储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法技术

本申请公开了一种储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法，用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法包括：包覆步骤，用于在硅粉表面包覆碳化硅层，得到碳化硅层包覆粒子；混合步骤，用于使碳化硅层包覆粒子与金属锂粉混合，得到混合物；热处理步骤，用于对混合物进行热处理，得到包含未反应物质的固体产物；后处理步骤，用于对包含未反应物质的固体产物进行洗涤处理，得到储锂碳化硅孪晶材料。本申请提供的用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法，充分利用了热化学方法的工艺特点，能够制备得到具备储锂功能的碳化硅孪晶材料，且该储锂碳化硅孪晶材料具备较高的储锂容量，由此其在用作电池正极材料时能够极大提升电池的能量密度。够极大提升电池的能量密度。够极大提升电池的能量密度。

【技术实现步骤摘要】
储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法


[0001]本申请属于电池
，具体涉及一种储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]以锂离子二次电池为代表的二次电池是一种高容量长寿命环保电池，具有电压高、比能量大、循环寿命长、安全性能好、自放电小、无记忆效应、可快速充放电、工作温度范围宽等诸多优点，广泛应用于储能、电动汽车、便携式电子产品等领域。
[0003]随着科学技术的发展和成熟，锂离子电池的应用越来越广泛，人们对锂离子电池的能量密度提出了更高的要求。然而，对于现有的正极电极材料体系下的传统正极材料而言，目前常用的磷酸铁锂、三元等正极材料，由于受限于较低的储锂容量，因而能量密度无法满足需求。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种具备高储锂容量的储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法。
[0005]本申请第一方面提供一种用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法，包括：
[0006]包覆步骤，用于在硅粉表面包覆碳化硅层，得到碳化硅层包覆粒子；
[0007]混合步骤，用于使碳化硅层包覆粒子与金属锂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法，其特征在于，包括：包覆步骤，用于在硅粉表面包覆碳化硅层，得到碳化硅层包覆粒子；混合步骤，用于使所述碳化硅层包覆粒子与金属锂粉混合，得到混合物；热处理步骤，用于对所述混合物进行热处理，得到包含未反应物质的固体产物；后处理步骤，用于对所述包含未反应物质的固体产物进行洗涤处理，得到储锂碳化硅孪晶材料。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合步骤包括将摩尔比为1:(0.1～10)、优选为1:(1～5)的所述碳化硅层包覆粒子与所述金属锂粉混合。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述热处理步骤包括在200～600℃、优选为300～500℃的温度下对所述混合物进行0.1～60h、优选为5～40h的热处理。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述包覆步骤包括：通过向所述硅粉中通入乙烯反应气体并进行热处理，得到所述碳化硅层包覆粒子。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述包覆步骤进...

【专利技术属性】
技术研发人员：张迪，张晨曦，魏飞，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：