【技术实现步骤摘要】
用于电流分配的电子电路装置
[0001]本专利技术涉及一种用于电流分配的电子电路装置。本专利技术也涉及一种用于均匀地分配电流的方法以及所述电子电路装置在用于模拟电池的电路中的应用。
技术介绍
[0002]存在诸多理由来并联地运行开关元件。例如并联晶体管的一个理由就是能达到更好的散热。对此的前提是均匀的电流分配。
[0003]由现有技术例如已知在图1中的a)和b)中示出的并联的晶体管T1、T2、T3、T4的基本电路。这些电路此外还适用于，将损耗功率，即施加在输入端子6处的电流向着输出端子9分配给多个并联的晶体管T1、T2、T3、T4。在图1中的a)和b)中示出的电子电路分别具有用于控制电压的端子10。但为了电流分配而并联晶体管始终包含了挑战，即，尽可能均匀地分配电流或损耗功率，因此各个元件不会过热。这在电路技术方面虽然很容易做到，例如通过在每个射极线路或源极线路中插入串联电阻R1、R2、R3、R4。但这些串联电阻R1、R2、R3、R4必须相当大，以便安全地防止在宽负载范围内的热击穿或者热失控。但由此可能产生电压下降，电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于均匀地分配电流的电子电路装置(1)，所述电子电路装置包括：第一MOSFET(T11)和第二MOSFET(T21)，其中，第一MOSFET(T11)和第二MOSFET(T21)并联，以便将施加在输入端子(6)处的电流向着电路装置(1)的输出端子(9)分配，其中，输入端子(6)分别与第一MOSFET(T11)的漏极端子(15)以及与第二MOSFET(T21)的漏极端子(18)连接，电子电路装置(1)包括用于控制电压(10)的端子，其中，所述控制电压施加在第一MOSFET(T11)的栅极端子(14)处和第二MOSFET(T21)的栅极端子(17)处，第一MOSFET(T11)在栅极端子(14)处包括第一电阻(R11)并且第二MOSFET(T21)在栅极端子(17)处包括第二电阻(R21)，第一MOSFET(T11)的源极端子(13)与第一源极电阻(R13)连接并且第二MOSFET(T21)的源极端子(16)与第二源极电阻(R23)连接，其中，第一源极电阻(R13)和第二源极电阻(R23)与电路装置(1)的输出端子(9)连接，其中，电路装置(1)包括第一晶体管(T12)，并且第一晶体管(T12)的基极(20)与第一MOSFET(T11)的源极端子(13)连接，电路装置包括第二晶体管(T22)，第二晶体管(T22)的基极(21)与第二MOSFET(T21)的源极端子(16)连接，第一晶体管(T12)的射极端子(22)和第二晶体管(T22)的射极端子(23)与电源(2)连接，第一晶体管(T12)的集电极端子(24)与第一MOSFET(T11)的栅极端子(14)连接并且第二晶体管(T22)的集电极端子(25)与第二MOSFET(T21)栅极端子(17)连接，其中，第一晶体管(T12)和第二晶体管(T22)设置用于均衡流过第一MOSFET(T11)的电流和流过第二MOSFET(T21)的电流，第一晶体管(T12)关于第一MOSFET(T11)并且第二晶体管(T22)关于第二MOSFET(T21)在电路装置中被布置成，使得在第一MOSFET(T11)和第一晶体管(T12)之间建立起热耦合(19)，在第二MOSFET(T21)和第二晶体管(T22)之间也建立起热耦合，其中，第一晶体管(T12)和第二晶体管(T22)被设置成，基于热耦合(19)调整相关的MOSFET(T11、T21)的栅极电压。2.按照权利要求1所述的电子电路装置(1)，其特征在于，所述第一晶体管(T12)在集电极端子(24)处包括第一电容器(C11)并且所述第二晶体管(T22)在集电极端子(25)处包括第二电容器(C21)。3.按照前述权利要求中任一项所述的电子电路装置(1)，其特征在于，所述第一晶体管(T12)在集电极端子(24)处包括第一二极管(D11)并且...
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