温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体电子元件技术领域，尤其是涉及一种带有缓冲结构的MOS管，其包括管体、芯片和若干活动引脚，芯片设于管体内，管体外设有缓冲部，管体上设有与若干活动引脚一一对应的若干安装孔，活动引脚一端位于管体内，与芯片电性连接，另一端位于管体外...
该专利属于深圳真茂佳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳真茂佳半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。