电致发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种电致发光器件及其制备方法、显示装置，该电致发光器件通过在发光层和载流子传输层之间设置导电聚合物层，所述导电聚合物层的材料包括掺杂的导电聚合物，由于导电聚合物在掺杂后导电性会大幅提升，因此将其插入在发光层和载流子传输层之间可通过提高载流子的传输，实现载流子复合效率的提高，从而提升器件的效率和亮度。而提升器件的效率和亮度。而提升器件的效率和亮度。

【技术实现步骤摘要】
电致发光器件及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种电致发光器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]电致发光又称电场发光，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。
[0003]QLED(Quantum Dots Light
‑
Emitting Diode，量子点发光二极管)是一种新兴的电致发光器件，因其具备高亮度、低功耗、广色域、高色纯度、易加工等优异特点，在显示领域具有巨大的发展前景。QLED器件通常是多层的结构，一般基本结构为空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。QLED核心技术为“Quantum Dot(量子点)”，量子点是一种粒子直径不足10nm的颗粒，由锌、镉、硫、硒原子组成。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可以调节，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的画面更加的清晰明亮。
[0004]目前，经过多年的发展，QLED技术获得了很大的突破与发展，然而QLED的效率与亮度等性能仍有待提高。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种电致发光器件及其制备方法、显示装置，可以提高器件的性能。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种电致发光器件，包括底电极、顶电极以及设置在所述顶电极和所述底电极之间的发光层和载流子传输层，所述发光层和所述载流子传输层之间还设有导电聚合物层，所述导电聚合物层的材料包括掺杂的导电聚合物。
[0007]可选的，所述载流子传输层为空穴传输层，所述掺杂的导电聚合物包括导电聚合物和P型掺杂剂；所述空穴传输层设置在所述顶电极和所述发光层之间，或者，所述空穴传输层设置在所述底电极和所述发光层之间。
[0008]可选的，所述P型掺杂剂选自卤素、质子酸或过渡金属卤化物中的至少一种。
[0009]可选的，所述P型掺杂剂与所述导电聚合物的质量比为1:(20～400)。
[0010]可选的，所述载流子传输层为电子传输层，所述掺杂的导电聚合物包括导电聚合物和N型掺杂剂；所述电子传输层设置在所述顶电极和所述发光层之间，或者，所述电子传输层设置在所述底电极和所述发光层之间。
[0011]可选的，所述N型掺杂剂选自碱金属。
[0012]可选的，所述N型掺杂剂与所述导电聚合物的质量比为1:(50～600)。
[0013]可选的，所述导电聚合物层的厚度为20nm～40nm。
[0014]可选的，所述电致发光器件为蓝光电致发光器件。
[0015]可选的，所述导电聚合物选自聚芴、聚对苯撑、聚吡咯、聚噻吩、聚苯、聚咔唑及其衍生物中的至少一种。
[0016]可选的，所述导电聚合物选自聚(9,9
‑
二己基芴
‑
2,7
‑
二基)、聚(9,9
‑
二
‑
烷基芴)、聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
2,7
‑
二基)、聚[9,9
‑
双(3,6
‑
二氧杂庚基)
‑
芴
‑
2,7
‑
二基]或聚(9、9
‑
二己基氟
‑
2、7
‑
二烷基)中的至少一种。
[0017]可选的，所述导电聚合物层由掺杂的导电聚合物构成。
[0018]可选的，所述载流子传输层为电子传输层或空穴传输层，所述空穴传输层的材料选自：聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4
‑
丁基苯基)
‑
N,N'
‑
双(苯基)联苯胺)、聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
共
‑
双
‑
N,N
‑
苯基
‑
1,4
‑
苯二胺)、4,4',4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺、4,4'
‑
二(9
‑
咔唑)联苯、N,N'
‑
二苯基
‑
N,N'
‑
二(3
‑
甲基苯基)
‑
1,1'
‑
联苯
‑
4,4'
‑
二胺、N,N'
‑
二苯基
‑
N,N'
‑
(1
‑
萘基)
‑
1,1'
‑
联苯
‑
4,4'
‑
二胺、石墨烯、C
60
中的至少一种；和/或，所述电子传输层的材料选自ZnO或ZnMgO中的至少一种；和/或，
[0019]所述发光层为量子点发光层，所述发光层的材料为量子点，所述量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种；所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP中的至少一种；所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2以及AgInS2中的至少一种；和/或，
[0020]所述底电极、顶电极的材料选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种；所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物选自掺杂/非掺杂金属氧化物或复合电极，所述掺杂/非掺杂金属氧化物选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/A本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括底电极、顶电极以及设置在所述顶电极和所述底电极之间的发光层和载流子传输层，所述发光层和所述载流子传输层之间还设有导电聚合物层，所述导电聚合物层的材料包括掺杂的导电聚合物。2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述载流子传输层为空穴传输层，所述掺杂的导电聚合物包括导电聚合物和P型掺杂剂；所述空穴传输层设置在所述顶电极和所述发光层之间，或者，所述空穴传输层设置在所述底电极和所述发光层之间。3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述P型掺杂剂选自卤素、质子酸或过渡金属卤化物中的至少一种。4.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述P型掺杂剂与所述导电聚合物的质量比为1:(20～400)。5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述载流子传输层为电子传输层，所述掺杂的导电聚合物包括导电聚合物和N型掺杂剂；所述电子传输层设置在所述顶电极和所述发光层之间，或者，所述电子传输层设置在所述底电极和所述发光层之间。6.根据权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述N型掺杂剂选自碱金属。7.根据权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述N型掺杂剂与所述导电聚合物的质量比为1:(50～600)。8.根据权利要求1至7任一项中所述的电致发光器件，其特征在于，所述导电聚合物层的厚度为20nm～40nm。9.根据权利要求1至7任一项中所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件为蓝光电致发光器件。10.根据权利要求1至7任一项中所述的电致发光器件，其特征在于，所述导电聚合物选自聚芴、聚对苯撑、聚吡咯、聚噻吩、聚苯、聚咔唑及其衍生物中的至少一种。11.根据权利要求1至7任一项中所述的电致发光器件，其特征在于，所述导电聚合物选自聚(9,9
‑
二己基芴
‑
2,7
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二基)、聚(9,9
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二
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烷基芴)、聚(9,9
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二辛基芴
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2,7
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二基)、聚[9,9
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双(3,6
‑
二氧杂庚基)
‑
芴
‑
2,7
‑
二基]或聚(9,9
‑
二己基氟
‑
2,7
‑
二烷基)中的至少一种。12.根据权利要求1至7任一项中所述的电致发光器件，其特征在于，所述导电聚合物层由掺杂的导电聚合物构成。13.根据权利要求1至7任一项中所述的电致发光器件，其特征在于，所述载流子传输层为电子传输层或空穴传输层，所述空穴传输层的材料选自：聚(9,9
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二辛基芴
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CO
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N
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(4
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丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4
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丁基苯基)
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N,N'
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双(苯基)联苯胺)、聚(9,9
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二辛基芴
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共
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双
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N,N
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苯基
‑
1,4
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苯二胺)、4,4',4
”‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：扶胜娟，夏思语，李龙基，马兴远，王劲，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：