一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器制造技术

本发明专利技术公开了一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器，其结构包括衬底、底部布拉格反射层、谐振腔层、下电极、介电间隔层、上电极、可互相静电栅控的石墨烯双层结构及顶部布拉格反射层。该吸收器基于法布里

【技术实现步骤摘要】
一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器


[0001]本专利技术涉及纳米光子学、二维材料光吸收等领域，具体是一种基于分布式布拉格镜面微腔以及可静电调控的石墨烯的从可见到中红外可调谐的超窄带完美吸收器。

技术介绍

[0002]许多重要应用都非常需要超窄带吸收器，例如滤光片、高选择性热发射器、光学传感器和光电探测器。最近，基于光子结构获得光学特性的动态可调是一种在高集成度光电器件中实现主动控制的有前途的方法，已经成为一个研究热点。其中，可调谐的超窄带完美吸收器将在下一代有源光子器件中发挥重要作用。石墨烯因其非凡的电子特性和光学特性，如从紫外线到太赫兹的宽频带光响应以及达到几十个GHz的超快响应速度等，在光子和光电子应用中引起了广泛的兴趣。特别是，石墨烯的复数电导率可以通过静电栅压有效调控，具有作为可调谐光吸收器的活性介质的潜力。然而，目前提出的许多基于石墨烯和光子结构的动态可调的超窄带吸收器件，存在光功能和电功能不兼容、工作波长范围小以及由于光子结构自身的吸收而导致的光谱精度和调制深度受限等问题。因此，如何在实现完美吸收的同时兼顾超窄带可调谐等特性是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器，其特征在于：所述的吸收器结构为：在衬底(1)上有底部布拉格反射层(2)、由第一可相互静电栅控的石墨烯层(3
‑
1)、介电间隔层(3
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2)、第二可相互静电栅控的石墨烯层(3
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3)构成的谐振腔(3)位于底部布拉格反射层(2)上、第一可相互静电栅控的石墨烯层(3
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1)上有下电极(4)、第二可相互静电栅控的石墨烯层(3
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3)上有上电极(5)及谐振腔(3)上有顶部布拉格反射层(6)；所述的衬底(1)是表面有300nm厚的SiO2膜的Si衬底；所述的谐振腔层(3)包括第一可相互静电栅控的石墨烯层(3

【专利技术属性】
技术研发人员：周靖，余宇，代旭，储泽世，李方哲，布勇浩，祝天运，甄玉冉，邓杰，陈效双，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：