【技术实现步骤摘要】
硅棒检测方法及检测设备
[0001]本专利技术涉及测量检测
，具体涉及一种硅棒检测方法及检测设备。
技术介绍
[0002]硅棒是通过区熔或直拉工艺在炉膛中整形或提拉形成的硅单晶体棒，硅棒具有沿其轴线延伸的晶线，通过晶线可以判断硅棒是否具有缺陷，从而判断后续加工过程中如何截断硅棒。相关技术中，通过相机获取硅棒表面的图像，根据图像的明亮程度判断是否具有晶线，但是，这种方式具有较大的误差。
技术实现思路
[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的实施例提出一种硅棒检测方法，该硅棒检测方法在硅棒的外周轮廓上采集多个数据点以形成拟合曲线，根据拟合曲线的相邻两个曲线段的斜率差值判断区域内是否具有晶线，检测的准确性较高。
[0004]本专利技术的实施例还提出一种用于实施硅棒检测方法的检测设备，该检测设备在三轴模组上设置数据传感器以在硅棒的外周轮廓上采集数据点，设置转轴承载硅棒以调节硅棒的角度，从而调整硅棒用于采集数据点的区域，操作便捷且适配度高。
[00...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅棒检测方法，其特征在于，包括：S1、在硅棒的外周轮廓上采集多个数据点，多个所述数据点沿所述硅棒的周向间隔布置；S2、依次连接所述多个数据点以形成拟合曲线，将所述拟合曲线分成多个曲线段，并计算每个所述曲线段的斜率，若相邻两个所述曲线段满足|k
i+1
‑
k
i
|＞ε，则第i段曲线段和第i+1段曲线段在所述硅棒的外周轮廓上对应的区域内具有晶线，若相邻两个所述曲线段满足|k
i+1
‑
k
i
|≤ε，则第i段曲线段和第i+1段曲线段在所述硅棒的外周轮廓上对应的区域内不具有晶线，其中i为大于0的常数，k
i
为第i段曲线段的斜率，k
i+1
为第i+1段曲线段的斜率，ε为突变判断阈值。2.根据权利要求1所述的硅棒检测方法，其特征在于，若多个所述数据点在所述硅棒的外周轮廓上形成的区域内具有所述晶线，所述硅棒检测方法还包括：将所述多个数据点的位置记录为第一预设位置，多个所述数据点形成第一预设区域；在所述硅棒上设定多个沿所述硅棒的轴向间隔布置的第二预设位置，所述第二预设位置具有第二预设区域，所述第二预设区域与所述第一预设区域在所述硅棒的轴向上相对布置；对每个所述第二预设区域进行步骤S1和S2，判断所述第二预设区域是否具有所述晶线。3.根据权利要求2所述的硅棒检测方法，其特征在于，若多个所述第二预设区域内存在晶线断线，所述硅棒检测方法还包括：记录所述晶线在所述硅棒的轴向上的断线起始位置X
d0
和断线长度L
d0
；计算所述硅棒因晶线断线的第一截断位置X
dj
和第一截断长度L
dj
：X
dj
＝X
d0
‑
L
a
，L
dj
＝L
d0
+2L
a
；其中，L
a
为安全截断余量。4.根据权利要求2所述的硅棒检测方法，其特征在于，还包括：将所述第一预设区域和多个所述第二预设区域内的所述晶线的位置数据拟合，以形成拟合线条；将所述拟合线条沿所述硅棒的轴向分成多个线条段，将每个所述线条段与所述硅棒的轴线对比，若具有所述线条段与所述硅棒的轴线之间的夹角大于预设角度，则所述晶线存在歪斜，若全部的所述线条段与所述硅棒的轴线之间的夹角均小于等于所述预设角度，则所述晶线笔直。5.根据权利要求4所述的硅棒检测方法，其特征在于，若所述第一预设区域和多个所述第二预设区域内存在晶线歪斜，所述硅棒检测方法还包括：记录所述晶线在所述硅棒的轴向...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱亮，李宏，张遵浩，曹震，董胜，韦孟锑，景健，
申请(专利权)人：杭州中为光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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