一种带有缓冲结构的MOS管制造技术

本申请涉及半导体电子元件技术领域，尤其是涉及一种带有缓冲结构的MOS管，其包括管体、芯片和若干活动引脚，芯片设于管体内，管体外设有缓冲部，管体上设有与若干活动引脚一一对应的若干安装孔，活动引脚一端位于管体内，与芯片电性连接，另一端位于管体外部，活动引脚的长度和角度呈可调节设置。本申请可对MOS管进行缓冲保护。进行缓冲保护。进行缓冲保护。

【技术实现步骤摘要】
一种带有缓冲结构的MOS管


[0001]本申请涉及半导体电子元件
，尤其是涉及一种带有缓冲结构的MOS管。

技术介绍

[0002]MOS管是金属—氧化物—半导体场效应电晶体管，或者称为金属—绝缘体—半导体场效应电晶体管，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。MOS管具有多种功能，例如开关功能和阻断功能，MOS管的使用给电子设备带来了极大的便利性，常被用在电机驱动、电源、电池保护等领域。MOS管可能被用于一些移动设备中，这些设备移动的过程中，会产生震动，此时MOS管可能会与周围部件发生硬性碰撞，从而使MOS管内部结构受损，故需对MOS管进行缓冲保护。

技术实现思路

[0003]为了对MOS管进行缓冲保护，本申请提供一种带有缓冲结构的MOS管。
[0004]本申请提供的一种带有缓冲结构的MOS管采用如下的技术方案：
[0005]一种带有缓冲结构的MOS管，包括管体、芯片和若干活动引脚，所述芯片设于所述管体内，所述管体外设有缓冲部，所述管体上设有与若干所述活动引脚一一对应的若干安装孔，所述活动引脚一端位于所述管体内，与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有缓冲结构的MOS管，其特征在于，包括管体(1)、芯片(2)和若干活动引脚(3)，所述芯片(2)设于所述管体(1)内，所述管体(1)外设有缓冲部(4)，所述管体(1)上设有与若干所述活动引脚(3)一一对应的若干安装孔(5)，所述活动引脚(3)一端位于所述管体(1)内，与所述芯片(2)电性连接，另一端位于所述管体(1)外部，所述活动引脚(3)的长度和角度呈可调节设置。2.根据权利要求1所述的一种带有缓冲结构的MOS管，其特征在于，所述缓冲部(4)包括垫片(41)和弹簧(42)，所述弹簧(42)位于所述垫片(41)与所述管体(1)之间，所述弹簧(42)一侧与所述管体(1)连接，另一侧与所述垫片(41)连接。3.根据权利要求2所述的一种带有缓冲结构的MOS管，其特征在于，所述垫片(41)靠近所述管体(1)一侧设有缓冲层(6)，所述缓冲层(6)用于与所述管体(1)底部相抵。4.根据权利要求1所述的一种带有缓冲结构的MOS管，其特征在于，所述活动引脚(3)包括连接件(31)和转动件(32)，所述连接件(31)固定于所述安装孔(5)内，所述连接件(31)与所述芯片(2)电性连接，所述转动件(32)穿过所述安装孔(5)与所述连接件(31)转动连接且电导通，所述转动件(32)长度可调节。5.根据权利要求4所述的一种带有缓冲结构的MOS管，其特征在于，所述转动件(32)一端为球...

【专利技术属性】
技术研发人员：任炜强，
申请(专利权)人：深圳真茂佳半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：