阶梯封装和凹陷电路板制造技术

本申请公开了阶梯封装和凹陷电路板。一种装置包括封装，该封装包括第一侧，来与至少一个芯片对接；以及第二侧，来与电路板对接，第二侧与第一侧是相反的，其中，第二侧包括非阶梯部分，该非阶梯部分包括第一多个导电接触件；以及从非阶梯部分突出的阶梯部分，阶梯部分包括第二多个导电接触件。括第二多个导电接触件。括第二多个导电接触件。

【技术实现步骤摘要】
阶梯封装和凹陷电路板


[0001]本公开涉及阶梯封装和凹陷电路板。

技术介绍

[0002]封装可以包括一个或多个芯片。该封装可以与包括多个导电层的电路板对接，以在一个或多个芯片和与电路板耦合的一个或多个其他组件之间路由信号。

技术实现思路

[0003]根据本公开的第一方面，提供了一种装置，包括：封装，所述封装包括：第一侧，用于与至少一个芯片对接；以及第二侧，用于与电路板对接，所述第二侧与所述第一侧是相反的，其中，所述第二侧包括：非阶梯部分，所述非阶梯部分包括第一多个导电接触件；以及从所述非阶梯部分突出的阶梯部分，所述阶梯部分包括第二多个导电接触件。
[0004]根据本公开的第二方面，提供了一种电路板，包括：多个导电层，所述多个导电层包括顶部导电层、底部导电层以及所述顶部导电层和所述底部导电层之间的多个内部导电层；以及第一侧，所述第一侧包括非凹陷部分和凹陷部分，其中，所述非凹陷部分包括到所述顶部导电层的多个导电接触件，其中，所述凹陷部分包括到所述多个导电层中的内部导电层的第二多个导电接触件。
[0005]根据本公开的第三方面，提供了一种方法，包括：形成封装，所述封装包括：第一侧，用于与至少一个芯片对接；第二侧，用于与电路板对接，所述第二侧与所述第一侧是相反的，其中，所述第二侧包括：非阶梯部分，所述非阶梯部分包括第一多个导电接触件；以及从所述非阶梯部分突出的阶梯部分，所述阶梯部分包括第二多个导电接触件。
[0006]根据本公开的第四方面，提供了一种方法，包括：形成电路板，所述电路板包括：多个导电层，所述多个导电层包括顶部导电层、底部导电层以及所述顶部导电层和所述底部导电层之间的多个内部导电层；以及第一侧，所述第一侧包括非凹陷部分和凹陷部分，其中，所述非凹陷部分包括到所述顶部导电层的多个导电接触件，其中，所述凹陷部分包括到所述多个导电层中的内部导电层的第二多个导电接触件。
附图说明
[0007]图1A
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1C图示了根据某些实施例的将封装和电路板与阶梯封装和凹陷电路板进行比较的截面图和顶视图。
[0008]图2图示了根据某些实施例的阶梯封装和凹陷电路板的截面。
[0009]图3图示了根据某些实施例的具有多种焊球尺寸的阶梯封装和凹陷电路板的截面。
[0010]图4图示了根据某些实施例的多层级阶梯封装和多层级凹陷电路板的截面。
[0011]图5图示了根据某些实施例的具有多个凹陷区域的多层级阶梯封装和多层级凹陷电路板的截面。
[0012]图6A
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6H图示了根据某些实施例的用于形成阶梯封装的流程。
[0013]图7A
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7G图示了根据某些实施例的用于形成凹陷电路板的流程。
[0014]图8图示了根据某些实施例的示例计算机系统。
[0015]图9图示了根据各种实施例的计算系统中存在的组件的框图。
[0016]图10图示了根据各种实施例的另一计算系统的框图。
[0017]在各个附图中相似的参考标号和命名指示相似的元素。
具体实施方式
[0018]图1A
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1C图示了根据某些实施例的将封装102和电路板104与阶梯封装106和凹陷电路板108进行比较的截面图和顶视图。封装102的一侧可以与一个或多个芯片110(例如，110A、110B和110C)对接。例如，封装的顶侧可以包括与芯片110的导电接触件耦合(例如，经由焊接连接)的导电接触件(例如，焊盘)。封装102的与第一侧相反的另一侧可以与电路板104对接。例如，封装102的底侧可以包括多个导电接触件112(例如，焊盘)。焊球114可以形成在导电接触件112上，并且用于将封装102的导电接触件112与电路板104的对应导电接触件116耦合。导电接触件可以包括以任何合适的形状布置的任何合适的导电材料(例如，铜)。
[0019]电路板104包括核心层118和多个交替的导电层120和绝缘层122，其中导电层120可以在电路板104的同一平面上具有任意数目的不同(例如，电隔离的)互连。电路板104还包括多个镀通孔(plated through hole，PTH)过孔124。PTH过孔124(例如，124A、124B)可以包括穿过电路板104的孔，并且其壁上镀敷有导电材料(例如，铜)。PTH过孔124可以提供从电路板104的一个导电层120的互连到另一个导电层120的互连的导电路径。例如，在所描绘的实施例中，芯片110A的第一导电接触件可以通过封装102的互连126A耦合到封装的另一侧上的导电接触件，通过焊球耦合到电路板104的第一导电层的互连上，通过PTH过孔124A耦合到电路板的第六导电层120A的互连。作为另一个示例，在所描绘的实施例中，芯片110A的第二导电接触件可以通过封装102的互连126B耦合到封装的另一侧上的导电接触件，通过焊球耦合到电路板104的第一导电层的互连上，通过PTH过孔124B耦合到电路板的第三导电层120B的互连。
[0020]尽管PTH过孔124提供了连通性，但由于通过PTH过孔短截线(via stub)的信号路径长度过长(因为PTH过孔可能穿过电路板的所有层，而不是从一个导电层到目标导电层)，通过PTH过孔124路由的高频输入/输出信号可能受到反射的负面影响。例如，通过PTH过孔124B路由到第3层的信号，由于PTH过孔在电路板上一直延伸经过第7层，可能会受到噪声反射的影响。虽然这个问题可以通过使用从一层到目标层的激光钻孔过孔来缓解(例如，就像在第4型印刷电路板(printed circuit board，PCB)上可能进行的那样)，但这样的实现方式可能比利用PTH过孔连通性的电路板(例如，在第3型PCB中)更昂贵。
[0021]由于信号质量问题，某些更高速的I/O信号(例如，40G Thunderbolt、PCIE Gen5、LP5 6400MT/s，等等)可能无法通过PTH过孔短截线来路由。因此，这样的信号可能需要使用电路板的顶部或底部导电层。然而，这样的限制可能会造成信号完整性和电磁兼容性(electromagnetic compatibility，EMC)/电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)问题。例如，电路板的顶层可能完全被组件突发(component breakout)所消耗，从而使
得难以干净地路由整个总线。作为另一个示例，电路板的顶部和底部导电层可以使用微带路由，这对于高速路由可能不是理想的(例如，由于只具有一个参考平面)，这继而导致造成过度串扰。另外，在顶部或底部导电层上路由的信号可能要求比内部带状线层更宽的迹线和更大的迹线间分隔，以满足相同的阻抗目标并且具有合适的串扰耦合。在顶部和底部导电层上路由可能会造成更多的EMC/EMI问题，这是由于缺乏电源/GND层来屏蔽信号迹线(并且这个问题随着信号频率持续提高而恶化)。最后，在上层导电层上路由的信号将具有更长的PTH过孔短截线，这些更长的P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：封装，所述封装包括：第一侧，用于与至少一个芯片对接；以及第二侧，用于与电路板对接，所述第二侧与所述第一侧是相反的，其中，所述第二侧包括：非阶梯部分，所述非阶梯部分包括第一多个导电接触件；以及从所述非阶梯部分突出的阶梯部分，所述阶梯部分包括第二多个导电接触件。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述非阶梯部分包括与所述第一多个导电接触件耦合的第一多个焊球，其中，所述阶梯部分包括与所述第二多个导电接触件耦合的第二多个焊球。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第二多个焊球的高度大于所述第一多个焊球的高度。4.根据权利要求1所述的装置，所述第二侧还包括从所述阶梯部分突出的第二阶梯部分，所述第二阶梯部分包括第三多个导电接触件。5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第二阶梯部分通过所述电路板的孔隙与第二封装对接。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一多个导电接触件和所述第二多个导电接触件被布置成网格阵列。7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其中，所述封装包括与所述封装的第一侧耦合的芯片。8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述非阶梯部分围绕所述阶梯部分。9.根据权利要求1至8中任一项所述的装置，还包括所述电路板，所述电路板包括：非凹陷部分，用于与所述封装的第二侧的非阶梯部分对接；以及凹陷部分，用于与所述封装的第二侧的阶梯部分对接。10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述电路板包括所述凹陷部分内的孔隙，其中，所述孔隙包括通过所述孔隙与所述封装耦合的第二封装。11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述第二封装包括具有非阶梯部分和阶梯部分的侧面，其中，所述第二封装的阶梯部分通过所述孔隙与所述封装耦合。12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述封装包括芯片，所述芯片包括处理器。13.根据权利要求12所述的装置，还包括：与所述处理器通信地耦合的电池、与所述处理器通信地耦合的显示器、或与所述处理器通信地耦合的网络接口。14.一种电路板，包括：多个导电层，所述多个导电层包括顶部导电层、底部导电层以及所述顶部导电层和所述底部导电层之间的多个内部导电层；以及第一侧，所述第一侧包括非凹陷部分和凹陷部分，其中，所述非凹陷部分包括到所述顶部导电层的多个导电接触件，其中，所述凹陷部分包括到所述多个导电层中的内部导电层的第二多个导电接触件。15.根据权利要求14所述的电路板，所述第一侧包括第二凹陷部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑马丁，蔡镇培，吴荣发，林子安，林洺雪，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：