晶片载放台制造技术

本发明专利技术提供一种晶片载放台，抑制导电过孔的发热。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其具有晶片载放面(20a)；加热器电极(30)，其植入于陶瓷基材(20)；以及内部过孔(54)，其一端与加热器电极(30)连接。内部过孔(54)是将上方柱状部件(54a)及下方柱状部件(54b)沿着上下方向连结而得到的，上方柱状部件(54a)及下方柱状部件(54b)中的一者的连结面的面积大于另一者的连结面的面积。者的连结面的面积。者的连结面的面积。

【技术实现步骤摘要】
晶片载放台


[0001]本专利技术涉及一种晶片载放台。

技术介绍

[0002]以往，作为晶片载放台，已知有如下晶片载放台，该晶片载放台具备：陶瓷基材，其具有晶片载放面；导电层，其植入于陶瓷基材；以及导电过孔，其与导电层连接。例如，专利文献1中公开了：作为上述晶片载放台，自晶片载放面侧开始，针对各区段设置的电阻发热体、以及向电阻发热体供电的多层跳线依次被植入于陶瓷基材，且具备将电阻发热体和跳线沿着上下方向连结的导电过孔。电阻发热体及跳线相当于导电层。作为上述晶片载放台的陶瓷基材，多数情况下采用多层结构体。这种情况下，导电过孔是将上下2个柱状部件连结而形成的。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2021/054322号小册子

技术实现思路

[0006]然而，陶瓷基材为多层结构体的情况下，在晶片载放台的制造工序中，将相互处于上下关系的层的柱状部件彼此连结，当柱状部件彼此错位连结时，连结部分的接触面积变小，因此，有时导电过孔发热。如果导电过孔发热，则晶片的均热性受损本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片载放台，该晶片载放台具备：陶瓷基材，该陶瓷基材具有晶片载放面；第一导电层，该第一导电层被植入于所述陶瓷基材；以及导电过孔，该导电过孔的一端与所述第一导电层连接，其特征在于，所述导电过孔是将多个柱状部件沿着上下方向连结而得到的，相互连结的2个所述柱状部件中的一者的连结面的面积大于另一者的连结面的面积。2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其特征在于，所述陶瓷基材为多层结构体，所述柱状部件的连结面位于所述多层结构体的层间。3.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，所述多个柱状部件含有与所述陶瓷基材相同的陶瓷材料，在相互连结的2个所述柱状部件之中，所述连结面的面积大这一方的所述柱状部件的所述陶瓷材料的含有率大于所述连结面的面积小这一方的所述柱状部件的所述陶瓷材料的含有率。4.一种晶片载放台，该晶片载放台具备：陶瓷基材，该陶瓷基材具有晶片载放面；第一导电层，该第一导电层被植入于所述陶瓷基材；以及导电过孔，该导电过孔的一端与所述第一导电层连接，其特征在于，所述导电过孔是将多个柱状...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉本博哉，石川征树，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：