一种高调谐灵敏度的915MHz微波等离子体化学气相沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种高调谐灵敏度的915MHz微波等离子体化学气相沉积装置，包括：腔室上壁和腔室下壁，腔室下壁安装反应腔体；腔室上壁和腔室下壁之间设置金属腔壁，金属腔壁环绕布置于反应腔体外围，构成谐振腔；金属腔壁被配置为：环绕反应腔体收缩或扩张。本发明专利技术设置环绕反应腔体收缩或扩张的金属腔壁，通过调整金属腔壁围成的圆柱腔的直径变化，调整谐振腔的内部空间，使反应腔体等离子体形状和电子密度快速实现最优状态，反射降到最低，提高沉积效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种高调谐灵敏度的915MHz微波等离子体化学气相沉积装置


[0001]本专利技术涉及微波等离子体化学气相沉积
，特别是指尤其涉及一种高调谐灵敏度的915MHz微波等离子体化学气相沉积装置。

技术介绍

[0002]目前，我国受到芯片制约发展的当下，高功率半导体材料研制刻不容缓，对我国未来发展具有重大意义。金刚石具有良好的综合性能，已经应用于众多科技领域。尤其是金刚石具有块体材料最高热导率2000W/m
·
K和高达5.5eV的禁带宽度，被认为是终极半导体。各科研机构都在开展基于金刚石半导体材料研究工作。
[0003]微波等离子体化学气相沉积(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition，MPCVD)是目前常用的制备金刚石材料的方法之一，其优点有制备的金刚石膜质量高，沉积参数稳定，沉积面积大，作为一种重要的制备方法，一直受到广泛重视。
[0004]目前石英环式MPCVD装置正在大量推广中，该类装置石英环和等离子体分别位于同轴天线两面，避免了等离子体与石英环的接触，日本S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高调谐灵敏度的915MHz微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，所述装置包括：腔室上壁和腔室下壁，所述腔室下壁安装反应腔体；其中，所述腔室上壁和所述腔室下壁之间设置金属腔壁，所述金属腔壁环绕布置于所述反应腔体外围；其中，所述金属腔壁被配置为：环绕所述反应腔体收缩或扩张。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述反应腔体包括真空石英环和同轴天线；所述真空石英环置于所述腔室下壁上，所述同轴天线置于所述真空石英环上；所述同轴天线开设进气孔口，所述腔室下壁开设排气口。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述真空石英环与所述腔室下壁之间设置密封胶圈；所述同轴天线与所述真空石英环之间设置密封胶圈。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述金属腔壁包括第一端头和第二端头；其中，所述第二端头与所述第一端头之间形成间隙，所述第二端头向所述金属腔壁围成的圆柱腔外侧延伸形成自由端，并且所述第二端头与所述第一端头的间隙之间设置第一弯曲金属片；所述第一弯曲金属片与所述第一端头固定连接，所述第一弯曲金属片与所述第二端头接触；当所述金属腔壁环绕所述反应腔体扩张时，所述第二端头相对所述第一端头沿第一方向运动，使所述金属腔壁围成的圆柱腔的直径增大；当所述金属腔壁环绕所述反应腔体收缩时，所述第二端头相对所述第一端头沿第二方向运动，使所述金属腔壁围成的圆柱腔的直径减小；其中，所述金属腔壁采用具有向内收缩趋势的金属材料制备，使金属腔壁的第二端头向第一端头靠近。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一端头与金属腔壁之间设置第二弯曲金属片，所述第二弯曲金属片与第一端头固定连接，所述第二弯曲金属片与所述金属腔壁内侧接触。6.根据权利要求4所述的装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：安康，吴海平，刘峰斌，许光宇，
申请(专利权)人：北方工业大学，
类型：发明
国别省市：