用于光子集成电路的可插式连接器的技术制造技术

本文公开了用于光耦合到光子集成电路(PIC)管芯的技术。在一个图示的实施例中，PIC管芯具有一个或多个波导以及一个或多个垂直耦合器以通过PIC管芯的表面反射来自波导的光。将光连接器接口以高精度定位在PIC管芯的表面上。光连接器接口包括一个或多个透镜以将来自一个或多个波导的光准直。光连接器插入到光连接器接口中。光连接器包括一个或多个透镜以将准直的光聚焦到一个或多个光纤。由于光连接器耦合到准直的光，所以无需将其以高精度定位。位。位。

【技术实现步骤摘要】
用于光子集成电路的可插式连接器的技术

技术介绍

[0001]光子集成电路(PIC)可以用于若干应用，例如通信。高效并且低廉地将光器件对准以将光耦合进入和离开PIC可能是一个挑战。解决方法包括使用V型槽来将光纤连接器对准或者制作附接到PIC的透镜。然而，这些解决方法可能是昂贵的和/或导致低产率。
附图说明
[0002]图1是包括光子集成电路管芯的系统的等角视图。
[0003]图2是图1的系统的横截面图。
[0004]图3是图1的系统的横截面图。
[0005]图4是图1的系统的分解图。
[0006]图5是示出图1的部件的对准容差的曲线图。
[0007]图6是包括光子集成电路管芯的系统的等角视图。
[0008]图7是图6的系统的横截面图。
[0009]图8是图6的系统的横截面图。
[0010]图9是图6的系统的分解图。
[0011]图10是包括光子集成电路管芯的系统的横截面图。
[0012]图11是包括光子集成电路管芯的系统的横截面图。
[0013]图12是包括光子集成电路管芯的系统的等角视图。
[0014]图13是图12的系统的横截面图。
[0015]图14是图12的系统的分解图。
[0016]图15是包括光子集成电路管芯的系统的等角视图。
[0017]图16是图15的系统的横截面图。
[0018]图17是图15的系统的分解图。
[0019]图18是包括光子集成电路管芯的系统的横截面图。
[0020]图19是包括光子集成电路管芯的系统的横截面图。
[0021]图20是包括光子集成电路管芯的系统的等角视图。
[0022]图21是图20的系统的横截面图。
[0023]图22是图20的系统的分解图。
[0024]图23是包括光子集成电路管芯的系统的等角视图。
[0025]图24是图23的系统的横截面图。
[0026]图25是图23的系统的横截面图。
[0027]图26是图23的系统的分解图。
[0028]图27是具有包括若干光子集成电路的晶圆的系统的等角视图。
[0029]图28是具有晶圆上的若干光连接器接口的图27的系统的等角视图。
[0030]图29是具有被单个化成管芯的晶圆的图27的系统的等角视图。
[0031]图30是包括与电路板配合的光子集成电路的系统的横截面图。
[0032]图31是具有引线接合到电路板上的基座的光子集成电路的图30的系统的横截面图。
[0033]图32是用于制造光子集成电路的方法的至少一个实施例的简化的流程图。
[0034]图33是根据本文公开的任何实施例的可以被包括在微电子组件中的晶圆和管芯的顶视图。
[0035]图34是根据本文公开的任何实施例的可以被包括在微电子组件中的集成电路装置的横截面侧视图。
[0036]图35A
‑
图35D是示例性的平面晶体管、全环绕栅极晶体管和堆叠的全环绕栅极晶体管的透视图。
[0037]图36是根据本文公开的任何实施例的可以包括微电子组件的集成电路装置组件的横截面侧视图。
[0038]图37是根据本文公开的任何实施例的可以包括微电子组件的示例性的电装置的框图。
具体实施方式
[0039]在本文公开的各种实施例中，将光连接器接口紧固到光子集成电路(PIC)管芯以便于耦合进入和离开PIC管芯的波导。在一个图示的实施例中，光连接器接口包括透镜阵列、用于光隔离器的腔体以及可以被光连接器插入的腔体。如下文更详细地讨论的，公开了其它实施例。
[0040]如本文所使用的，短语“通信耦合”是指部件向另一部件发送信号或者从另一部件接收信号的能力。信号可以是任何类型的信号，例如输入信号、输出信号或功率信号。部件可以经由有线或无线通信介质(例如，导电迹线、导电接触部、空气)向与其通信耦合的另一部件发送信号或从该另一部件接收信号。通信耦合的部件的示例包括位于同一封装中经由封装基板中的嵌入式桥接进行通信的集成电路管芯，以及附接到印刷电路板的集成电路部件，该集成电路部件向附接到印刷电路板的其它集成电路部件或电子装置发送信号或从附接到印刷电路板的其它集成电路部件或电子装置接收信号。
[0041]在以下描述中，阐述了具体细节，但是可以在没有这些具体细节的情况下实践本文描述的技术的实施例。没有详细示出公知的电路、结构和技术以免模糊对本描述的理解。诸如“实施例”、“各种实施例”、“一些实施例”等短语可以包括特征、结构或特性，但不是每个实施例都必须包括特定特征、结构或特性。
[0042]一些实施例可以具有针对其它实施例所描述的特征中的一些、所有特征，或者不具有这些特征。“第一”、“第二”、“第三”等描述共同对象，并且指示正在提及相似对象的不同实例。这样的形容词并不暗示被这样描述的对象必须在时间上或空间上、排序上或以任何其它方式处于给定的顺序。“连接”可以指示元件处于直接物理或电接触，并且“耦合”可以指示元件协作或相互作用，但是它们可以处于也可以不处于直接物理或电接触。此外，关于本公开的实施例所使用的术语“包含”、“包括”、“具有”等是同义的。由词语“大体上”修饰的术语包括与未修饰的术语的含义略微变化的布置、取向、间距或位置。例如，与通孔大体上同轴对准的磁性插头的中心轴可能与通孔的中心轴有若干度错位。在另一示例中，被描述为大体上具有列举出的尺寸的基板组件特征(例如贯穿宽度)可以在列举出的尺寸的百
分之几内变化。
[0043]将被理解的是，在下文进一步示出和描述的示例中，附图可以不是按比例绘制的并且可以不包括所有可能的层和/或电路部件。此外，将被理解的是，虽然某些图示出了带有具有正交(例如，垂直)边界的源极/漏极区、电极等的晶体管设计，但是由于用于创建这样的装置的制作方法或其它原因，本文的实施例可以以大体上正交的方式(例如，在正交的+/
‑
5或10度内)实施这样的边界。
[0044]现在参考附图，附图不一定按比例绘制，其中相似或相同的数字可以用于指代不同的图中的相同或相似的部分。在不同的图中使用相似或相同的数字并不表示包括相似或相同数字的所有的图构成单一或相同的实施例。具有不同字母后缀的相似数字可以代表相似部件的不同实例。附图一般通过示例而非限制的方式示出了本文件中讨论的各种实施例。
[0045]在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对其的透彻理解。然而，可能是显然的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践新颖的实施例。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置以便于对其的描述。意图是涵盖在权利要求范围内的所有修改、等同物和替代物。
[0046]如本文所使用的，在位于第二层或部件上的第一层或部件的语境中的短语“位于
……
上”是指第一层或部件直接物理附接到第二层或部件(在第一层或部件和第二层或部件之间没有层或部件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：光子集成电路(PIC)管芯，其中，一个或多个波导被限定在所述PIC管芯中；光连接器接口，其用于与光连接器配合，其中，所述光连接器接口安装在所述PIC管芯的表面上；以及一个或多个光聚焦元件，其被配置为将来自所述一个或多个波导的光聚焦成一个或多个准直的光束，其中，所述一个或多个光聚焦元件相对于所述PIC管芯被固定就位。2.根据权利要求1所述的设备，还包括与所述光连接器接口配合的光连接器，其中，所述光连接器包括一个或多个光纤，其中，所述光连接器包括一个或多个第二光聚焦元件，以将所述一个或多个准直的光束聚焦到所述一个或多个光纤中。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述一个或多个第二光聚焦元件包括被限定在所述光连接器的表面中的一个或多个全内反射(TIR)镜。4.根据权利要求2所述的设备，还包括光隔离器，其中，所述光隔离器被定位在所述一个或多个光聚焦元件和所述一个或多个第二光聚焦元件之间。5.根据权利要求2所述的设备，还包括光隔离器，其中，所述光隔离器被定位在所述一个或多个第二光聚焦元件与所述一个或多个光纤之间。6.根据权利要求2所述的设备，其中，所述光连接器包括与被限定在所述光连接器接口中的一个或多个对准孔配合的一个或多个对准杆。7.根据权利要求2所述的设备，其中，所述一个或多个第二光聚焦元件被限定在所述光连接器的透射表面中。8.根据权利要求2所述的设备，其中，所述一个或多个第二光聚焦元件被限定在所述光连接器的反射表面中。9.根据权利要求2所述的设备，其中，所述光连接器通过插入到所述光连接器接口中与所述光连接器接口配合。10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述光连接器通过将所述光连接器的V形突起与被限定在所述光连接器接口中的V形腔体配合来与所述光连接器接口配合。11.根据权利要求2所述的设备，其中，通过朝向所述PIC管芯的所述表面移动所述光连接器来将所述光连接器插入到所述光连接器接口中。12.根据权利要求2所述的设备，其中，通过平行于所述PIC管芯的所述表面移动所述光连接器来将所述光连接器插入到所述光连接器接口中。13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个光聚焦元件被限定在所述光连接器接口的透射表面中。14.根据权利要求1所述的设备，还包括一个或多个垂直耦合器，以将来自所述一个或多个波导的光定向到所述一个或多个光聚焦元件。15.根据权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个波...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：