本公开提供了静电吸盘清洁装置，其静电吸盘设置于工作腔中，静电吸盘清洁装置包括第一喷气机构、第二喷气机构、第三喷气机构和抽吸机构；第一喷气机构具有第一喷气口，第二喷气机构具有第二喷气口，第一喷气口和第二喷气口分设于静电吸盘的两侧上方；第三喷气机构具有第三喷气口，第三喷气口的喷气路径与第一喷气口的喷气路径相交，且第一喷气口喷出的气流能够使第三喷气口喷出的气流转向至沿静电吸盘的表面吹扫；抽吸机构的抽吸口位于工作腔内。该清洁方法能够在不开启工作腔的情况下，形成横向吹扫气流清洁静电吸盘的表面，不仅能够有效去除静电吸盘表面附着的微颗粒，还能够避免微颗粒于静电吸盘表面的特定部位堆砌。微颗粒于静电吸盘表面的特定部位堆砌。微颗粒于静电吸盘表面的特定部位堆砌。
【技术实现步骤摘要】
静电吸盘清洁装置以及静电吸盘清洁方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种静电吸盘清洁装置以及静电吸盘清洁方法。
技术介绍
[0002]在半导体器件的制造过程中，通常需要对晶圆进行刻蚀。待刻蚀的晶圆通常被放置于静电吸盘上，刻蚀后的晶圆被机械手转移至后续工艺环节，然后下一片待刻蚀的晶圆再被转移至空出来的静电吸盘上。在实际的使用过程中，静电吸盘表面经常附着有来自晶圆刻蚀过程或设备内部产生的微颗粒。微颗粒会卡在晶圆与静电吸盘之间，导致晶圆产生轻微倾斜和污染，进而影响晶圆刻蚀的良率，还可能对晶圆和静电吸盘产生磨损。
技术实现思路
[0003]基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种静电吸盘清洁装置，以有效清洁静电吸盘表面的残留颗粒，避免晶圆和静电吸盘的磨损以及晶圆刻蚀的良率受到影响。
[0004]根据本公开的一些实施例，提供了一种静电吸盘清洁装置，其中静电吸盘设置于工作腔中，该静电吸盘清洁装置包括第一喷气机构、第二喷气机构、第三喷气机构和抽吸机构；
[0005]所述第一喷气机构具有第一喷气口，所述第二喷气机构具有第二喷气口，所述第一喷气口和所述第二喷气口分设于所述静电吸盘的两侧上方，且所述第一喷气口的喷气方向和所述第二喷气口的喷气方向朝向所述静电吸盘的上表面；所述第三喷气机构具有第三喷气口，所述第三喷气口的喷气路径与所述第一喷气口的喷气路径相交；所述抽吸机构的抽吸口位于所述工作腔内。
[0006]在本公开的一些实施例中，所述第三喷气口设置于所述第一喷气口的下方，所述第三喷气口的喷气路径自下至上与所述第一喷气口的喷气路径相交。
[0007]在本公开的一些实施例中，所述静电吸盘靠近所述第一喷气口的一侧与所述工作腔的腔壁之间具有第一间隙，所述第三喷气口的喷气路径经过所述第一间隙后与所述第一喷气口的喷气路径相交；
[0008]所述静电吸盘靠近所述第二喷气口的一侧与所述工作腔的腔壁之间具有第二间隙，所述第二喷气口喷出的气流能够使沿所述静电吸盘表面的气流转向通过所述第二间隙。
[0009]在本公开的一些实施例中，所述抽吸口设置于所述静电吸盘的下方，且位于所述第三喷气口与所述第二间隙之间。
[0010]在本公开的一些实施例中，所述第三喷气机构还包括可开合的第一封口件，所述第一封口件设置于所述第三喷气口上，所述第一封口件用于封闭所述第三喷气口；所述抽吸机构还包括可开合的第二封口件，所述第二封口件设置于所述抽吸口上，所述第二封口
件用于封闭所述抽吸口。
[0011]在本公开的一些实施例中，所述第一喷气机构的喷气方向可调，和/或
[0012]所述第二喷气机构的喷气方向可调。
[0013]进一步地，根据本公开的又一些实施例，还提供了一种静电吸盘清洁方法，其采用根据上述任一实施例所述的静电吸盘清洁装置进行，所述静电吸盘清洁方法包括重复进行至少一次气体清扫处理，所述气体清扫处理包括如下步骤：
[0014]控制所述第三喷气机构朝向所述第一喷气口的喷气路径喷气；
[0015]控制所述第一喷气机构持续喷气；
[0016]在所述第一喷气机构持续喷气的过程中，控制所述第二喷气机构间断喷气；
[0017]控制所述第三喷气机构停止喷气，开启所述抽吸机构，通过所述抽吸口抽取气体。
[0018]在本公开的一些实施例中，在控制所述第三喷气机构朝向所述第一喷气口的喷气路径喷气的步骤中，控制所述第三喷气机构喷气的时间为15s～30s；和/或，
[0019]在控制所述第二喷气机构间断喷气的步骤中，控制所述第二喷气机构每次喷气的时间为5s～10s，相邻两次喷气的间隔为1s～5s。
[0020]在本公开的一些实施例中，所述第一喷气机构的喷气流量与所述第三喷气机构的喷气流量之比为(1:1.5)～(1:3)。
[0021]在本公开的一些实施例中，在进行所述气体清扫处理之前，还包括判断步骤，所述判断步骤包括：监测所述静电吸盘背面的工作气体流量，当监测到所述工作气体流量高于预设流量时，执行所述气体清扫处理。
[0022]在本公开的一些实施例中，所述判断步骤还包括：当监测到所述工作气体流量高于预设流量时，根据此时所述工作气体流量的值确定所述静电吸盘表面的颗粒数量，再根据所述静电吸盘表面的颗粒数量控制所述第三喷气机构的喷气流量。
[0023]在上述实施例的静电吸盘清洁装置中，第一喷气口设置于静电吸盘的斜上方，喷出朝向静电吸盘的倾斜气流，第三喷气口的喷气路径与第一喷气口的喷气路径相交。第一喷气口、第二喷气口和第三喷气口喷出的气体相互作用，能够形成沿着静电吸盘表面的、方向可变的气流对静电吸盘表面进行吹扫，再结合抽吸机构进行抽吸，使得吹扫静电吸盘后的气体带动污染物被抽吸机构去除，完成静电吸盘的清洁。该清洁方法能够在不开启工作腔的情况下，形成横向吹扫气流清洁静电吸盘的表面，不仅能够有效去除静电吸盘表面附着的微颗粒，还能够避免微颗粒于静电吸盘表面的特定部位堆砌。
[0024]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
[0025]图1为本公的一种静电吸盘清洁装置的结构示意图；
[0026]图2为第一喷气机构中的第一喷气管的结构示意图；
[0027]图3为第一喷气机构中第一喷气口的截面示意图；
[0028]图4为第三喷气机构中第三喷气管的结构示意图；
[0029]其中，各附图标记及其含义如下：
[0030]100、静电吸盘；110、第一喷气机构；1101、第一出气支管；1102、第一连接件；1103、
第一进气支管；1104、第一保护套；111、第一喷气口；1111、第一喷气子口；120、第二喷气机构；121、第二喷气口；130、第三喷气机构；1301、第三出气支管；1302、第三连接件；1303、第三进气支管；1304、第三保护套；1305、第一封口件；131、第三喷气口；200、工作腔；210、第一间隙；220、第二间隙。
具体实施方式
[0031]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
[0032]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0033]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘清洁装置，其特征在于，所述静电吸盘设置于工作腔中，所述静电吸盘清洁装置包括第一喷气机构、第二喷气机构、第三喷气机构和抽吸机构；所述第一喷气机构具有第一喷气口，所述第二喷气机构具有第二喷气口，所述第一喷气口和所述第二喷气口分设于所述静电吸盘的两侧上方，且所述第一喷气口的喷气方向和所述第二喷气口的喷气方向朝向所述静电吸盘的上表面；所述第三喷气机构具有第三喷气口，所述第三喷气口的喷气路径与所述第一喷气口的喷气路径相交，且所述第一喷气口喷出的气流能够使所述第三喷气口喷出的气流转向至沿所述静电吸盘的表面吹扫；所述抽吸机构的抽吸口位于所述工作腔内。2.根据权利要求1所述的静电吸盘清洁装置，其特征在于，所述第三喷气口设置于所述第一喷气口的下方，所述第三喷气口的喷气路径自下至上与所述第一喷气口的喷气路径相交。3.根据权利要求2所述的静电吸盘清洁装置，其特征在于，所述静电吸盘靠近所述第一喷气口的一侧与所述工作腔的腔壁之间具有第一间隙，所述第三喷气口的喷气路径经过所述第一间隙后与所述第一喷气口的喷气路径相交；所述静电吸盘靠近所述第二喷气口的一侧与所述工作腔的腔壁之间具有第二间隙，所述第二喷气口喷出的气流能够使沿所述静电吸盘表面的气流转向通过所述第二间隙。4.根据权利要求3所述的静电吸盘清洁装置，其特征在于，所述抽吸口设置于所述静电吸盘的下方，且位于所述第三喷气口与所述第二间隙之间。5.根据权利要求1～4任一项所述的静电吸盘清洁装置，其特征在于，所述第三喷气机构还包括可开合的第一封口件，所述第一封口件设置于所述第三喷气口上，所述第一封口件用于封闭所述第三喷气口；所述抽吸机构还包括可开合的第二封口件，所述第二封口件设置于所述抽吸口上，所述第二封口件用于封闭所述抽吸口。6.根据权利要求1～4...
【专利技术属性】
技术研发人员：余煜晖，胡玉龙，谭志豪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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