本实用新型专利技术涉及一种反射膜，包括依次层叠设置的基膜、反射层以及保护层，保护层包括层叠设置的半导体掺杂化合物层和金属氮化物层，半导体掺杂化合物层层叠设置于反射层与金属氮化物层之间。本实用新型专利技术的反射膜通过在反射层上设置保护层，可以提升反射膜的耐候性能，使其不易被氧气或水分腐蚀，增大反射膜的使用范围以及使用寿命，在盐雾2000h腐蚀深度实验中，反射膜可以在保持全光谱反射率94％以上的情况下，腐蚀深度小于2mm。腐蚀深度小于2mm。腐蚀深度小于2mm。
【技术实现步骤摘要】
反射膜
[0001]本技术涉及薄膜
，特别是涉及反射膜。
技术介绍
[0002]基于金属反射层的反射膜，在紫外、可见波段的反射率都比较低，其中，铝膜和银膜是最常用的基于金属反射层的反射膜。银反射膜从可见到红外波段具有优异的反射效率，因此为最常见的宽带高反射膜材料，然而银层在使用过程中极易被空气中的氧气和水分所腐蚀，从而丧失其高反射性能。
[0003]为克服上述技术缺陷，传统技术为在反射膜的金属层上溅镀一层或多层金属或金属氧化物作为保护层，但是此方法在实际使用的过程中，特别是户外使用中，由于保护层的致密性以及保护层与金属层的粘连性有限，容易使氧气和水分渗入金属层，导致金属层被腐蚀，进而造成反射膜在复杂多变的环境下丧失反射性能。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要针对上述问题，提供一种反射膜，该反射膜具有耐候性好、使用范围广、使用寿命长的特点。
[0005]一种反射膜，包括依次层叠设置的基膜、反射层以及保护层，所述保护层包括层叠设置的半导体掺杂化合物层和金属氮化物层，所述半导体掺杂化合物层层叠设置于所述反射层与所述金属氮化物层之间。
[0006]在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为35nm
‑
45nm，所述半导体掺杂化合物层和所述金属氮化物层的厚度比为1:1
‑
5:3。
[0007]在其中一个实施例中，所述半导体掺杂化合物层选自AZO层、ITO层、IZO层、ZTO层或GZO层。
[0008]在其中一个实施例中，所述金属氮化物层选自NiCrN层、Mg3N2层、AlN层、CrN层、HfN层、TaN层、TiN层、TiAlN层或ZrN层。
[0009]在其中一个实施例中，所述基膜与所述反射层之间还设置有介质层，所述介质层的厚度为0.5nm
‑
3nm。
[0010]在其中一个实施例中，所述介质层选自ZTO层、ZnO层、AZO层、ITO层、NiCr层、NiCrN层、TiO2层、SiO2层或Al2O3层。
[0011]在其中一个实施例中，所述反射层与所述保护层之间还设置有合金层，所述合金层的厚度为10nm
‑
30nm。
[0012]在其中一个实施例中，所述合金层选自银合金层。
[0013]在其中一个实施例中，所述反射层的厚度与所述合金层的厚度比为8:3
‑
15:1。
[0014]在其中一个实施例中，所述反射层选自银层；
[0015]及/或，所述基膜选自聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯
‑
1,4
‑
环己烷二甲醇酯膜或聚甲基丙烯酸甲酯膜，所述基膜的厚度为20μm
‑
200μm。
[0016]本技术的反射膜包括基膜、反射层和保护层，其中保护层为紧贴反射层设置的半导体掺杂化合物层和金属氮化物层，首先，半导体掺杂化合物层和金属氮化物层透光性较好，能够保持反射膜的高反射率，其次，半导体掺杂化合物层和金属氮化物层的致密性和稳定性好，可以阻隔水氧侵蚀，从而最大限度的提升反射层的耐候效果，再者，半导体掺杂化合物层与金属氮化物层间附着性好，金属氮化物层与反射层之间粘附性强，可以避免反射膜因整体厚度过厚导致的附着力下降的问题。
[0017]从而，通过在反射层上设置保护层，可以提升反射膜的耐候性能，使其不易被氧气或水分腐蚀，增大反射膜的使用范围以及使用寿命，在盐雾2000h腐蚀深度实验中，反射膜可以在保持全光谱反射率94％以上的情况下，腐蚀深度小于2mm。
附图说明
[0018]图1为本技术提供的第一实施方式的反射膜的结构示意图；
[0019]图2为本技术提供的第二实施方式的反射膜的结构示意图；
[0020]图3为本技术提供的第三实施方式的反射膜的结构示意图；
[0021]图4为本技术提供的第四实施方式的反射膜的结构示意图。
[0022]图中，10、基膜；20、反射层；30、保护层；301、半导体掺杂化合物层；302、金属氮化物层；40、介质层；50、合金层。
具体实施方式
[0023]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0024]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0025]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0026]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技
术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0027]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0028]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0029]结合图1所示，为本技术提供本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反射膜，其特征在于，包括依次层叠设置的基膜、反射层、合金层以及保护层，所述保护层包括层叠设置的半导体掺杂化合物层和金属氮化物层，所述半导体掺杂化合物层层叠设置于所述合金层与所述金属氮化物层之间，其中，所述保护层的厚度为35nm
‑
45nm，所述半导体掺杂化合物层和所述金属氮化物层的厚度比为1:1
‑
5:3，所述反射层的厚度与所述合金层的厚度比为8:3
‑
15:1。2.根据权利要求1所述的反射膜，其特征在于，所述半导体掺杂化合物层选自AZO层、ITO层、IZO层、ZTO层或GZO层。3.根据权利要求1所述的反射膜，其特征在于，所述金属氮化物层选自NiCrN层、Mg3N2层、AlN层、CrN层、HfN层、TaN层、TiN层、TiAlN层或ZrN层。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的反射膜，其特征在于，所述基膜与所述反射层之间还设置有介质...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐静涛，杨荣贵，
申请(专利权)人：宁波瑞凌新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。