一种高平整度金属箔材的制备方法及其所得的金属箔材技术

本发明专利技术公开了一种高平整度金属箔材的制备方法，包括制备金属粗箔原材；制备所得的金属粗箔进行至少一次精密压延处理，将其轧制成厚度为5μm

【技术实现步骤摘要】
一种高平整度金属箔材的制备方法及其所得的金属箔材


[0001]本专利技术涉及一种金属材料制备
，具体涉及一种高平整度金属制备方法及其所得的金属箔材。

技术介绍

[0002]有机发光二极管OLED(Organic Light Emitting Diode)相对于液晶显示器具有重量巧、视角广、响应时间快、耐低温和发光效率高等优点，被视为下一代新型显示技术。目前，一般通过在真空环境中加热有机半导体材料，使材料受热升华，通过具有特殊子画素图案的金属掩模板在基板表面形成具有所设计形状的有机薄膜器件叠构，经历多种材料的连续沉积成膜，加上在叠构的两端各镀上阳极及阴极，即可形成具有多层薄膜的OLED发光器件结构。在上述工艺过程中需要使用精密金属掩模板(Fine Metal Mask，FMM)沉积OLED器件的发光层，精密金属掩模板的质量对最终OLED发光器件品质具有重要影响。
[0003]目前，精密金属掩模板主要通过三种工艺制备：蚀刻法精密掩模板、电铸法精密掩模板、混合型精密掩模板。电铸法精密掩模板和混合型精密掩模板相较于刻蚀法精密掩模板能够实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高平整度金属箔材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：制备金属粗箔原材；S2：精密压延：对制备所得的金属粗箔原材进行至少一次精密压延处理，将其轧制成厚度为5μm
‑
100μm且表面平整的金属箔材；S3：热处理：每次精密压延处理后，对精密压延获得的金属箔材进行热处理加工；S4：整平处理：对精密压延及热处理后的金属箔材进行整平处理，所述整平处理包括至少一次张力退火处理，所述张力退火处理在还原气氛保护下或真空环境中进行，张力为1
‑
100kgf/mm2，张力退火温度为200
‑
800℃，退火速度为1
‑
100m/min；S5：在整平处理后获得高平整度薄金属箔材。2.根据权利要求1所述的高平整度金属箔材的制备方法，其特征在于,所述步骤S4整平处理中，张力退火处理的张力为10
‑
50kgf/mm2，张力退火温度为300
‑
600℃，退火速度为1
‑
10m/min。3.根据权利要求1所述的高平整度金属箔材的制备方法，其特征在于，所述步骤S4整平处理中，在所述张力退火处理前或后还进行至少一次张力拉矫处理，所述张力拉矫张力为1
‑
100kgf/mm2，张力拉矫处理温度为20
‑
200℃，拉矫速度为1～100m/min；在不加热条件下进行时，所述张力拉矫在普通空气氛围下进行；在加热条件下进行时，所述张力拉矫在还原气氛保护或真空环境下进行。4.根据权利要求1所述的高平整度金属箔材的制备方法，其特征在于，所述步骤S3的热处理为退火、应力消除和材料稳定化时效处理中的至少一种，所述步骤S3的热处理温度为55
‑
1100℃，热处理时间为2秒钟
‑
72小时。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的高平整度金属箔材的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述金属粗箔的材质为因瓦合金、铁镍合金、铁镍钴合金、铁镍锰合金、铁钴铬合金、镍铁铬合金、不锈钢、镍合金、钛合金、铝合金、镍
‑
钴合金、钴
‑
铬合金中的一种。6.根据权利要求1
‑
4任一项所述的高平整度金属箔材的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，制备金属粗箔原材采用压延法、激光熔制法或电铸法。7.根据权利要求6所述的高平整度金属箔材的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，压延法制备金属粗箔原材包括如下步骤：S1011：金属熔炼：将高纯度金属原料根据所要冶炼的合金成分进行配比，加入还原剂进行金属熔炼，熔炼过程中进行必要的成分调整，熔炼后将熔融的金属液浇注入注模制成铸锭；S1012：精炼：对熔炼而得的铸锭进行精炼，形成高洁净度的金属锭；S1013：热锻：对精炼而得的金属锭进行高温锻造处理，制得1
‑
10cm厚的金属板块；S1014：热轧：将热锻所得的金属板块进行表面处理，之后进行热轧加工制成1
‑
10mm厚的金属板；S1015：初次热处理：将热轧后的金属板进行热处理，调整显微结构并消除内应力；S1016：冷轧：对初次热处理后的板材进行表面处理去除表面氧化层并清洗，裁边后进行至少一次冷轧处理，制得精密压延设备可加工厚度的金属板材；S1017：二次热处理：对每次冷轧处理后的金属板进行热处理，调整显微结构并消除内应力。
8.根据权利要求7所述的高平整度金属箔材的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鼎国，刘学明，刘欢龙，
申请(专利权)人：寰采星科技宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：