第一MOSFET(T11)和第二MOSFET(T21)，其中，第一MOSFET(T11)和第二MOSFET(T21)并联，以便将施加在输入端子(6)处的电流向着电路装置(1)的输出端子(9)分配，其中，输入端子(6)分别与第一MOSFET(T11)的漏极端子(15)以及与第二MOSFET(T21)的漏极端子(18)连接，电子电路装置(1)包括用于控制电压(10)的端子，其中，所述控制电压施加在第一MOSFET(T11)的栅极端子(14)处和第二MOSFET(T21)的栅极端子(17)处，第一MOSFET(T11)在栅极端子(14)处包括第一电阻(R11)并且第二MOSFET(T21)在栅极端子(17)处包括第二电阻(R21)，第一MOSFET(T11)的源极端子(13)与第一源极电阻(R13)连接并且第二MOSFET(T21)的源极端子(16)与第二源极电阻(R23)连接，其中，第一源极电阻(R13)和第二源极电阻(R23)与电路装置(1)的输出端子(9)连接，其中，电路装置(1)包括第一晶体管(T12)，并且第一晶体管(T12)的基极(20)与第一MOSFET(T11)的源极端子(13)连接，电路装置包括第二晶体管(T22)，第二晶体管(T22)的基极(21)与第二MOSFET(T21)的源极端子(16)连接，第一晶体管(T12)的射极端子(22)和第二晶体管(T22)的射极端子(23)与电源(2)连接，第一晶体管(T12)的集电极端子(24)与第一MOSFET(T11)的栅极端子(14)连接并且第二晶体管(T22)的集电极端子(25)与第二MOSFET(T21)栅极端子(17)连接，其中，第一晶体管(T12)和第二晶体管(T22)设置用于均衡流过第一MOSFET(T11)的电流和流过第二MOSFET(T21)的电流，第一晶体管(T12)关于第一MOSFET(T11)并且第二晶体管(T22)关于第二MOSFET(T21)在电路装置中被布置成，使得在第一MOSFET(T11)和第一晶体管(T12)之间建立起热耦合(19)，在第二MOSFET(T21)和第二晶体管(T22)之间也建立起热耦合，其中，第一晶体管(T12)和第二晶体管(T22)被设置成，基于热耦合(19)调整相关的MOSFET(T11、T21)的栅极电压。2.按照权利要求1所述的电子电路装置(1)，其特征在于，所述第一晶体管(T12)在集电极端子(24)处包括第一电容器(C11)并且所述第二晶体管(T22)在集电极端子(25)处包括第二电容器(C21)。3.按照前述权利要求中任一项所述的电子电路装置(1)，其特征在于，所述第一晶体管(T12)在集电极端子(24)处包括第一二极管(D11)并且...
【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：德斯拜思有限公司，
类型：发明
国别省市：
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