【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种用于晶片频率腐蚀的方法及其设备,属于腐蚀晶片
技术介绍
现有技术中用于晶片腐蚀的工艺方法包括如下工艺步骤1) 腐蚀液的配置;2) 来料进行抽测几片,并记录下晶片的频率,进行计算出要腐蚀的大致 时间;3) 用手拿着放好晶片的腐蚀篮放到腐蚀液中进行晃动腐蚀;4) 腐蚀到计算时间的一半时进行计算出要腐蚀的速率以及计算腐蚀时间;5) 将腐蚀好的晶片用热水冲洗干净,倒入放有盐酸稀释液的容器中,用 超声波超声30分钟;6) 晶片清洗热水清洗三次一温水洗三次一电磁炉纯净水煮沸5分钟一 酒精脱水一烘干。上述工艺缺陷人工进行腐蚀,腐蚀的效率低, 一人只能操作一台,一 台仅能腐蚀1篮/次;腐蚀频率管控需操作人进行人工计算腐蚀速率;腐蚀完 后晶片清洗用手工进行清洗,增加人力。
技术实现思路
本专利技术提出一种用于晶片频率腐蚀的方法及其设备,旨在克服现有技术 所存在的上述缺陷,实现加工自动化,减少了因人为因素所造成的产品质量 不稳定,从而有效地提高了生产效率,保证了产品质量的一致性。本专利技术的技术解决方案 一种用于晶片频率腐蚀的方法,其特征是该方 ...
【技术保护点】
一种用于晶片频率腐蚀的方法,其特征是该方法包括如下工艺步骤: 一、腐蚀液的配置: F>30MHz时氟化氢铵水溶液(电子级),分子式:NH4HF2,分子量:57.04,含量33%±1%,密度为1.09~1.10g/ml;17L氟化 氢铵水溶液放到腐蚀槽内,温度65±2℃; 二、腐蚀数量:F≤17MHz1000~2000片/篮,F>17MHz1500~2000/篮;式中的F是频率;晶片的规格,共4篮; 三、受电机控制的腐蚀槽振动架,在电机的控制下作上下运动: 1~1.5次/秒(晶片型号HC-49U/S); 四、从将腐蚀的晶片中随机抽测 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王玉香,肖玉森,
申请(专利权)人:南京德研电子有限公司,
类型:发明
国别省市:84[中国|南京]
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